RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

存储卡，模块（，2975）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	尺寸 /尺寸	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	重量	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	内存类型	内存大小	形状	速度 -阅读	速度 -写	电流 -最大	转移率（MB/S，MT/S，MHz）
MT16VDDT6464AG-335GB	-	RFQ	3596	微米技术公司	-	盒子	过时的			184-udimm						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	512MB					333
mtfddak3t8tds-1AW16Hcyy tr	-	RFQ	2025	微米技术公司	5300	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	-			到达不受影响	557-MTFDDAK3T8TDS-1AW16HCYYTR	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	3.84TB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABHA	-	RFQ	8458	微米技术公司	2200	大部分	过时的	-	-		NVME	mtfdhba1			-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8471.70.6000	180		（SSD）闪存-NAND（tlc）	1TB	M.2模块	3GB/s	1.6GB/s	-
MT9HTF6472FY-667B4D3	-	RFQ	5616	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-FBDIMM						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	512MB					667
MTFDDAV512TBN-15FCHA	170.7750	RFQ	3721	微米技术公司	1100	大部分	积极的	0°C〜70°C	80.00mm x 22.00mm x 2.15mm		萨塔三世	MTFDDAV512		0.353（10 g）	3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8471.70.6000	100		（SSD）闪存-NAND（tlc）	512GB	M.2模块	530MB/s	500MB/s	-
MTA18ASF2G72Hz-2G6E1	-	RFQ	2428	微米技术公司	-	托盘	过时的			260-Sodimm						-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	16 GB					2666
mtfdkcb800tfc-1az1zabyy	-	RFQ	1415	微米技术公司	7400	盒子	过时的	0°C〜70°C	-		NVME			-	-	-		（1 （无限）		557-MTFDKCB800TFC-1AZ1ZABYY	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	800GB	2.5”	6.5GB/s	1GB/s	-
mtfddak480mbp-16abyy	-	RFQ	1381	微米技术公司	M510DC	大部分	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	50		（SSD）闪光灯-NAND （MLC）	480GB	2.5”	420MB/s	380MB/s	-
mtfddak3t8tdt-1aw1ztayy tr	-	RFQ	1923年	微米技术公司	5300	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	-			到达不受影响	557-MTFDDAK3T8TDT-1AW1ZTAYYTR	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	3.84TB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
SMS02GDFB5E	-	RFQ	9237	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C					-			-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-SMS02GDFB5E	3A991B1A	8523.51.0000	120	第4级	microSD™	2GB
MTFDKBK1T0TFK-1BC1AABYY	163.6500	RFQ	4461	微米技术公司	7450	盒子	积极的	-	-		NVME			-	-	-		（1 （无限）		557-MTFDKBK1T0TFK-1BC1AABYY			1		（SSD）闪光灯-NAND（QLC）	1TB	M.2模块	4.5GB/s	3.6GB/s	-
MTSD128AKC7MS-1WTC	-	RFQ	3941	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C				MTSD128	QLC			下载	rohs3符合条件			557-MTSD128AKC7MS-1WTCS	Ear99	8523.51.0000	120	班级10，UHS 1级	microSDXC™	128GB
mtfddak3t8tds-1AW16Hcyy	-	RFQ	7872	微米技术公司	5300	托盘	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFDDAK3T8TDS-1AW16HCYY	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	3.84TB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
MTFDDAV512TDL-1AW1ZABLA	120.2614	RFQ	9235	微米技术公司	1300	大部分	积极的	-	-		萨塔三世	MTFDDAV512			-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8471.70.6000	180		（SSD）闪存-NAND（tlc）	512GB	M.2模块	530MB/s	520MB/s	-
MT18HTF25672FDZ-80EH1N8	-	RFQ	6894	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产			240-FBDIMM						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	100		DDR2 SDRAM	2GB					800
MEDCBR004SAJ-1N2IT	-	RFQ	1575年	微米技术公司	-	托盘	过时的			模块						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	150		Flash -nand（slc）	4GB					-
MT18JSF25672AZ-1G6G1	-	RFQ	3667	微米技术公司	-	盒子	过时的			240-udimm						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	100		DDR3 SDRAM	2GB					1600
MT4LSDT1664AY-13EG1	-	RFQ	2313	微米技术公司	-	托盘	过时的			168-udimm		MT4LSDT				-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0002	100		Sdram	128MB					133
mtfddak960tdt-1aw1ztayy	-	RFQ	1609年	微米技术公司	5300	托盘	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFDDAK960TDT-1AW1ZTAYY	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	960GB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
MEDFAE016SCA-1P2IT	-	RFQ	2777	微米技术公司	EU500	托盘	过时的			模块		MEDFAE016				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	150		Flash -nand（slc）	16 GB					-
MT18HTF25672PY-667A1	1.0000	RFQ	4461	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产			240-RDIMM						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	2GB					667
MT18VDDF6472DG-265G2	166.1163	RFQ	9563	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产			184-rdimm						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	512MB					266
MTFDDAK512TBN-15ABDA	-	RFQ	2529	微米技术公司	1100	大部分	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世	mtfddak512			5V	下载			到达不受影响		3A991B1A	8471.70.6000	50		（SSD）闪存-NAND（tlc）	512GB	2.5”	530MB/s	500MB/s	-
MT72KSS4G72LZ-1G6E2C3	-	RFQ	4779	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-lrdimm						-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1		DDR3L SDRAM	32GB					1600
MT9KDF25672AZ-1G4K1	-	RFQ	9828	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-udimm						-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8473.30.1140	100		DDR3L SDRAM	2GB					1333
MT9VDDF6472Y-40BF1	-	RFQ	9894	微米技术公司	-	托盘	过时的			184-rdimm						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	512MB					400
MTA16ATF1G64AZ-2G6B1	-	RFQ	9661	微米技术公司	-	托盘	过时的			-						-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1		DDR4 SDRAM	8GB
MT4HSF3264HY-667D3	46.9102	RFQ	7079	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产			240-dimm		MT4HSF				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	256MB					667
MT9VDDT6472HG-40BF2	-	RFQ	3131	微米技术公司	-		过时的			200-sodimm						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	512MB					400
MT18HTF12872FY-667B5D3	-	RFQ	5725	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-FBDIMM						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	1GB					667

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

存储卡，模块（，2975）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²