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电阻网络，阵列（，9217）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S41C083362JP	0.0481	RFQ	7950	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083362JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	3.6k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
768143154GP	1.2132	RFQ	1009	CTS电阻产品	768	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.071“（1.80mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	48	150k	孤立	7	-	-	14	200MW
767161471JP	-	RFQ	4074	CTS电阻产品	-	管子	过时的											下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		60-767161471JP	Ear99	8533.21.0020	43
S42C043431GP	0.0600	RFQ	8191	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043431GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	430	孤立	2	-	-	4	63MW
767163683GPTR13	1.1899	RFQ	1027	CTS电阻产品	767	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.440“ l x 0.220” W（11.18mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	2,000	68k	孤立	8	-	-	16	200MW
RT2300B6TR7	-	RFQ	2512	CTS电阻产品	Clearone™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±1％	-55°C〜125°C	LVD SCSI	0.450“ l x 0.200” W（11.43mm x 5.08mm）	0.058“（1.47mm）	表面安装	36-LBGA		±200ppm/°C	36-BGA （11.43x5.08）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	121，475	双重终结者	27	-	-	36	50MW
767141474GP	1.1988	RFQ	8140	CTS电阻产品	767	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	767-141-R470KP	Ear99	8533.21.0010	48	470k	公共汽车	13	-	-	14	100MW
S42C043160FP	0.0693	RFQ	7549	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043160FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	16	孤立	2	-	-	4	63MW
767163103GP	2.8200	RFQ	1	CTS电阻产品	767	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.440“ l x 0.220” W（11.18mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	767-163-R10KP	Ear99	8533.21.0010	43	10k	孤立	8	-	-	16	200MW
752081472GPTR13	1.2166	RFQ	7187	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.465“ l x 0.080” W（11.81mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	8-srt		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	3,000	4.7k	公共汽车	7	-	-	8	80MW
S41X083391GP	0.0269	RFQ	8099	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083391GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	390	孤立	4	-	-	8	31mw
766163220GPTR13	1.1757	RFQ	4026	CTS电阻产品	766	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.154” W （9.90mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	3,000	22	孤立	8	-	-	16	160MW
S42C043105FP	0.0693	RFQ	9572	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043105FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1m	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083124GP	0.0813	RFQ	2331	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083124GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	120k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C163910JP	0.1518	RFQ	8038	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163910JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	91	孤立	8	-	-	16	63MW
S41X043912JP	0.0198	RFQ	4644	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043912JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	9.1k	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X043104FP	0.0283	RFQ	2909	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043104FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	100k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42X083563JP	0.0412	RFQ	1638年	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083563JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	56k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X043621JP	0.0198	RFQ	9299	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043621JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	620	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083620FP	0.0914	RFQ	1379	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083620FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	62	孤立	4	-	-	8	63MW
RT2250B7TR7	-	RFQ	3625	CTS电阻产品	Clearone™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±1％	-55°C〜125°C	lvpecl	0.315“ LX 0.118” W（8.00mm x 3.00mm）	0.053“（1.34mm）	表面安装	24-LBGA		±200ppm/°C	24-BGA（8x3）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	RT2250B7	Ear99	8533.21.0020	1,000	82.5，127	双重终结者	16	-	-	24	60MW，66MW
767143202G	-	RFQ	2237	CTS电阻产品	767	管子	过时的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	48	2k	孤立	7	-	-	14	200MW
S41X083221GP	0.0269	RFQ	3923	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083221GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	220	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C083303GP	0.0813	RFQ	7380	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083303GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	30k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083433FP	0.0914	RFQ	7015	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083433FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	43k	孤立	4	-	-	8	63MW
753161512GPTR7	2.0794	RFQ	9810	CTS电阻产品	753	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.245“ l x 0.080” W（6.22mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	16-DRT		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	5.1k	公共汽车	14	-	-	16	40MW
S41C083683JP	0.0481	RFQ	8709	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083683JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	68k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
741x043360JP	0.0123	RFQ	6268	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	741x043	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	36	孤立	2	-	-	4	63MW
741x043560J	-	RFQ	8314	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	741x043	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	56	孤立	2	-	-	4	63MW
741x163221jp	0.0655	RFQ	2754	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.156“ l x 0.063” w 3.95mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1506，凸，长边终端	741x163	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	5,000	220	孤立	8	-	-	16	63MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻网络，阵列（，9217）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²