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电阻网络，阵列（，9217）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S42X083684FP	0.0560	RFQ	4668	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083684FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	680k	孤立	4	-	-	8	63MW
766161334GP	1.2910	RFQ	1556年	CTS电阻产品	766	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.154” W （9.90mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	766-161-R330KP	Ear99	8533.21.0010	49	330k	公共汽车	15	-	-	16	80MW
768203472GPTR13	1.2041	RFQ	2892	CTS电阻产品	768	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.540“ l x 0.220” w （13.70mm x 5.59mm）	0.071“（1.80mm）	表面安装	20-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	2,000	4.7k	孤立	10	-	-	20	200MW
S40x043331JP	0.0901	RFQ	1295	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端		±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043331JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	330	孤立	2	-	-	4	31mw
S42C083914JP	0.0680	RFQ	4202	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083914JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	910k	孤立	4	-	-	8	63MW
741C083332JP	0.0184	RFQ	3375	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.020“（0.50mm）	表面安装	0804，凹形，长边终端	741C083	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	3.3k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083151GP	0.0495	RFQ	1367	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083151GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083132GP	0.0813	RFQ	7751	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083132GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1.3k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083105JP	0.0412	RFQ	2161	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083105JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1m	孤立	4	-	-	8	63MW
741C083154JP	0.0184	RFQ	2936	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.020“（0.50mm）	表面安装	0804，凹形，长边终端	741C083	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	150k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C043470JP	0.0508	RFQ	8309	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043470JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	47	孤立	2	-	-	4	63MW
743C08349R9FP	-	RFQ	6647	CTS电阻产品	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		60-743C08349R9FPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
S40X043114JP	0.0901	RFQ	4609	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端		±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043114JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	110k	孤立	2	-	-	4	31mw
S42C043272FP	0.0693	RFQ	2749	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043272FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.7k	孤立	2	-	-	4	63MW
743C043222JP	-	RFQ	9794	CTS电阻产品	743	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	-	0.100“ l x 0.079” W（2.54mm x 2.00mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	1008，凹形，长边终端		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	2.2k	孤立	2	-	-	4	100MW
RT1417B7TR13	-	RFQ	5162	CTS电阻产品	Clearone™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±1％	-55°C〜125°C	PCI，PCIX	0.315“ LX 0.118” W（8.00mm x 3.00mm）	0.053“（1.34mm）	表面安装	24-LBGA		±200ppm/°C	24-BGA（8x3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	4.7k	双重终结者	16	-	-	24	50MW
766143272GPTR13	1.1757	RFQ	4023	CTS电阻产品	766	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.341“ LX 0.154” W（8.65mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	3,000	2.7k	孤立	7	-	-	14	160MW
753163182GPTR7	2.0285	RFQ	5759	CTS电阻产品	753	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.245“ l x 0.080” W（6.22mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	16-DRT		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	1.8K	孤立	8	-	-	16	80MW
767161102JPTR13	-	RFQ	5246	CTS电阻产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		60-767161102JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	2,000
S41C083203FP	0.0653	RFQ	2977	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083203FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	20k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C043222GP	0.0600	RFQ	9674	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043222GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.2k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083364GP	0.0813	RFQ	5475	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083364GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	360k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C043181JP	0.0508	RFQ	6451	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043181JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	180	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X083113GP	0.0269	RFQ	5039	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083113GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	11k	孤立	4	-	-	8	31mw
752083101GPTR7	1.4693	RFQ	2107	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.465“ l x 0.080” W（11.81mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	8-srt		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	100	孤立	4	-	-	8	160MW
770103470p	0.6528	RFQ	8996	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	1.000“ LX 0.098” W （25.40mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	10-sip		±100ppm/°C	10-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-103-R47p	Ear99	8533.21.0050	1,000	47	孤立	5	-	-	10	100MW
S42C083754FP	0.0914	RFQ	4785	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083754FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	750k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X043910FP	0.0283	RFQ	9677	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043910FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	91	孤立	2	-	-	4	63MW
770101511p	0.7800	RFQ	1	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	1.000“ LX 0.098” W （25.40mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	10-sip		±100ppm/°C	10-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-101-R510p	Ear99	8533.21.0050	1,000	510	公共汽车	9	-	-	10	100MW
752091224GPTR7	1.5389	RFQ	3094	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.515“ l x 0.080” w （13.08mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	9-SRT		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	220k	公共汽车	8	-	-	9	80MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻网络，阵列（，9217）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²