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![]() | S41C083300GP | 0.0560 | ![]() | 3755 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41C083300GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 30 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||
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![]() | S41X083301JP | 0.0226 | ![]() | 9860 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083301JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 300 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw | ||
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![]() | S42C083240GP | 0.0813 | ![]() | 6740 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm) | 0.022“(0.55mm) | 表面安装 | 1206 (3216公制),凹形,长端终端 | ±200ppm/°C | 1206 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C083240GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 24 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
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![]() | S41X043563FP | 0.0283 | ![]() | 6331 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.039“ l x 0.039” w(1.00mm x 1.00mm) | 0.016“(0.40mm) | 表面安装 | 0404 (1010吨),凸 | ±200ppm/°C | 0404 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X043563FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 56k | 孤立 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | S41X083753GP | 0.0269 | ![]() | 1737年 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083753GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 75k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw |
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