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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大
MTFDDAK1T0TDL-1AW15ABHA Micron Technology Inc. MTFDDAK1T0TDL-1AW15ABHA 228.1080
RFQ
ECAD 9249 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak1 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t0tdl-1aw1zabyy -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 过时的 - - 萨塔三世 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAK256TBN-1AR15ABDA Micron Technology Inc. MTFDDAK256TBN-15ABDA -
RFQ
ECAD 8678 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 5V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB 2.5” 530MB/s 500MB/s -
MTFDDAK256TDL-1AW15ABLA Micron Technology Inc. MTFDDAK256TDL-1AW15ABLA 94.0508
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAK256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAK480TDC-1AT16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak480tdc-1at16abyy -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 微米技术公司 5200 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB 2.5” 540MB/s 385MB/s -
MTFDDAK512TDL-1AW15ABDA Micron Technology Inc. MTFDDAK512TDL-1AW15ABDA 152.8740
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak512 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAK512TDL-1AW15ABHA Micron Technology Inc. MTFDDAK512TDL-1AW15ABHA 152.8740
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak512 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAV1T0TDL-1AW1ZABDA Micron Technology Inc. mtfddav1T0TDL-1AW1ZABDA 220.5946
RFQ
ECAD 4076 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddav1 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAV512TDL-1AW15ABHA Micron Technology Inc. MTFDDAV512TDL-1AW15ABHA 123.2627
RFQ
ECAD 7921 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAV512 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDHBA256TCK-1AS15ABFA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS15ABFA -
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME MTFDHBA256 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTFDHBA256TCK-1AS1AABHA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS1AABHA -
RFQ
ECAD 4296 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME MTFDHBA256 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTFDHBA256TCK-2AS1AABDA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-2AS1AABDA 87.8250
RFQ
ECAD 9579 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 积极的 - - NVME MTFDHBA256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTFDHBA512TCK-1AS1AABLA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS1AABLA -
RFQ
ECAD 8656 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME MTFDHBA512 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTFDHBK256TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. MTFDHBK256TDP-1AT12AIYY 163.5000
RFQ
ECAD 44 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 积极的 -40°C〜95°C - NVME MTFDHBK256 - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 2GB/s 850MB/s -
MTFDHBL064TDQ-AAT12ATYYES Micron Technology Inc. mtfdhbl064tdq-aat12atyyes 59.5400
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 微米技术公司 M500IT 大部分 积极的 -40°C〜105°C - NVME MTFDHBL064 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 64GB BGA 550MB/s 200MB/s -
MTFDHBL128TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. mtfdhbl128tdp-1at12aiyy 66.1654
RFQ
ECAD 2364 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 积极的 -40°C〜95°C - NVME mtfdhbl128 - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 72 (SSD)闪存-NAND(tlc) 128GB BGA 1.1GB/s 420MB/s -
MTFDHBL512TDP-AAT12AIYYES Micron Technology Inc. MTFDHBL512TDP-AAT12AIYYES -
RFQ
ECAD 2628 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 过时的 -40°C〜95°C - NVME - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB BGA 2GB/s 1.55GB/s -
MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY Micron Technology Inc. mtfddak7t6qde-2av1zfpyy -
RFQ
ECAD 9677 0.00000000 微米技术公司 5210 盒子 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY 过时的 5 (SSD)闪光灯-NAND(QLC) 7.68TB 2.5” 540MB/s 360MB/s -
MTSD256AHC6MS-2WTCS Micron Technology Inc. MTSD256AHC6MS-2WTC -
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C TLC - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTSD256AHC6MS-2WTCS 过时的 1 班级10 microSD™ 256GB
MTFDKCB3T2TFS-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB3T2TFS-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 4690 0.00000000 微米技术公司 7400 托盘 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKCB3T2TFS-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.2TB 2.5” 6.6GB/s 3.5GB/s -
MTFDHBA480TDF-2AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA480TDF-2AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 1450 0.00000000 微米技术公司 * 大部分 过时的 - 557-MTFDHBA480TDF-2AW1ZABYY 过时的 1
MTFDDAK3T8TDS-1AW15TAYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tds-1AW15Tayy tr -
RFQ
ECAD 7467 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW15TAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYY TR -
RFQ
ECAD 6601 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK7T6TDS-1AW15TAYY TR Micron Technology Inc. mtfddak7t6tds-1AW15Tayy tr -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK7T6TDS-1AW15TAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 7.68TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY -
RFQ
ECAD 4234 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY TR -
RFQ
ECAD 3568 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW16TAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK3T8TDT-1AW16ABYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tdtdtdt-1AW16abyy tr -
RFQ
ECAD 6709 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW16ABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY TR -
RFQ
ECAD 5506 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 310MB/s -
MTFDDAV960TDS-1AW15ABYY TR Micron Technology Inc. mtfddav960tds-1AW15abyy tr -
RFQ
ECAD 1804年 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAV960TDS-1AW15ABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDS-1AW1ZTAYY Micron Technology Inc. mtfddak960tds-1aw1ztayy -
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW1ZTAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库