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电阻网络，阵列（，9217）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S41X083472GP	0.0269	RFQ	3221	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083472GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	4.7k	孤立	4	-	-	8	31mw
S41X043184JP	0.0198	RFQ	4547	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043184JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	180k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C163513GP	0.1813	RFQ	1361	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163513GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	51k	孤立	8	-	-	16	63MW
S42X083472JP	0.0412	RFQ	8575	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083472JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	4.7k	孤立	4	-	-	8	63MW
77081333p	0.6400	RFQ	1	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.800“ LX 0.098” W （20.32mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	8-sip		±100ppm/°C	8-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-81-R33KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	33k	公共汽车	7	-	-	8	100MW
741C083201JP	0.0184	RFQ	5695	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.020“（0.50mm）	表面安装	0804，凹形，长边终端	741C083	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	200	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X083102JP	0.0226	RFQ	7714	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083102JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1k	孤立	4	-	-	8	31mw
752083104JPTR7	-	RFQ	2711	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜125°C	-	0.465“ l x 0.080” W（11.81mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	8-srt		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	100k	孤立	4	-	-	8	160MW
S41C083513GP	0.0560	RFQ	2828	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083513GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	51k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C083820JP	0.0680	RFQ	1209	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083820JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	82	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083122JP	0.0412	RFQ	9961	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083122JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1.2k	孤立	4	-	-	8	63MW
752103103GPTR13	1.2166	RFQ	1396	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.565“ l x 0.080” w （14.35mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	10-srt		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	3,000	10k	孤立	5	-	-	10	160MW
S42C083682FP	0.0914	RFQ	2650	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083682FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	6.8k	孤立	4	-	-	8	63MW
RT1450B6TR13	-	RFQ	4279	CTS电阻产品	Clearone™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±1％	-55°C〜125°C	GTL，GTL+，AGTL+	0.150“ l x 0.150” W（3.81mm x 3.81mm）	0.058“（1.47mm）	表面安装	9-LBGA		±100ppm/°C	9-BGA（3.81x3.81）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	25	双重终结者	8	-	-	9	50MW
RT1400B	-	RFQ	7636	CTS电阻产品	Clearone™	大部分	过时的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM	0.450“ l x 0.150” W（11.43mm x 3.81mm）	0.058“（1.47mm）	表面安装	27-LBGA		±200ppm/°C	27-BGA （11.43x3.81）	-	Rohs不合规	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1	25、50	双重终结者	18	-	-	27	50MW
S41X083752JP	0.0226	RFQ	2171	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083752JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	7.5k	孤立	4	-	-	8	31mw
752103472GPTR13	1.2166	RFQ	8236	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.565“ l x 0.080” w （14.35mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	10-srt		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	3,000	4.7k	孤立	5	-	-	10	160MW
S41X083820JP	0.0226	RFQ	3559	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083820JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	82	孤立	4	-	-	8	31mw
S41C083220GP	0.0560	RFQ	4695	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083220GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	22	孤立	4	-	-	8	31.25MW
766163100Jptr7	-	RFQ	5256	CTS电阻产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		60-766163100Jptr7tr	Ear99	8533.21.0020	800
S42C163113JP	0.1518	RFQ	2519	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163113JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	11k	孤立	8	-	-	16	63MW
767141472GP	2.8400	RFQ	686	CTS电阻产品	767	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	767-141-R4.7KP	Ear99	8533.21.0010	48	4.7k	公共汽车	13	-	-	14	100MW
S41C083624GP	0.0560	RFQ	9337	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083624GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	620k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
767143101GP	1.1988	RFQ	3953	CTS电阻产品	767	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	767-143-R100p	Ear99	8533.21.0010	48	100	孤立	7	-	-	14	200MW
S41X043331FP	0.0283	RFQ	3196	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043331FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	330	孤立	2	-	-	4	63MW
767161270GPTR13	1.1899	RFQ	5224	CTS电阻产品	767	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.440“ l x 0.220” W（11.18mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	2,000	27	公共汽车	15	-	-	16	100MW
S41X083394GP	0.0269	RFQ	6800	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083394GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	390k	孤立	4	-	-	8	31mw
77081824	-	RFQ	9481	CTS电阻产品	770	大部分	过时的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.800“ LX 0.098” W （20.32mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	8-sip		±100ppm/°C	8-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8533.21.0050	250	820k	公共汽车	7	-	-	8	100MW
767143470GP	1.1988	RFQ	8347	CTS电阻产品	767	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	767-143-R47p	Ear99	8533.21.0010	48	47	孤立	7	-	-	14	200MW
767141221GPTR13	1.1757	RFQ	4505	CTS电阻产品	767	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.093“（2.36mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	2,000	220	公共汽车	13	-	-	14	100MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻网络，阵列（，9217）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²