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![]() | S41X083162FP | 0.0311 | ![]() | 2767 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083162FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1.6k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw | |
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![]() | S41X043162GP | 0.0240 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.039“ l x 0.039” w(1.00mm x 1.00mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0404(1010吨),凸 | ±200ppm/°C | 0404 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X043162GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1.6k | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C083152FP | 0.0914 | ![]() | 6716 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083152FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.5k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C043121GP | 0.0600 | ![]() | 6170 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.063“ lx 0.063” W(1.60mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 0606,凹面 | ±200ppm/°C | 0606 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C043121GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 120 | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C043911FP | 0.0693 | ![]() | 1587年 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.063“ lx 0.063” W(1.60mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 0606,凹面 | ±200ppm/°C | 0606 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C043911FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 910 | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S41C083201GP | 0.0560 | ![]() | 5308 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41C083201GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 200 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |
![]() | S42X083201JP | 0.0412 | ![]() | 4062 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.024“(0.60mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凸,长端端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42X083201JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 200 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X043202FP | 0.0283 | ![]() | 4154 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.039“ l x 0.039” w(1.00mm x 1.00mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0404(1010吨),凸 | ±200ppm/°C | 0404 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X043202FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 2k | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
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![]() | S40X043240JP | 0.0901 | ![]() | 6722 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.033“ LX 0.024” W(0.85mm x 0.60mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0302 (0805公制),凸,长边终端,长边终端 | ±200ppm/°C | 0302 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S40X043240JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 24 | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 31mw | |
![]() | S42C083240GP | 0.0813 | ![]() | 6740 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083240GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 24 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
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![]() | S41X083154GP | 0.0269 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083154GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 150k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw | |
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![]() | S41X043105FP | 0.0283 | ![]() | 3129 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.039“ l x 0.039” w(1.00mm x 1.00mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0404(1010吨),凸 | ±200ppm/°C | 0404 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X043105FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1m | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S41X043563FP | 0.0283 | ![]() | 6331 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.039“ l x 0.039” w(1.00mm x 1.00mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0404(1010吨),凸 | ±200ppm/°C | 0404 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X043563FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 56k | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
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![]() | S41X083753GP | 0.0269 | ![]() | 1737年 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083753GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 75k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw |
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