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![]() | S42C163111JP | 0.1518 | ![]() | 6923 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.252“ l x 0.063” W(6.40mm x 1.60mm) | 0.024“(0.60mm) | 表面安装 | 2506,凹形,长边终端 | ±200ppm/°C | 2506 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S42C163111JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 110 | 孤立 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
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![]() | S41X083910GP | 0.0269 | ![]() | 3319 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083910GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 91 | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw | |
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![]() | S41X083624FP | 0.0311 | ![]() | 5446 | 0.00000000 | CTS电阻产品 | S4x | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C〜125°C | DDR SDRAM,DRAM,MDDR | 0.079“ l x 0.039” W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018“(0.45mm) | 表面安装 | 0804,凸,长边终端 | ±200ppm/°C | 0804 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 60-S41X083624FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 620k | 孤立 | 4 | - | - | 8 | 31mw |
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