SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MTFDHAR8TATCW-1AR1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhar8tatcw-1ar1zabyy -
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 微米技术公司 9200 大部分 过时的 0°C〜55°C 167.65mm x 68.89mm x 18.74mm NVME 0.353(10 g) 12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 8TB hhl 4.7GB/s 2.4GB/s 2.5a
MT18JSF1G72PDZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72PDZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 7473 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1600
MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 Micron Technology Inc. MTA4ATF1G64Hz-3G2F1 37.2450
RFQ
ECAD 7914 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 积极的 260-Sodimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MTFDDAV240TDU-1AW1ZABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAV240TDU-1AW1ZABYY TR -
RFQ
ECAD 1450 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAV240TDU-1AW1ZABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB M.2模块 540MB/s 220MB/s -
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Micron Technology Inc. MTA4ATF51264AZ-2G6E1 -
RFQ
ECAD 5850 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-udimm MTA4ATF51264 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 4GB 2666
MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTA36ASF4G72PZ-2G6E1C 过时的 100 DDR4 SDRAM 32GB 2666
MT18JSF51272PDZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PDZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 1387 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1600
MTSD256ANC8MS-1WT Micron Technology Inc. MTSD256ANC8MS-1WT 69.6900
RFQ
ECAD 90 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -25°C〜85°C - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 557-MTSD256ANC8MS-1WT 3A991B1A 8523.51.0000 120 班级10,UHS 3级 microSD™ 256GB
MT9HTF3272KY-53EB2 Micron Technology Inc. MT9HTF3272KY-53EB2 80.7591
RFQ
ECAD 6230 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 533
MTFDHBE3T8TDF-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhbe3t8tdddf-1aw1zabyy -
RFQ
ECAD 3937 0.00000000 微米技术公司 7300 托盘 过时的 0°C〜70°C - NVME mtfdhbe3 - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDHBE3T8TDDDF-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 3GB/s 1.8GB/s -
MTFDDAK7T6TBY-1AR1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak7t6tby-1ar1zabyy -
RFQ
ECAD 3603 0.00000000 微米技术公司 5100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 7.68TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MT9VDDT3272HY-335K1 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272HY-335K1 -
RFQ
ECAD 8410 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 100 DDR SDRAM 256MB 333
MTA18ASF1G72AZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72AZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MT9VDDT3272AY-335G4 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272AY-335G4 -
RFQ
ECAD 6334 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MTFDDAK1T0MBF-1AN12ABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t0mbf-12aby -
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 微米技术公司 M600 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.29 盎司(65.25 g) 5V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 1TB 2.5” 560MB/s 510MB/s -
MTFDDAK960TDC-1AT16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak960tdc-1at16abyy -
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 微米技术公司 5200 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTA4ATF51264AZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA4ATF51264AZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 7239 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 288-udimm MTA4ATF51264 下载 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 4GB 3200
MT18KSF1G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1600
MT18VDDF12872DG-40BF1 Micron Technology Inc. MT18VDDF12872DG-40BF1 164.7592
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 184-rdimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 400
MTA18ASF1G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 9262 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 4A994A 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MT8HTF12864HDY-53ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDY-53ED3 2.0000
RFQ
ECAD 7812 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tdtdttdt-1AW15abyy tr -
RFQ
ECAD 1664年 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MT8HTF12864HDY-40ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDY-40ED3 -
RFQ
ECAD 4219 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
MT9VDDT3272PHIY-335M1 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272PHIY-335M1 -
RFQ
ECAD 5013 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 256MB 333
MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABFA Micron Technology Inc. mtfddak1t0tdl-1aw1zabfa 225.0720
RFQ
ECAD 1586年 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak1 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MT9HTF6472AY-53ED4 Micron Technology Inc. MT9HTF6472AY-53ED4 -
RFQ
ECAD 4574 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY Micron Technology Inc. mtfddak3t8tdtt-1AW15aby -
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak3 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTA18ASF2G72PKTZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PKTZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288分时 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
MTFDDAK256TBN-1AR12ABYY Micron Technology Inc. mtfddak256tbn-12aby -
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 MTFDDAK256 1.98(56 g) 5V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB 2.5” 530MB/s 500MB/s -
MTFDDAK480TCC-1AR1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak480tcc-1ar1zabyy -
RFQ
ECAD 2917 0.00000000 微米技术公司 5100 盒子 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB 2.5” 540MB/s 380MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库