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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 尺寸 /尺寸 包装 /案例 基本产品编号 颜色 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 显示类型 Millicandela等级 电压 -向前（ -vf）（类型） 当前 -测试 波长 -峰 （（（） 字符数 数字/α大小 常见的别针
LA-401VN Rohm Semiconductor LA-401VN 3.5100
RFQ
 ECAD 3419 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 0.512“ HX 0.378” WX 0.276“ d（13.00mm x 9.60mm x 7.00mm） 10 DIP （0.300英寸，7.62mm） LA-401 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 120 7细分 16mcd 2V 10mA 650nm 40MW 1 0.40“（10.16毫米） 普通阴极
LAP-301ML Rohm Semiconductor LAP-301毫升 1.9842
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Rohm半导体 LAP-301 B/L。 大部分 积极的 0.433“ HX 0.276” WX 0.197” D（11.00mm x 7.00mm x 5.00mm） 10浸（0.209“，5.30毫米） LAP-301 绿色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 lap301ml Ear99 8541.41.0000 160 7细分 100mcd 1.9V 10mA 572nm 448MW 1 0.31“（8.00mm） 普通阴极
LAP-401VN Rohm Semiconductor LAP-401VN 3.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 LAP-41 D/N。 大部分 积极的 0.512“ HX 0.378” WX 0.276“ d（13.00mm x 9.60mm x 7.00mm） 10 DIP （0.300英寸，7.62mm） LAP-401 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 LAP401VN Ear99 8541.41.0000 120 7细分 36mcd 1.9V 10mA 650nm 448MW 1 0.40“（10.16毫米） 普通阴极
LA-301EB Rohm Semiconductor LA-301EB 2.4094
RFQ
 ECAD 5786 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 0.433“ HX 0.276” WX 0.197” D（11.00mm x 7.00mm x 5.00mm） 10浸（0.209“，5.30毫米） LA-301 橙子 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 160 7细分 90MCD 2.05V 10mA 610nm 65MW 1 0.31“（8.00mm） 普通阳极
LA-401AD Rohm Semiconductor LA-401AD 4.4300
RFQ
 ECAD 462 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 0.512“ HX 0.378” WX 0.276“ d（13.00mm x 9.60mm x 7.00mm） 10 DIP （0.300英寸，7.62mm） LA-401 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 120 7细分 90MCD 2.05V 10mA 626nm 65MW 1 0.40“（10.16毫米） 普通阳极
LAP-601VL Rohm Semiconductor LAP-601VL 4.0600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm半导体 LAP-601 B/L。 大部分 积极的 0.748“ HX 0.492” WX 0.315“ D （19.00mm x 12.50mm x 8.00mm） 10浸dip（0.400英寸，10.16毫米） LAP-601 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 60 7细分 36mcd 1.9V 10mA 650nm 448MW 1 0.58“ （14.60mm） 普通阴极
LA-501VD Rohm Semiconductor LA-501VD 2.8075
RFQ
 ECAD 3025 0.00000000 Rohm半导体 LA-501DN 大部分 积极的 0.689“ h x 0.492” w x 0.276“ d（17.50mm x 12.50mm x 7.00mm） 10浸dip（0.400英寸，10.16毫米） LA-501 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 LA501VD Ear99 8541.41.0000 60 7细分 16mcd 2V 10mA 650nm 480MW 1 0.51“ （13.00mm） 普通阳极
LB-302VF Rohm Semiconductor LB-302VF 4.1199
RFQ
 ECAD 3319 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 0.591“ HX 0.610” WX 0.283“ D （15.00mm x 15.50mm x 7.20mm） 10浸dip（0.400英寸，10.16毫米） LB-302 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 500 7细分 6.3mcd 2V 10mA 650nm 50MW 2 0.30“（7.62mm） 普通阳极
LF-301MK Rohm Semiconductor LF-301MK -
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0.433“ HX 0.268” WX 0.197“ d（11.00mm x 6.80mm x 5.00mm） 10-SMD，没有铅 LF-301 绿色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 1,000 7细分 10mcd 2.1V 10mA 563nm 60mw 1 0.31“（8.00mm） 普通阴极
LA-301EL Rohm Semiconductor LA-301EL 4.0800
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 0.433“ HX 0.276” WX 0.197” D（11.00mm x 7.00mm x 5.00mm） 10浸（0.209“，5.30毫米） LA-301 橙子 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 160 7细分 90MCD 2.05V 10mA 610nm 65MW 1 0.31“（8.00mm） 普通阴极
LB-602VK2 Rohm Semiconductor LB-602VK2 4.4700
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 Rohm半导体 - 托盘 积极的 0.748“ HX 0.984” WX 0.315“ D （19.00mm x 25.00mm x 8.00mm） 18浸 LB-602 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 300 7细分 16mcd 2V 10mA 650nm 60mw 2 0.56“ （14.30mm） 普通阴极
LB-402MD Rohm Semiconductor LB-402MD 7.5600
RFQ
 ECAD 6513 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 0.709“ h x 0.945” WX 0.276“ d（ 18.00mm x 24.00mm x 7.00mm） 18浸 LB-402 绿色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 300 7细分 25mcd 2.1V 10mA 563nm 60mw 2 0.40“（10.16毫米） 普通阳极
LBP-602MK2 Rohm Semiconductor LBP-602MK2 7.9900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Rohm半导体 LBP-602 A/K2 大部分 积极的 0.748“ HX 0.984” WX 0.315“ D （19.00mm x 25.00mm x 8.00mm） 18 浸（0.600英寸，15.24毫米） LBP-602 绿色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 300 7细分 100mcd 1.9V 20mA 572nm 56MW 2 0.56“ （14.30mm） 普通阴极
LB-203MLL Rohm Semiconductor LB-203mll -
RFQ
 ECAD 4190 0.00000000 Rohm半导体 * 大部分 过时的 LB-203 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-LB-203mll Ear99 8541.41.0000 1
LA-601MB Rohm Semiconductor LA-601MB 2.7300
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 0.748“ HX 0.492” WX 0.315“ D （19.00mm x 12.50mm x 8.00mm） 10浸dip（0.400英寸，10.16毫米） LA-601 绿色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 60 7细分 22mcd 2.1V 10mA 563nm 60mw 1 0.58“ （14.60mm） 普通阳极
LAP-601DB Rohm Semiconductor LAP-601DB 6.2800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Rohm半导体 l 大部分 积极的 0.748“ HX 0.492” WX 0.315“ D （19.00mm x 12.50mm x 8.00mm） 10次dip （0.600英寸，15.24毫米） LAP-601 橙子 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 846-LAP-601DB Ear99 8541.41.0000 60 7细分 250mcd 1.9V 10mA 605nm 448MW 1 0.57“ （14.60mm） 普通阳极
LAP-401DN Rohm Semiconductor LAP-401DN 2.8900
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Rohm半导体 LAP-41 D/N。 大部分 积极的 0.512“ HX 0.378” WX 0.276“ d（13.00mm x 9.60mm x 7.00mm） 10 DIP （0.300英寸，7.62mm） LAP-401 橙子 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 120 7细分 250mcd 1.9V 10mA 605nm 448MW 1 0.40“（10.16毫米） 普通阴极
LB-203YLJ Rohm Semiconductor LB-203ylJ -
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 Rohm半导体 * 大部分 过时的 LB-203 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-LB-203ylJ Ear99 8541.41.0000 1
LB-202VLK Rohm Semiconductor LB-202VLK -
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Rohm半导体 * 大部分 过时的 LB-202 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-LB-202VLK Ear99 8541.41.0000 1
LB-203VB Rohm Semiconductor LB-203VB -
RFQ
 ECAD 8622 0.00000000 Rohm半导体 * 大部分 过时的 LB-203 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-LB-203VB Ear99 8541.41.0000 1
LB-202ML Rohm Semiconductor LB-202毫升 -
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 Rohm半导体 * 大部分 过时的 LB-202 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-LB-202ML Ear99 8541.41.0000 1
LB-202MLL Rohm Semiconductor LB-202Mll -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 Rohm半导体 * 大部分 过时的 LB-202 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-LB-202MLL Ear99 8541.41.0000 1
LA-101VK Rohm Semiconductor LA-101VK 23.1200
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Rohm半导体 LA-101AK 大部分 不适合新设计 1.339“ h x 0.945” WX 0.413“ d（34.00mm x 24.00mm x 10.50mm） 10 DIP （1.200英寸，30.48mm） LA-101 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-LA-101VK Ear99 8541.41.0000 100 7细分 10mcd 2V 10mA 650nm 640MW 1 1.00“ （25.40mm） 普通阴极
LAP-401VD Rohm Semiconductor LAP-401VD 5.3200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Rohm半导体 d 大部分 积极的 0.512“ HX 0.378” WX 0.276“ d（13.00mm x 9.60mm x 7.00mm） 10浸dip（0.400英寸，10.16毫米） LAP-401 红色的 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 846-LAP-401VD Ear99 8541.41.0000 120 7细分 36mcd 1.9V 10mA 650nm 448MW 1 0.40“（10.16毫米） 普通阳极
LAP-301VL Rohm Semiconductor LAP-301VL 5.1700
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Rohm半导体 l 大部分 积极的 0.433“ HX 0.276” WX 0.197” D（11.00mm x 7.00mm x 5.00mm） 10 DIP （0.300英寸，7.62mm） LAP-301 红色的 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 846-LAP-301VL Ear99 8541.41.0000 160 7细分 36mcd 1.9V 10mA 650nm 448MW 1 0.32“ 8.00mm） 普通阴极
LB-202VLL Rohm Semiconductor LB-202VLL -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Rohm半导体 * 大部分 过时的 LB-202 - rohs3符合条件 到达不受影响 846-LB-202VLL Ear99 8541.41.0000 1
LB-403VF1 Rohm Semiconductor LB-403VF1 -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Rohm半导体 LB-403F1 大部分 过时的 0.630“ h x 1.024” WX 0.315“ d （16.00mm x 26.00mm x 8.00mm） 20 DIP （0.492英寸，12.50mm） LB-403 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 LB403VF1 Ear99 8541.41.0000 120 7细分 6.3mcd 2V 10mA 650nm 640MW 3 0.39“（10.00mm） 普通阳极
LA-601AB Rohm Semiconductor LA-601AB 4.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 0.748“ HX 0.492” WX 0.315“ D （19.00mm x 12.50mm x 8.00mm） 10浸dip（0.400英寸，10.16毫米） LA-601 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.41.0000 60 7细分 90MCD 2.05V 10mA 626nm 65MW 1 0.58“ （14.60mm） 普通阳极
LB-502VD Rohm Semiconductor LB-502VD 4.9200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm半导体 LB-502DN 大部分 积极的 0.689“ h x 0.984” w x 0.276“ d（17.50mm x 25.00mm x 7.00mm） 18 浸（0.600英寸，15.24毫米） LB-502 红色的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 LB502VD Ear99 8541.41.0000 300 7细分 16mcd 2V 10mA 650nm 960MW 2 0.51“ （13.00mm） 普通阳极
LA-101MA Rohm Semiconductor LA-101MA 23.9800
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Rohm半导体 LA-101AK 大部分 不适合新设计 1.339“ h x 0.945” WX 0.413“ d（34.00mm x 24.00mm x 10.50mm） 10 DIP （1.200英寸，30.48mm） LA-101 绿色的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-LA-101MA Ear99 8541.41.0000 100 7细分 16mcd 2.1V 10mA 563nm 640MW 1 1.00“ （25.40mm） 普通阳极
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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