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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MTFDKBZ3T8TFR-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKBZ3T8TFR-1BC1ZABYY 520.7000
RFQ
ECAD 4909 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKBZ3T8TFR-1BC1ZABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB E1.S 6.8GB/s 5GB/s -
MT36KSF2G72PZ-1G6P1 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G6P1 259.7841
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 240-RDIMM MT36KSF2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
MT36KSF2G72PZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 GB 1333
MTFDDAK240TDS-1AW1ZABBA Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW1ZABBA -
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDS-1AW1ZABBA 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 310MB/s -
MTFDKBA512QFM-1BD15ABYY Micron Technology Inc. mtfdkba512qfm-1bd15aby 87.2400
RFQ
ECAD 1030 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 - - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBA512QFM-1BD15ABYY 1 (SSD)闪光灯-NAND(QLC) 512GB M.2模块 4.2GB/s 1.8GB/s -
MTFDDAK256TDL-1AW1ZABDA Micron Technology Inc. mtfddak256tdl-1aw1zabda 81.3616
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAK256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MT4HTF3264HY-40EB3 Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-40EB3 -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm MT4HTF - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 400
MT8KTF12864HZ-1G1G1 Micron Technology Inc. MT8KTF12864Hz-1G1G1 31.3681
RFQ
ECAD 9972 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 DDR3L SDRAM 1GB 1066
MTSD128AHC6MS-1WT Micron Technology Inc. MTSD128AHC6MS-1WT -
RFQ
ECAD 9579 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 120 班级10,UHS 1级 microSD™ 128GB
MT36HVS51272PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT36HVS51272PZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2386 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4GB 667
MTFDKBG960TDZ-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. mtfdkbg960tdz-1az15aby -
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBG960TDZ-1AZ15ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 4.4GB/s 1GB/s -
MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ADF1G72AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2666
MTEDCAE016SAJ-1N2 Micron Technology Inc. MEDCAE016SAJ-1N2 -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand(slc) 16 GB -
MT72KSZS4G72LZ-1G4D1B3 Micron Technology Inc. MT72KSS4G72LZ-1G4D1B3 -
RFQ
ECAD 8552 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-lrdimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 100 DDR3L SDRAM 32GB 1333
MTFDDAK1T9TDT-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tdt-1aw1zabyy -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak1 - 5V - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TDT-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK512TBN-1AR15ABHA Micron Technology Inc. MTFDDAK512TBN-15ABHA -
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 mtfddak512 1.98(56 g) 5V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB 2.5” 530MB/s 500MB/s -
MTA4ATF1G64HZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA4ATF1G64Hz-3G2B1 -
RFQ
ECAD 6079 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 260-Sodimm - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTA4ATF1G64HZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MTA8ATF1G64HZ-2G6J3 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64Hz-2G6J3 -
RFQ
ECAD 8865 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 260-Sodimm - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTA8ATF1G64HZ-2G6J3 过时的 100 DDR4 SDRAM 8GB 2666
MT36RTF51272FDZ-667H1D6 Micron Technology Inc. MT36RTF51272FDZ-667H1D6 263.9372
RFQ
ECAD 3399 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-FBDIMM - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4GB 667
SMC128AFB6E Micron Technology Inc. SMC128AFB6E -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 497-5043 Ear99 8523.51.0000 18 - compactflash® 128MB
MT18KDF51272PDZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PDZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 4231 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4GB 1333
MTFDDAK256MBD-1AK12ITYY Micron Technology Inc. MTFDDAK256MBD-1AK12ITYY -
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 微米技术公司 M500IT 大部分 过时的 -40°C〜85°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.65(75.51 g) 5V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 256GB 2.5” 500MB/s 250MB/s -
MT8KTF51264HZ-1G6E2 Micron Technology Inc. MT8KTF51264Hz-1G6E2 -
RFQ
ECAD 3192 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4GB 1600
MT36VDDF12872G-262G3 Micron Technology Inc. MT36VDDF12872G-262G3 -
RFQ
ECAD 6025 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 184-rdimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 266
MTFDDAK200MAN-1S1AA Micron Technology Inc. MTFDDAK200MAN-1S1AA -
RFQ
ECAD 1880年 0.00000000 微米技术公司 P400m 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.50mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.9000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 200GB 2.5” 380MB/s 310MB/s -
MTFDDAK960QDE-2AV16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak960qde-2av16abyy -
RFQ
ECAD 3240 0.00000000 微米技术公司 5210 盒子 过时的 - - 萨塔 - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960QDE-2AV16ABYY 过时的 5 - 960GB - 540MB/s 130MB/s -
MTA72ASS16G72LZ-3G2B2 Micron Technology Inc. MTA72ASS16G72LZ-3G2B2 1.0000
RFQ
ECAD 1125 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MTA72 - (1 (无限) 到达不受影响 557-MTA72ASS16G72LZ-3G2B2 Ear99 8473.30.1140 100
MTFDJAL3T2MBS-2AN16FCYY Micron Technology Inc. mtfdjal3t2mbs-2an16fcyy -
RFQ
ECAD 1863年 0.00000000 微米技术公司 S650DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 15.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 4 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 3.2TB 2.5” 1.9GB/s 800MB/s -
MTFDHBA512TCK-2AS1AABDA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-2AS1AABDA -
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME MTFDHBA512 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTFDDAK480TDT-1AW16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDT-1AW16ABYY -
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak480 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK480TDT-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB 2.5” 540MB/s 460MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库