SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MTFDDAK1T9TDT-1AW16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tdt-1AW16abyy -
RFQ
ECAD 1753年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak1 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TDT-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBA960TDF-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA960TDF-1AW4ZABYY -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - NVME MTFDHBA960 - 3.3V - rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTFDHBA960TDF-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 2.4GB/s 700MB/s -
MTFDJAK800MBT-2AN16ABYY Micron Technology Inc. mtfdjak800mbt-2an16aby -
RFQ
ECAD 2168 0.00000000 微米技术公司 S630DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 800GB 2.5” 1.4GB/s 710MB/s -
MT16LSDT6464AY-13ED2 Micron Technology Inc. MT16LSDT6464AY-13ED2 -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 168-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 512MB 133
MTA18ASF1G72AZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72AZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 4204 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2133
MTFDKCC1T6TFC-1AZ4ZABYY Micron Technology Inc. mtfdkcc1t6tfc-1az4zabyy -
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKCC1T6TFC-1AZ4ZABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.6TB 2.5” 6.5GB/s 2.2GB/s -
MTFDDAA480MBB-2AE1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAA480MBB-2AE1ZABYY -
RFQ
ECAD 3794 0.00000000 微米技术公司 M500DC 大部分 过时的 0°C〜70°C 78.50mm x 54.00mm x 5.00mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 480GB 1.8” 425MB/s 375MB/s -
MTFDDAV512MBF-1AN1ZABLA Micron Technology Inc. MTFDDAV512MBF-1AN1ZABLA 227.7106
RFQ
ECAD 1008 0.00000000 微米技术公司 M600 大部分 积极的 0°C〜70°C 60.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 MTFDDAV512 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 512GB M.2模块 560MB/s 510MB/s -
MTFDDAV256TBN-1AR1ZTAYY Micron Technology Inc. mtfddav256tbn-1ar1ztayy -
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.15mm 萨塔三世 MTFDDAV256 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 530MB/s 500MB/s -
MTA72ASS8G72LZ-2G9J2 Micron Technology Inc. MTA72ASS8G72LZ-2G9J2 -
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 盒子 过时的 288-lrdimm 下载 557-MTA72ASS8G72LZ-2G9J2 过时的 1 DDR4 SDRAM 64GB 2933
MTFDKBA800TFC-1AZ1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdkba800tfc-1az1zabyy -
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBA800TFC-1AZ1ZABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB M.2模块 4.4GB/s 1GB/s -
SMC128CFB6E Micron Technology Inc. SMC128CFB6E -
RFQ
ECAD 6598 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 - - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -SMC128CFB6E 3A991B1A 8523.51.0000 198 - compactflash® 128MB
MTFDHBA1T0TDV-1AZ12ABYY Micron Technology Inc. mtfdhba1t0tdv-12byy -
RFQ
ECAD 5118 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - NVME - - - 557-MTFDHBA1T0TDDV-12BYY 过时的 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 3.3GB/s 2.7GB/s -
MT18KDF51272PZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 6830 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4GB 1333
MTFDDAY512MBF-1AN12ABYY Micron Technology Inc. mtfdday512MBF-1AN12ABY -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 微米技术公司 M600 大部分 过时的 0°C〜70°C 60.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 512GB M.2模块 560MB/s 510MB/s -
MTFDDAK256MBF-1AN12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK256MBF-1AN12ABY -
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 微米技术公司 M600 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.29 盎司(65.25 g) 5V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 256GB 2.5” 560MB/s 510MB/s -
MTFDJAA400MBS-1AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdjaa400mbs-1an1zabyy -
RFQ
ECAD 1129 0.00000000 微米技术公司 S650DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 78.50mm x 54.00mm x 5.00mm 萨塔三世 - 3.3V,5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 400GB 1.8” 1.55GB/s 625MB/s -
MTFDJAK480MBT-2AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdjak480mbt-2an1zabyy -
RFQ
ECAD 3216 0.00000000 微米技术公司 S630DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 480GB 2.5” 1.55GB/s 615MB/s -
MTFDJAK800MBS-2AN16FCYY Micron Technology Inc. mtfdjak800mbs-2an16fcyy -
RFQ
ECAD 9060 0.00000000 微米技术公司 S650DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 800GB 2.5” 1.85GB/s 850MB/s -
MTFDJAL1T6MBT-2AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdjal1t6mbt-2an1zabyy -
RFQ
ECAD 2943 0.00000000 微米技术公司 S630DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 15.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 4 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 1.6TB 2.5” 1.6GB/s 850MB/s -
MTFDDAV512TDL-1AW1ZABFA Micron Technology Inc. MTFDDAV512TDL-1AW1ZABFA 120.2614
RFQ
ECAD 5332 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAV512 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABHA Micron Technology Inc. mtfddak1t0tdl-1aw1zabha 255.7500
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak1 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAV1T0TDL-1AW15ABFA Micron Technology Inc. mtfddav1T0TDL-1AW15ABFA 223.5704
RFQ
ECAD 3674 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddav1 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTSD008ACC2RG-1WT Micron Technology Inc. MTSD008ACC2RG-1WT -
RFQ
ECAD 9502 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - MTSD008 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8523.51.0000 480 - - -
MTFDDAK240TDS-1AW1ZTAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW1ZTAYY TR -
RFQ
ECAD 9175 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDS-1AW1ZTAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 310MB/s -
MTA9ASF51272AZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA9ASF51272AZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 8286 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 4GB 2133
MTFDHBE1T6TDG-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhbe1t6tdddg-1aw4zabyy -
RFQ
ECAD 1455 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - NVME mtfdhbe1 - 12V - rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTFDHBE1T6TDG-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.6TB 2.5” 3GB/s 1.5GB/s -
MT8HTF12864HDZ-800H1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDZ-800H1 -
RFQ
ECAD 4647 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
MTA36ASF2G72LZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA36ASF2G72LZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 7778 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-lrdimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
MT8LSDT1664AY-133G3 Micron Technology Inc. MT8LSDT1664AY-133G3 -
RFQ
ECAD 4223 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 168-udimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 100 Sdram 128MB 133
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库