SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MTFDKCB1T6TFS-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB1T6TFS-1BC15ABYY 487.1700
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 557-MTFDKCB1T6TFS-1BC15ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.6TB 2.5” 6.8GB/s 2.7GB/s -
MTA001A16BA-005 Micron Technology Inc. MTA001A16BA-005 -
RFQ
ECAD 7975 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - 557-MTA001A16BA-005 过时的 1 - - -
MTFDDAK960QDE-2AV1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak960qde-2av1zabyy -
RFQ
ECAD 2491 0.00000000 微米技术公司 5210 盒子 过时的 - - 萨塔 - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960QDE-2AV1ZABYY 过时的 5 - 960GB - 540MB/s 130MB/s -
MTFDHBE1T6TDG-1AW42ABYY Micron Technology Inc. mtfdhbe1t6tdg-1AW42abyy -
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDHBE1T6TDG-1AW42ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.6TB U.2模块 3GB/s 1.55GB/s -
MT16HTF12864HY-40EB3 Micron Technology Inc. MT16HTF12864HY-40EB3 -
RFQ
ECAD 2714 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
MT8VDDT6464AY-40BDB Micron Technology Inc. MT8VDDT6464AY-40BDB -
RFQ
ECAD 5876 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
MT18JSF51272PDZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PDZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 6671 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2666
MT18KSF51272PDZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PDZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1600
MTFDKBA2T0TGD-1BK15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKBA2T0TGD-1BK15ABY -
RFQ
ECAD 4569 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 - 到达不受影响 557-MTFDKBA2T0TGD-1BK15ABYY 1
MT9VDDT6472Y-265D2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472Y-265D2 -
RFQ
ECAD 4638 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-rdimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 266
MTFDDAV960TDS-1AW1ZTAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAV960TDS-1AW1ZTAYY TR -
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V - 到达不受影响 557-MTFDDAV960TDS-1AW1ZTAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MTA001A08BA-002 Micron Technology Inc. MTA001A08BA-002 -
RFQ
ECAD 7684 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 - - -
MT8HTF6464HDY-53ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HDY-53ED3 -
RFQ
ECAD 6259 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
MTA001C00BA-003 Micron Technology Inc. MTA001C00BA-003 -
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - 557-MTA001C00BA-003 过时的 1 - - -
MTA9ADF1G72PKIZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ADF1G72PKIZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288分时 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2666
MT16VDDT12864AY-40BF2 Micron Technology Inc. MT16VDDT12864AY-40BF2 -
RFQ
ECAD 8406 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 184-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 400
MTFDDAV1T9TDS-1AW16TAYY Micron Technology Inc. mtfddav1t9tds-1AW16Tayy -
RFQ
ECAD 6157 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAV1T9TDS-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBA512TCK-1AS1AABGA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS1AABGA 141.8400
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 积极的 - - NVME MTFDHBA512 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTA36ASF2G72PZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF2G72PZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 8183 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
MT36HVS51272PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT36HVS51272PZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2386 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4GB 667
MT18VDDT6472AG-335G4 Micron Technology Inc. MT18VDDT6472AG-335G4 -
RFQ
ECAD 6321 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 333
MT8HTF6464HY-40EB3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HY-40EB3 -
RFQ
ECAD 1295 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 400
MT18HTS25672RHZ-80EM1 Micron Technology Inc. MT18HTS25672RHZ-80EM1 -
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sordimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2GB 800
MTFDDAK800MBB-1AE1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak800mbb-1ae1zabyy -
RFQ
ECAD 4203 0.00000000 微米技术公司 M500DC 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.20mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 800GB 2.5” 425MB/s 375MB/s -
MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64Hz-3G2E1 -
RFQ
ECAD 3339 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 260-Sodimm MTA16 下载 rohs3符合条件 3(168)) 557-MTA16ATF4G64HZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 3200
MTFDDAK512TBN-1AR15ABDA Micron Technology Inc. MTFDDAK512TBN-15ABDA -
RFQ
ECAD 2529 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 mtfddak512 5V 下载 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB 2.5” 530MB/s 500MB/s -
MTFDCAE001SAF-1D1IT Micron Technology Inc. MTFDCAE001SAF-1D1IT -
RFQ
ECAD 4650 0.00000000 微米技术公司 Realssd™ 大部分 在sic中停产 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.9000 150 Flash -nand(slc) 1GB -
MTFDDAK7T6TDC-1AT16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak7t6tdc-1at16abyy -
RFQ
ECAD 6915 0.00000000 微米技术公司 5200 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 7.68TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAV240TDS-1AW16TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAV240TDS-1AW16TAYY -
RFQ
ECAD 2857 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAV240TDS-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB M.2模块 540MB/s 310MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库