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电阻网络，阵列（，9217）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S41C083221FP	0.0653	RFQ	9249	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083221FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	220	孤立	4	-	-	8	31.25MW
742C163270JP	0.0970	RFQ	7904	CTS电阻产品	742	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	742C163	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	27	孤立	8	-	-	16	63MW
766143473GPTR13	1.1757	RFQ	8054	CTS电阻产品	766	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.341“ LX 0.154” W（8.65mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	3,000	47k	孤立	7	-	-	14	160MW
767161334GP	1.2132	RFQ	9121	CTS电阻产品	767	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.440“ l x 0.220” W（11.18mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	767-161-R330KP	Ear99	8533.21.0010	43	330k	公共汽车	15	-	-	16	100MW
766141512GP	1.2910	RFQ	2719	CTS电阻产品	766	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.341“ LX 0.154” W（8.65mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	766-141-R5.1KP	Ear99	8533.21.0010	56	5.1k	公共汽车	13	-	-	14	80MW
S42X083181JP	0.0412	RFQ	5249	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083181JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	180	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X083182GP	0.0269	RFQ	4053	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083182GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.8K	孤立	4	-	-	8	31mw
752181103GPTR7	1.6934	RFQ	6675	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.515“ l x 0.080” w （13.08mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	18-drt		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	10k	公共汽车	16	-	-	18	80MW
S42C163121JP	0.1518	RFQ	4758	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163121JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	120	孤立	8	-	-	16	63MW
741x043330JP	0.1000	RFQ	52	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	741x043	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	33	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083132JP	0.0680	RFQ	4414	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083132JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1.3k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083180FP	0.0560	RFQ	4768	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083180FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	18	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083751FP	0.0560	RFQ	7464	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083751FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	750	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X083101GP	0.0269	RFQ	3741	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083101GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	100	孤立	4	-	-	8	31mw
S41X083362JP	0.0226	RFQ	2251	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083362JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	3.6k	孤立	4	-	-	8	31mw
752103472GP	1.4693	RFQ	3989	CTS电阻产品	752	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.565“ l x 0.080” w （14.35mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	10-srt		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	250	4.7k	孤立	5	-	-	10	160MW
S42C083561GP	0.0813	RFQ	7425	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083561GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	560	孤立	4	-	-	8	63MW
77083184p	0.6300	RFQ	1496年	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.800“ LX 0.098” W （20.32mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	8-sip		±100ppm/°C	8-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-83-R180KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	180k	孤立	4	-	-	8	100MW
744C043223JP	-	RFQ	7991	CTS电阻产品	744	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	-	0.126“ l x 0.100” W 3.20mm x 2.54mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	1210 （3225公制），凹	744C043	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	22k	孤立	2	-	-	4	125MW
S42C083391FP	0.0914	RFQ	3393	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083391FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	390	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083333JP	0.0412	RFQ	5797	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083333JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	33k	孤立	4	-	-	8	63MW
752243330GP	1.6161	RFQ	6418	CTS电阻产品	752	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.665“ l x 0.080” w（16.89mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	24-DRT		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	250	33	孤立	12	-	-	24	160MW
S42C043151GP	0.0600	RFQ	4492	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043151GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150	孤立	2	-	-	4	63MW
77061682p	0.6488	RFQ	1971年	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.600“ l x 0.098” w （15.24mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	6-sip		±100ppm/°C	6-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-61-R6.8KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	6.8k	公共汽车	5	-	-	6	100MW
S41X083911JP	0.0226	RFQ	5878	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083911JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	910	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C083511FP	0.0914	RFQ	6819	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083511FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	510	孤立	4	-	-	8	63MW
745C101152JP	0.1408	RFQ	9520	CTS电阻产品	745	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ LX 0.126” W（6.40mm x 3.20mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	2512 （6432公制），凹形，长边终端	745C101	±250ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	1.5k	公共汽车	8	-	-	10	63MW
S41X083133JP	0.0226	RFQ	9453	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083133JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	13k	孤立	4	-	-	8	31mw
S41C083131GP	0.0560	RFQ	5228	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083131GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	130	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S41X083434FP	0.0311	RFQ	7162	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083434FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	430k	孤立	4	-	-	8	31mw

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻网络，阵列（，9217）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²