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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 尺寸 /尺寸 | 高度 -座位(最大) | 安装类型 | 包装 /案例 | 温度系数 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | ((() | 电路类型 | 电阻数 | 电阻匹配比 | 电阻比率 | 引脚数 | 每个元素的功率 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | RT2400B6 | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | - | 大部分 | 过时的 | - | 60-RT2400B6 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||
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![]() | S41C083304GP | 0.0560 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41C083304GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 300k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |
![]() | S42C083430GP | 0.0813 | ![]() | 1216 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083430GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 43 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | 753241103GP | 2.3505 | ![]() | 4180 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | 753 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | - | 0.345“ LX 0.080” W(8.76mm x 2.03mm) | 0.100“(2.53毫米) | 表面安装 | 24-DRT | ±200ppm/°C | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-753241103GP | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 10k | 公共汽车 | 22 | - | - | 24 | 40MW | |
![]() | S42C083360JP | 0.0680 | ![]() | 6970 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083360JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 36 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083105JP | 0.0680 | ![]() | 2658 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083105JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1m | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C043361FP | 0.0693 | ![]() | 5398 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.063“ lx 0.063” W(1.60mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 0606,凹面 | ±200ppm/°C | 0606 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C043361FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 360 | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42X083914GP | 0.0495 | ![]() | 6144 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.024“(0.60mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凸,长端端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42X083914GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 910k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083750JP | 0.0680 | ![]() | 1850年 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083750JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 75 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42X083564GP | 0.0495 | ![]() | 8749 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.024“(0.60mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凸,长端端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42X083564GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 560k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C163114JP | 0.1518 | ![]() | 8324 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.252“ l x 0.063” W(6.40mm x 1.60mm) | 0.024“(0.60mm) | 表面安装 | 2506,凹形,长边终端 | ±200ppm/°C | 2506 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C163114JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 110k | 孤立 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
![]() | S42X083124GP | 0.0495 | ![]() | 9953 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.024“(0.60mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凸,长端端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42X083124GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 120k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083360FP | 0.0914 | ![]() | 1675年 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083360FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 36 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X043623FP | 0.0283 | ![]() | 2491 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.039“ l x 0.039” w(1.00mm x 1.00mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0404 (1010吨),凸 | ±200ppm/°C | 0404 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X043623FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 62k | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C043390JP | 0.0508 | ![]() | 6214 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.063“ lx 0.063” W(1.60mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 0606,凹面 | ±200ppm/°C | 0606 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C043390JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 39 | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C043364GP | 0.0600 | ![]() | 2602 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.063“ lx 0.063” W(1.60mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 0606,凹面 | ±200ppm/°C | 0606 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C043364GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 360k | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C163561GP | 0.1813 | ![]() | 5529 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.252“ l x 0.063” W(6.40mm x 1.60mm) | 0.024“(0.60mm) | 表面安装 | 2506,凹形,长边终端 | ±200ppm/°C | 2506 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C163561GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 560 | 孤立 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
![]() | S41X083683JP | 0.0226 | ![]() | 3707 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083683JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 68k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw | |
![]() | S41X043270JP | 0.0198 | ![]() | 9330 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.039“ l x 0.039” w(1.00mm x 1.00mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0404 (1010吨),凸 | ±200ppm/°C | 0404 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X043270JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 27 | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW |
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