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电阻（（10280）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	特征	基本产品编号	反抗	温度系数	故障率	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（W特）	终止数量	（（（）	作品	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
745C101471JP	0.6900	RFQ	11	CTS电阻产品	745	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ LX 0.126” W（6.40mm x 3.20mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	2512 （6432公制），凹形，长边终端		745C101		±250ppm/°C		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000			470		公共汽车	8	-	-	10	63MW
745C101153JP	0.6000	RFQ	57	CTS电阻产品	745	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ LX 0.126” W（6.40mm x 3.20mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	2512 （6432公制），凹形，长边终端		745C101		±250ppm/°C		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000			15k		公共汽车	8	-	-	10	63MW
744C083123JP	-	RFQ	8560	CTS电阻产品	744	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	-	0.200“ l x 0.126” W（5.08mm x 3.20mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	2012年，凹面，长边终端		744C083		±200ppm/°C		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000			12k		孤立	4	-	-	8	125MW
741x083102JP	0.1000	RFQ	87	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		741x083		±200ppm/°C		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000			1k		孤立	4	-	-	8	63MW
741x083101JP	0.1000	RFQ	137	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		741x083		±200ppm/°C		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000			100		孤立	4	-	-	8	63MW
741x043220JP	0.1100	RFQ	25	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		741x043		±200ppm/°C		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000			22		孤立	2	-	-	4	63MW
77083101p	0.7000	RFQ	3	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.800“ LX 0.098” W （20.32mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	8-sip				±100ppm/°C		8-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-83-R100p	Ear99	8533.21.0050	1,000			100		孤立	4	-	-	8	100MW
77083391p	0.6300	RFQ	3950	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.800“ LX 0.098” W （20.32mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	8-sip				±100ppm/°C		8-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-83-R390p	Ear99	8533.21.0050	1,000			390		孤立	4	-	-	8	100MW
77083154p	0.6300	RFQ	5241	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.800“ LX 0.098” W （20.32mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	8-sip				±100ppm/°C		8-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-83-R150KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			150k		孤立	4	-	-	8	100MW
73M2AR040F	-	RFQ	4995	CTS电阻产品	73m2a	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜155°C		0.248“ l x 0.126” W（6.30mm x 3.20mm）	0.043“ （1.10mm）		2512 （6432公制）	当前的意义		40莫尔斯	±50ppm/°C	-	2512	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-73M2AR040FTR	Ear99	8533.21.0030	4,000	2W	2		金属膜
744C083302GP	-	RFQ	9139	CTS电阻产品	744	胶带和卷轴（（tr）	过时的									744C083					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		60-744C083302GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
743C043562JP	-	RFQ	7587	CTS电阻产品	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		60-743C043562JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
744C0832211FP	-	RFQ	4877	CTS电阻产品	744	胶带和卷轴（（tr）	过时的									744C083					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		60-744C0832211FPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
744C043510JP	-	RFQ	1173	CTS电阻产品	744	胶带和卷轴（（tr）	过时的							1210 （3225公制），凹		744C043					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		60-744C043510JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
744C083751JP	-	RFQ	8186	CTS电阻产品	744	胶带和卷轴（（tr）	过时的									744C083					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		60-744C083751JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
744C043560JP	-	RFQ	4449	CTS电阻产品	744	胶带和卷轴（（tr）	过时的							1210 （3225公制），凹		744C043					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		60-744C043560JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
RT2203B7	-	RFQ	7112	CTS电阻产品	-	大部分	过时的														-				60-RT2203B7	过时的		1
S40X043431JP	0.0901	RFQ	5060	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端				±200ppm/°C		0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043431JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			430		孤立	2	-	-	4	31mw
S41X043684JP	0.0198	RFQ	2578	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸				±200ppm/°C		0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043684JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			680k		孤立	2	-	-	4	63MW
S41X083913JP	0.0226	RFQ	7882	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端				±200ppm/°C		0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083913JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			91k		孤立	4	-	-	8	31mw
S42C163911GP	0.1813	RFQ	6719	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端				±200ppm/°C		2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163911GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			910		孤立	8	-	-	16	63MW
S42X083432GP	0.0495	RFQ	4830	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端				±200ppm/°C		1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083432GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			4.3k		孤立	4	-	-	8	63MW
S42C163124GP	0.1813	RFQ	8748	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端				±200ppm/°C		2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163124GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			120k		孤立	8	-	-	16	63MW
S42C043511JP	0.0508	RFQ	9881	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面				±200ppm/°C		0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043511JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			510		孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083242GP	0.0813	RFQ	1340	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端				±200ppm/°C		1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083242GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			2.4k		孤立	4	-	-	8	63MW
S41X083112GP	0.0269	RFQ	3625	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端				±200ppm/°C		0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083112GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			1.1k		孤立	4	-	-	8	31mw
S41X043680GP	0.0240	RFQ	7869	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸				±200ppm/°C		0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043680GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			68		孤立	2	-	-	4	63MW
S41C083113GP	0.0560	RFQ	4423	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端				±200ppm/°C		0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083113GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			11k		孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C083472FP	0.0914	RFQ	1643年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端				±200ppm/°C		1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083472FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			4.7k		孤立	4	-	-	8	63MW
S42C163131JP	0.1518	RFQ	5445	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端				±200ppm/°C		2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163131JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			130		孤立	8	-	-	16	63MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻（（10280）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²