SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT8HTF6464HDY-53EB3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HDY-53EB3 -
RFQ
ECAD 9012 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-1199 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
MT8HTF6464HY-40EB3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HY-40EB3 -
RFQ
ECAD 1295 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 400
MTFDDAV1T0TBN-1AR1ZTAYY Micron Technology Inc. mtfddav1t0tbn-1 ar1ztayy -
RFQ
ECAD 6753 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.30mm 萨塔三世 mtfddav1 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 530MB/s 500MB/s -
MT18KDF51272PDZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PDZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MTA18ASF4G72HZ-2G6B2 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72Hz-2G6B2 -
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 260-Sodimm MTA18 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTA18ASF4G72HZ-2G6B2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 2666
MTFDHBA512TCK-1AS1AABGA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS1AABGA 141.8400
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 积极的 - - NVME MTFDHBA512 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MT9KSF12872AZ-1G6G1 Micron Technology Inc. MT9KSF12872AZ-1G6G1 -
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 1GB 1600
MT18VDVF12872DY-335J1 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872DY-335J1 -
RFQ
ECAD 2659 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-rdimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 333
MTFDDAK960TDT-1AW1ZTAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW1ZTAYY TR -
RFQ
ECAD 4503 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDT-1AW1ZTAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBG800MCG-1AN15ABYY Micron Technology Inc. mtfdhbg800mcg-15aby -
RFQ
ECAD 2131 0.00000000 微米技术公司 7100 盒子 过时的 0°C〜70°C 110.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME 0.42(11.97 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 800GB M.2模块 2.5GB/s 600MB/s -
MTFDDAK7T6TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. mtfddak7t6tds-1AW15aby -
RFQ
ECAD 7439 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak7 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK7T6TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 7.68TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHAK800MCG-1AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhak800mcg-1an1zabyy -
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 微米技术公司 7100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.24mm x 69.85mm x 7.00mm NVME - 12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 4 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 800GB U.2模块 2.5GB/s 900MB/s -
MTFDHAL2T4MCF-1AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhal2t4mcf-1an1zabyy -
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 微米技术公司 9100 大部分 过时的 0°C〜85°C 100.50mm x 69.85mm x 15.00mm NVME - 12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 4 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 2.4TB U.2模块 3.0GB/s 2.0GB/s -
MT36HTF25672FY-53EB3D3 Micron Technology Inc. MT36HTF25672FY-53EB3D3 -
RFQ
ECAD 8847 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-FBDIMM - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 533
MT16KTF1G64HZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64Hz-1G6E1 -
RFQ
ECAD 3684 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1600
MTA18ASF2G72PDZ-2G6H1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-2G6H1 -
RFQ
ECAD 2395 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
MTFDKCC960TDZ-1AZ4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCC960TDZ-1AZ4ZABYY -
RFQ
ECAD 1718年 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKCC960TDZ-1AZ4ZABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 6.5GB/s 1GB/s -
MTA18ADF2G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ADF2G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
MT4HTF1664AY-53EB1 Micron Technology Inc. MT4HTF1664AY-53EB1 59.9189
RFQ
ECAD 7919 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-udimm MT4HTF 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 128MB 533
SMC064BFE6E Micron Technology Inc. SMC064BFE6E -
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8523.51.0000 18 - compactflash® 64MB
MTA144ASQ16G72LSZ-2S6G1 Micron Technology Inc. MTA144ASQ16G72LSZ-2S6G1 -
RFQ
ECAD 1174 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-lrdimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 128GB 2666
MT18VDVF12872DG-335D4 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872DG-335D4 -
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-rdimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 333
MT4HTF3264HY-667A3 Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-667A3 117.7690
RFQ
ECAD 9129 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 200-sodimm MT4HTF - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 667
MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABDA Micron Technology Inc. mtfddak1t0tdl-1aw1zabda 225.0720
RFQ
ECAD 2644 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak1 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTA36ASF4G72PZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 4145 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 32GB 2133
MTFDGAR1T4MAX-1AG1ZABEA Micron Technology Inc. mtfdgar1t4max-1ag1zabea -
RFQ
ECAD 4489 0.00000000 微米技术公司 P420m 托盘 过时的 0°C〜50°C 68.90mm x 167.65mm - 7.2 盎司(204.12 g) 12V - rohs3符合条件 (1 (无限) 3A991B1A 8471.70.9000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 1.4TB PCIE 2.0 3.3GB/s 630MB/s -
MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1 Micron Technology Inc. MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1 3.0000
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MTA144 - (1 (无限) 到达不受影响 557-MTA144ASQ32G72PSZ-3S2B1 Ear99 8473.30.1140 100
MTFDDAK480TDT-1AW1ZTAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDT-1AW1ZTAYY TR -
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK480TDT-1AW1ZTAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB 2.5” 540MB/s 460MB/s -
MTFDHBA1T0TDV-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. mtfdhba1t0tdv-1az15abyy -
RFQ
ECAD 1800 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - NVME - - - 557-MTFDHBA1T0TDV-1AZ15ABYY 过时的 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 3.3GB/s 2.7GB/s -
MTFDDAY256MBF-1AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdday256MBF-1AN1ZABY -
RFQ
ECAD 2681 0.00000000 微米技术公司 M600 大部分 过时的 0°C〜70°C 60.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 256GB M.2模块 560MB/s 510MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库