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电阻（（10280）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S42C043121JP	0.0508	RFQ	4777	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043121JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	120	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083510FP	0.0914	RFQ	7657	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083510FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	51	孤立	4	-	-	8	63MW
S41C083111GP	0.0560	RFQ	7994	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083111GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	110	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42X083431JP	0.0412	RFQ	2456	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083431JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	430	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C043272JP	0.0508	RFQ	7580	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043272JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.7k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C043240FP	0.0693	RFQ	5017	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043240FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	24	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C163203JP	0.1518	RFQ	8475	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163203JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	20k	孤立	8	-	-	16	63MW
S40X043513JP	0.0901	RFQ	2829	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端	±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043513JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	51k	孤立	2	-	-	4	31mw
S41X043913FP	0.0283	RFQ	5705	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043913FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	91k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42X083470JP	0.0412	RFQ	1798年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083470JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	47	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083130JP	0.0412	RFQ	2799	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083130JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	13	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C163101GP	0.1813	RFQ	7082	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163101GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	100	孤立	8	-	-	16	63MW
S41C083473GP	0.0560	RFQ	2596	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083473GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	47k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C043750GP	0.0600	RFQ	9815	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043750GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	75	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083333GP	0.0813	RFQ	6963	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083333GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	33k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X043473GP	0.0240	RFQ	9898	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043473GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	47k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42X083274GP	0.0495	RFQ	8006	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083274GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	270k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083101JP	0.0412	RFQ	2140	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083101JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	100	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083300FP	0.0914	RFQ	2165	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083300FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	30	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083431FP	0.0914	RFQ	3189	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083431FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	430	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X043101FP	0.0283	RFQ	2787	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043101FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	100	孤立	2	-	-	4	63MW
S42X083131GP	0.0495	RFQ	8484	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083131GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	130	孤立	4	-	-	8	63MW
S41C083471JP	0.0481	RFQ	8497	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083471JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	470	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42X083300GP	0.0495	RFQ	2184	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083300GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	30	孤立	4	-	-	8	63MW
S40X043681JP	0.0901	RFQ	6499	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端	±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043681JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	680	孤立	2	-	-	4	31mw
S41X043131JP	0.0198	RFQ	9948	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043131JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	130	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083911FP	0.0914	RFQ	5547	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083911FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	910	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083271JP	0.0412	RFQ	8393	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083271JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	270	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C163200GP	0.1813	RFQ	7146	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163200GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	20	孤立	8	-	-	16	63MW
S41C083112FP	0.0653	RFQ	7517	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083112FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.1k	孤立	4	-	-	8	31.25MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻（（10280）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²