SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MTFDHBL256TDQ-1AT12ATYY Micron Technology Inc. MTFDHBL256TDQ-1AT12ATYY 148.4800
RFQ
ECAD 2868 0.00000000 微米技术公司 2100AT 大部分 积极的 -40°C〜105°C - NVME mtfdhbl256 - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB BGA 2GB/s 850MB/s -
MT36JSF1G72PZ-1G6M1 Micron Technology Inc. MT36JSF1G72PZ-1G6M1 -
RFQ
ECAD 8557 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1600
MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 -
RFQ
ECAD 8349 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 过时的 100 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
MT18HTF12872FDY-53ED5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FDY-53ED5E3 -
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
MT9VDDT6472AY-335D1 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472AY-335D1 -
RFQ
ECAD 4908 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 333
MT9HVF3272KY-667B1 Micron Technology Inc. MT9HVF3272KY-667B1 96.9082
RFQ
ECAD 1848年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 667
MT9VDDT6472HG-335D2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HG-335D2 -
RFQ
ECAD 1871年 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 557-1139 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 512MB 167
MTA36ASF4G72PZ-2G3A1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G3A1 -
RFQ
ECAD 9422 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 32GB 2400
MT36JSF51272PZ-1G4J1 Micron Technology Inc. MT36JSF51272PZ-1G4J1 -
RFQ
ECAD 3386 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MT18VDDT6472AG-265G4 Micron Technology Inc. MT18VDDT6472AG-265G4 -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 266
MT4LSDT864HY-133L1 Micron Technology Inc. MT4LSDT864HY-133L1 -
RFQ
ECAD 3924 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 144-Sodimm MT4LSDT 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 100 Sdram 64MB 133
MTFDDAK120MAV-1AE12ABYY Micron Technology Inc. mtfddak120mav-12abyy -
RFQ
ECAD 1943年 0.00000000 微米技术公司 M500 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) 5V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 557-1607 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 120GB 2.5” 500MB/s 130MB/s -
MTFDKCC800TFC-1AZ4ZABYY Micron Technology Inc. mtfdkcc800tfc-1az4zabyy -
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKCC800TFC-1AZ4ZABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB 2.5” 6.5GB/s 1GB/s -
MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72Hz-3G2B1 -
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 260-Sodimm 下载 Rohs符合条件 3(168)) 557-MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 3200
MTA8ATF1G64HZ-3G2J1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64Hz-3G2J1 -
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 260-Sodimm mta8atf1 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MT18JDF1G72AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JDF1G72AZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 4029 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1600
MT18HTF12872Z-40EG1 Micron Technology Inc. MT18HTF12872Z-40EG1 -
RFQ
ECAD 6260 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
MT36JSZF1G72PDZ-1G1D1 Micron Technology Inc. MT36JSF1G72PDZ-1G1D1 -
RFQ
ECAD 3515 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1066
MT8VDDT6464AY-40BF4 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464AY-40BF4 -
RFQ
ECAD 2829 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 184-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
MT5HTF3272PKY-40EB2 Micron Technology Inc. MT5HTF3272PKY-40EB2 -
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 400
MTFDKCC3T2TFS-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCC3T2TFS-1BC15ABY 859.7700
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 557-MTFDKCC3T2TFS-1BC15ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.2TB 2.5” 6.8GB/s 5.3GB/s -
MT18KSF1G72PKIZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PKIZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1333
MT9VDDT3272AY-335K1 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272AY-335K1 -
RFQ
ECAD 1550 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 184-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 4A994J 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MTFDDAV512TBN-1AR1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddav512tbn-1ar1zabyy -
RFQ
ECAD 8725 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.15mm 萨塔三世 MTFDDAV512 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 530MB/s 500MB/s -
MT9KDF51272AZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT9KDF51272AZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4GB 1333
MTFDDAK512TBN-1AR12ABDB Micron Technology Inc. mtfddak512tbn-12abdb -
RFQ
ECAD 3987 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 5V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB 2.5” 530MB/s 500MB/s -
MT36HTF51272PZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT36HTF51272PZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 4633 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4GB 800
MT9HVF12872PKY-53EA1 Micron Technology Inc. MT9HVF12872PKY-53EA1 -
RFQ
ECAD 6731 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
MT18HTF25672PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2889 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2GB 667
MTC40F204WS1RC48BB1 Micron Technology Inc. MTC40F204WS1RC48BB1 786.6600
RFQ
ECAD 6399 0.00000000 微米技术公司 DDR5 SDRAM UDIMM 盒子 积极的 - - 557-MTC40F204WS1RC48BB1 1 DDR5 SDRAM 96GB 4800
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库