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电阻（（10280）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S41X043222GP	0.0240	RFQ	9675	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043222GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	2.2k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C043180FP	0.0693	RFQ	9876	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043180FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	18	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083330GP	0.0813	RFQ	6643	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083330GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	33	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083153GP	0.0813	RFQ	7709	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083153GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	15k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X083273FP	0.0311	RFQ	5361	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083273FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	27k	孤立	4	-	-	8	31mw
S40X043161JP	0.0901	RFQ	1091	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端	±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043161JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	160	孤立	2	-	-	4	31mw
S42C163131GP	0.1813	RFQ	1537年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163131GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	130	孤立	8	-	-	16	63MW
S42C163754GP	0.1813	RFQ	5521	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163754GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	750k	孤立	8	-	-	16	63MW
S42C043152JP	0.0508	RFQ	7092	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043152JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1.5k	孤立	2	-	-	4	63MW
S41C083122JP	0.0481	RFQ	3126	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083122JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.2k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S41X043362FP	0.0283	RFQ	2012	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043362FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	3.6k	孤立	2	-	-	4	63MW
S41C083301JP	0.0481	RFQ	3844	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083301JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	300	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S41X083391JP	0.0226	RFQ	8195	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083391JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	390	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C163330GP	0.1813	RFQ	1974年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163330GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	33	孤立	8	-	-	16	63MW
S41X083562FP	0.0311	RFQ	7150	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083562FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	5.6k	孤立	4	-	-	8	31mw
S41C083244FP	0.0653	RFQ	9795	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083244FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	240k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C043913GP	0.0600	RFQ	5822	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043913GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	91k	孤立	2	-	-	4	63MW
753091103GP	1.9136	RFQ	3253	CTS电阻产品	753	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.270“ l x 0.080” W（6.86mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	9-SRT	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-753091103GP	Ear99	8533.21.0020	250	10k	公共汽车	8	-	-	9	40MW
S42X083221FP	0.0560	RFQ	5441	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083221FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	220	孤立	4	-	-	8	63MW
753091104GP	1.9136	RFQ	8858	CTS电阻产品	753	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.270“ l x 0.080” W（6.86mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	9-SRT	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-753091104GP	Ear99	8533.21.0020	250	100k	公共汽车	8	-	-	9	40MW
S41X083240GP	0.0269	RFQ	6608	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083240GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	24	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C043824JP	0.0508	RFQ	8381	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043824JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	820k	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X083394JP	0.0226	RFQ	3801	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083394JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	390k	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C083752JP	0.0680	RFQ	2967	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083752JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	7.5k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X043753GP	0.0240	RFQ	3147	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043753GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	75k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C043134GP	0.0600	RFQ	1777年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043134GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	130k	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X083511JP	0.0226	RFQ	4876	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083511JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	510	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C083514FP	0.0914	RFQ	2907	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083514FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	510k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083151FP	0.0914	RFQ	7425	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083151FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083222JP	0.0680	RFQ	4621	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083222JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.2k	孤立	4	-	-	8	63MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻（（10280）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²