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电阻网络，阵列（，9217）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S41C083243JP	0.0481	RFQ	2746	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083243JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	24k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42X083221JP	0.0412	RFQ	5983	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083221JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	220	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C043824JP	0.0508	RFQ	8381	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043824JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	820k	孤立	2	-	-	4	63MW
752161104GP	1.6934	RFQ	2946	CTS电阻产品	752	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.465“ l x 0.080” W（11.81mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	16-DRT		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	250	100k	公共汽车	14	-	-	16	80MW
S42C163362JP	0.1518	RFQ	8666	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163362JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	3.6k	孤立	8	-	-	16	63MW
767163152G	-	RFQ	1299	CTS电阻产品	767	管子	过时的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.440“ l x 0.220” W（11.18mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	43	1.5k	孤立	8	-	-	16	200MW
S41C083180JP	0.0481	RFQ	2098	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083180JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	18	孤立	4	-	-	8	31.25MW
RT1401B7TR13	-	RFQ	4095	CTS电阻产品	Clearone™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM	0.354“ LX 0.118” W （9.00mm x 3.00mm）	0.053“（1.34mm）	表面安装	27-LBGA		±200ppm/°C	27-BGA（9x3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	22，25	双重终结者	18	-	-	27	50MW
77063221p	0.6179	RFQ	7394	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.600“ l x 0.098” w （15.24mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	6-sip		±100ppm/°C	6-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-63-R220p	Ear99	8533.21.0050	1,000	220	孤立	3	-	-	6	100MW
S41X083431JP	0.0226	RFQ	4177	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083431JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	430	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C163471JP	0.1518	RFQ	7492	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163471JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	470	孤立	8	-	-	16	63MW
768201224GPTR13	1.2041	RFQ	4241	CTS电阻产品	768	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.540“ l x 0.220” w （13.70mm x 5.59mm）	0.071“（1.80mm）	表面安装	20-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	2,000	220k	公共汽车	19	-	-	20	100MW
743C083150JP	-	RFQ	3597	CTS电阻产品	743	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	-	0.200“ l x 0.079” W（5.08mm x 2.00mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	2008年，凹形，长边终端		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	743C083150JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	15	孤立	4	-	-	8	100MW
S41X083682JP	0.0226	RFQ	6834	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083682JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	6.8k	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C043472GP	0.0600	RFQ	9847	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043472GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	4.7k	孤立	2	-	-	4	63MW
740x043330jp	0.0600	RFQ	1587年	CTS电阻产品	740	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.031“ LX 0.024” W（0.80mm x 0.60mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端	740x043	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	33	孤立	2	-	-	4	31mw
766141822GPTR7	1.2910	RFQ	7408	CTS电阻产品	766	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.341“ LX 0.154” W（8.65mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	800	8.2k	公共汽车	13	-	-	14	80MW
767163223GP	1.2132	RFQ	1778年	CTS电阻产品	767	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.440“ l x 0.220” W（11.18mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	767-163-R22KP	Ear99	8533.21.0010	43	22k	孤立	8	-	-	16	200MW
S42C163131GP	0.1813	RFQ	1537年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163131GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	130	孤立	8	-	-	16	63MW
S41C083822GP	0.0560	RFQ	1594年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083822GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	8.2k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
766161511GPTR13	1.1757	RFQ	5400	CTS电阻产品	766	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.154” W （9.90mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	3,000	510	公共汽车	15	-	-	16	80MW
S42C163330GP	0.1813	RFQ	1974年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163330GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	33	孤立	8	-	-	16	63MW
S42C043151JP	0.0508	RFQ	1184	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043151JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150	孤立	2	-	-	4	63MW
S41C083124JP	0.0481	RFQ	2527	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083124JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	120k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
RT234B7TR13	-	RFQ	5049	CTS电阻产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	-	-	-	-		-	-	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8533.21.0020	4,000	-	-		-	-		-
S41X043120FP	0.0283	RFQ	5312	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043120FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	12	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X043753JP	0.0198	RFQ	4099	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043753JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	75k	孤立	2	-	-	4	63MW
S40X043223JP	0.0901	RFQ	8884	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端		±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043223JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	22k	孤立	2	-	-	4	31mw
S42C163332JP	0.1518	RFQ	4124	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163332JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	3.3k	孤立	8	-	-	16	63MW
768143223GP	1.2132	RFQ	4365	CTS电阻产品	768	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.071“（1.80mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	48	22k	孤立	7	-	-	14	200MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻网络，阵列（，9217）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²