SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MTFDDAK960TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak960tds-1aw1zabyy -
RFQ
ECAD 2213 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 MTFDDAK960 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTA8ATF1G64HZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64Hz-3G2E1 -
RFQ
ECAD 4950 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 260-Sodimm mta8atf1 下载 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MTFDKCC15T3TFR-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCC15T3TFR-1BC15ABY 2.0000
RFQ
ECAD 3854 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 557-MTFDKCC15T3TFR-1BC15ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 15.36TB 2.5” 6.8GB/s 5.6GB/s -
MT9HTF6472PKY-53EB1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472PKY-53EB1 -
RFQ
ECAD 2222 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
MTFDDAK120MBP-1AN16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak120mbp-16aby -
RFQ
ECAD 1380 0.00000000 微米技术公司 M510DC 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 120GB 2.5” 420MB/s 170MB/s -
MT16JSF51264HZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT16JSF51264Hz-1G4D1 -
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MTFDDAK1T9TGA-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tga-1bc1zabyy 287.7300
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 微米技术公司 5400 大部分 积极的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TGA-1BC1ZABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 -
RFQ
ECAD 5098 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 过时的 100 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
MT18KDF1G72PZ-1G6P1 Micron Technology Inc. MT18KDF1G72PZ-1G6P1 -
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8GB 1600
MTFDDAK1T9TDT-1AW16TAYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tdt-1AW16Tayy -
RFQ
ECAD 2091 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TDT-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABYY Micron Technology Inc. mtfdhba1t0tck-1at1aabyy -
RFQ
ECAD 1659年 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME mtfdhba1 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTA36ASS4G72PF1Z-2G9PR1AB Micron Technology Inc. MTA36ASS4G72PF1Z-2G9PR1AB 969.0000
RFQ
ECAD 6450 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 288-NVDIMM MTA36 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 60 DDR4 SDRAM 32GB 2933
MT8VDDT3264HY-335G3 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264HY-335G3 -
RFQ
ECAD 1631年 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MTFDDAK240MBD-1AK12ITYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240MBD-1AK12ITYY -
RFQ
ECAD 3876 0.00000000 微米技术公司 M500IT 大部分 过时的 -40°C〜85°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.64 盎司((75.22 g) 5V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 240GB 2.5” 500MB/s 250MB/s -
MTA9ADF1G72PZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA9ADF1G72PZ-3G2E1 89.0242
RFQ
ECAD 1647年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 上次购买 288-RDIMM MTA9ADF1 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MT9HTF3272PY-667B1 Micron Technology Inc. MT9HTF3272PY-667B1 -
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 667
MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9qde-2av16fpyy -
RFQ
ECAD 6406 0.00000000 微米技术公司 5210 盒子 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY 过时的 5 (SSD)闪光灯-NAND(QLC) 1.92TB 2.5” 540MB/s 260MB/s -
MTFDDAK240TDS-1AW16TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW16TAYY -
RFQ
ECAD 6873 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDS-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 310MB/s -
MTFDDAA128MAM-1J1 Micron Technology Inc. MTFDDAA128MAM-1J1 -
RFQ
ECAD 6506 0.00000000 微米技术公司 C400 托盘 过时的 0°C〜70°C 78.50mm x 54.00mm x 5.00mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 128GB 1.8” 500MB/s 175MB/s -
MTFDDAV960TDS-1AW16ABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAV960TDS-1AW16ABYY TR -
RFQ
ECAD 8747 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAV960TDS-1AW16ABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MTFDKBA480TDZ-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. mtfdkba480tdz-1az15aby -
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBA480TDZ-1AZ15ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB M.2模块 4.4GB/s 530MB/s -
MTFDDAK3T8TBY-1AR16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak3t8tby-16abyy -
RFQ
ECAD 6258 0.00000000 微米技术公司 5100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A002A1 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBA1T0TCK-1AT15ABYY Micron Technology Inc. mtfdhba1t0tck-1at15aby -
RFQ
ECAD 1194 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME mtfdhba1 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MT9KSF25672PZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT9KSF25672PZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 2GB 1600
MTFDDAK1T9TDT-1AW16HCYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tdt-1AW16Hcyy -
RFQ
ECAD 3340 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TDT-1AW16HCYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAV256TDL-1AW12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV256TDL-1AW12ABYY -
RFQ
ECAD 8462 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 过时的 - - 萨塔三世 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDKBG1T9TDZ-1AZ4DABYY Micron Technology Inc. mtfdkbg1t9tdz-1az4dabyy -
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBG1T9TDZ-1AZ4DABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB M.2模块 4.4GB/s 2GB/s -
MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABFA Micron Technology Inc. mtfdhba1T0TCK-1AT1AABFA -
RFQ
ECAD 4805 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME mtfdhba1 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTFDKCC800TFS-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCC800TFS-1BC15ABY 213.9040
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKCC800TFS-1BC15ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB 2.5” 6.8GB/s 1.4GB/s -
MTFDHBA256TCK-1AS15ABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS15ABYY -
RFQ
ECAD 6438 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME MTFDHBA256 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    15,000 m2

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