RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

电阻网络，阵列（，9217）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S41X043914GP	0.0240	RFQ	2149	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043914GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	910k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C043392GP	0.0600	RFQ	8093	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043392GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	3.9k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C043821GP	0.0600	RFQ	2180	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043821GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	820	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X043514FP	0.0283	RFQ	7580	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043514FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	510k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083114FP	0.0914	RFQ	1611	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083114FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	110k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083104GP	0.0495	RFQ	5221	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083104GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	100k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X083112FP	0.0311	RFQ	5014	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083112FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.1k	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C083224FP	0.0914	RFQ	3170	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083224FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	220k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C163223GP	0.1813	RFQ	8141	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163223GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	22k	孤立	8	-	-	16	63MW
S41C083153FP	0.0653	RFQ	2232	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083153FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	15k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C043430FP	0.0693	RFQ	7376	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043430FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	43	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X083112JP	0.0226	RFQ	6196	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083112JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.1k	孤立	4	-	-	8	31mw
S41X043823FP	0.0283	RFQ	3213	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043823FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	82k	孤立	2	-	-	4	63MW
S41X083221FP	0.0311	RFQ	2305	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083221FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	220	孤立	4	-	-	8	31mw
S41X043243GP	0.0240	RFQ	3327	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸	±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043243GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	24k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C163105JP	0.1518	RFQ	4436	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163105JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	1m	孤立	8	-	-	16	63MW
S41C083912FP	0.0653	RFQ	2305	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083912FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	9.1k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S41C083390GP	0.0560	RFQ	5645	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083390GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	39	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42X083331JP	0.0412	RFQ	8125	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083331JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	330	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083394GP	0.0495	RFQ	6479	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083394GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	390k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X083111FP	0.0311	RFQ	6697	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083111FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	110	孤立	4	-	-	8	31mw
S42C043243JP	0.0508	RFQ	2683	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043243JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	24k	孤立	2	-	-	4	63MW
S41C083820FP	0.0653	RFQ	4034	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端	±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083820FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	82	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42X083823FP	0.0560	RFQ	5561	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083823FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	82k	孤立	4	-	-	8	63MW
S40X043302JP	0.0901	RFQ	2885	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端	±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043302JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	3k	孤立	2	-	-	4	31mw
S42X083274JP	0.0412	RFQ	5243	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083274JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	270k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C163221JP	0.1518	RFQ	3519	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163221JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	220	孤立	8	-	-	16	63MW
S42X083434GP	0.0495	RFQ	1055	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端	±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083434GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	430k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C043200FP	0.0693	RFQ	8419	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面	±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043200FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	20	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C163200JP	0.1518	RFQ	5016	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163200JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	20	孤立	8	-	-	16	63MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻网络，阵列（，9217）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²