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电阻网络，阵列（，9217）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	温度系数	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电路类型	电阻数	电阻匹配比	电阻比率	引脚数	每个元素的功率
S41X083122JP	0.0226	RFQ	7340	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X083122JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.2k	孤立	4	-	-	8	31mw
S42X083154GP	0.0495	RFQ	6642	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083154GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41C083752GP	0.0560	RFQ	7138	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083752GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	7.5k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C163431GP	0.1813	RFQ	2715	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163431GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	430	孤立	8	-	-	16	63MW
RT2500B7TR13	-	RFQ	7160	CTS电阻产品	-	大部分	过时的											-				60-RT2500B7TR13	过时的		1
S42C043224JP	0.0508	RFQ	6971	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043224JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	220k	孤立	2	-	-	4	63MW
768143274GPTR13	1.1899	RFQ	7974	CTS电阻产品	768	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.220” W （9.91mm x 5.59mm）	0.071“（1.80mm）	表面安装	14-Soic（0.220英寸，宽度为5.59mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0010	2,000	270k	孤立	7	-	-	14	200MW
77083224p	0.6300	RFQ	1341	CTS电阻产品	770	大部分	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.800“ LX 0.098” W （20.32mm x 2.50mm）	0.195“（4.95mm）	通过洞	8-sip		±100ppm/°C	8-sip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	770-83-R220kp	Ear99	8533.21.0050	1,000	220k	孤立	4	-	-	8	100MW
S41C083224GP	0.0560	RFQ	8180	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083224GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	220k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42X083473GP	0.0495	RFQ	8552	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083473GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	47k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42X083361GP	0.0495	RFQ	7103	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083361GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	360	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X043433FP	0.0283	RFQ	4611	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043433FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	43k	孤立	2	-	-	4	63MW
S40X043244JP	0.0901	RFQ	5159	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.033“ LX 0.024” W（0.85mm x 0.60mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0302 （0805公制），凸，长边终端，长边终端		±200ppm/°C	0302	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S40X043244JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	240k	孤立	2	-	-	4	31mw
S42C083514GP	0.0813	RFQ	4474	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083514GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	510k	孤立	4	-	-	8	63MW
S41C083332FP	0.0653	RFQ	8140	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083332FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	3.3k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
S42C083331FP	0.0914	RFQ	7714	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083331FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	330	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C083753FP	0.0914	RFQ	2257	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083753FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	75k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C043274GP	0.0600	RFQ	9188	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043274GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	270k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C163152GP	0.1813	RFQ	7053	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端		±200ppm/°C	2506	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C163152GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	1.5k	孤立	8	-	-	16	63MW
S41X043103GP	0.0240	RFQ	3502	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043103GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	10k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42X083390FP	0.0560	RFQ	3254	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.024“（0.60mm）	表面安装	1206 （3216公制），凸，长端端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42X083390FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	39	孤立	4	-	-	8	63MW
741C083680JP	0.0184	RFQ	5826	CTS电阻产品	741	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	汽车AEC-Q200，DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.020“（0.50mm）	表面安装	0804，凹形，长边终端	741C083	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	10,000	68	孤立	4	-	-	8	63MW
S41X043914JP	0.0198	RFQ	3624	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.039“ l x 0.039” w（1.00mm x 1.00mm）	0.016“（0.40mm）	表面安装	0404 （1010吨），凸		±200ppm/°C	0404	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41X043914JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	910k	孤立	2	-	-	4	63MW
742C163105JP	0.5800	RFQ	7406	CTS电阻产品	742	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.252“ l x 0.063” W（6.40mm x 1.60mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	2506，凹形，长边终端	742C163	±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	4,000	1m	孤立	8	-	-	16	63MW
766163683GP	2.8600	RFQ	3945	CTS电阻产品	766	管子	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.390“ l x 0.154” W （9.90mm x 3.90mm）	0.069“（1.75mm）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）		±100ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	766-163-R68KP	Ear99	8533.21.0010	49	68k	孤立	8	-	-	16	160MW
S41C083682FP	0.0653	RFQ	1462	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.079“ l x 0.039” W （2.00mm x 1.00mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	0804，凸，长边终端		±200ppm/°C	0804	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S41C083682FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	6.8k	孤立	4	-	-	8	31.25MW
752091222GPTR7	3.0700	RFQ	2	CTS电阻产品	752	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜125°C	-	0.515“ l x 0.080” w （13.08mm x 2.03mm）	0.100“（2.53毫米）	表面安装	9-SRT		±200ppm/°C	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8533.21.0020	1,000	2.2k	公共汽车	8	-	-	9	80MW
S42C083164FP	0.0914	RFQ	1471	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083164FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	160k	孤立	4	-	-	8	63MW
S42C043624JP	0.0508	RFQ	3506	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.063“ lx 0.063” W（1.60mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	0606，凹面		±200ppm/°C	0606	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C043624JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	620k	孤立	2	-	-	4	63MW
S42C083272JP	0.0680	RFQ	3150	CTS电阻产品	S4x	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜125°C	DDR SDRAM，DRAM，MDDR	0.126“ l x 0.063” w 3.20mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	1206 （3216公制），凹形，长端终端		±200ppm/°C	1206	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	60-S42C083272JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.7k	孤立	4	-	-	8	63MW

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

电阻网络，阵列（，9217）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²