SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT8VDDT3264AG-40BG6 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264AG-40BG6 -
RFQ
ECAD 4372 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 400
MTFDDAK256TDL-1AW15ABLA Micron Technology Inc. MTFDDAK256TDL-1AW15ABLA 94.0508
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAK256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MT18HTF12872Y-40ED5 Micron Technology Inc. MT18HTF12872Y-40ED5 -
RFQ
ECAD 7933 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
MT18KDF51272PZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4GB 1600
MT4VDDT3264AY-40BJ1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3264AY-40BJ1 -
RFQ
ECAD 3059 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm mt4vdt - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 100 DDR SDRAM 256MB 400
MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64Hz-2G6H1 -
RFQ
ECAD 5726 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 8GB 2666
MTA18ASF1G72AZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72AZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MTFDDAC100SAL-1N1AA Micron Technology Inc. MTFDDAC100SAL-1N1AA -
RFQ
ECAD 6228 0.00000000 微米技术公司 Realssd™ 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.20mm x 69.85mm x 9.50mm 萨塔三世 3.53(100.07 g) 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD))闪光灯-NAND(SLC) 100GB 2.5” 3.0MB/s 2.0MB/s -
MT9JSF25672PZ-1G1D1 Micron Technology Inc. MT9JSF25672PZ-1G1D1 100.4788
RFQ
ECAD 9294 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2GB 1066
MTFDDAK2T0TDL-1AW1ZABFA Micron Technology Inc. mtfddak2t0tdl-1aw1zabfa 419.1298
RFQ
ECAD 5429 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak2 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 2TB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAK480TDS-1AW1ZHCYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDS-1 AW1ZHCYY TR -
RFQ
ECAD 5804 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK480TDS-1W1ZHCYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB 2.5” 540MB/s 410MB/s -
MTA16ATF1G64HZ-2G1A2 Micron Technology Inc. MTA16ATF1G64Hz-2G1A2 -
RFQ
ECAD 4974 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 8GB 2133
MTFDKBZ7T6TFR-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKBZ7T6TFR-1BC15ABY 1.0000
RFQ
ECAD 3727 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 557-MTFDKBZ7T6TFR-1BC15ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 7.68TB E1.S 6.8GB/s 5.6GB/s -
MT5HTF3272KY-53EB2 Micron Technology Inc. MT5HTF3272KY-53EB2 -
RFQ
ECAD 9489 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 533
MTA72ASS4G72LZ-2G3A2 Micron Technology Inc. MTA72ASS4G72LZ-2G3A2 -
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-lrdimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 32GB 2400
MT5VDDT3272HG-335F2 Micron Technology Inc. MT5VDDT3272HG-335F2 56.8047
RFQ
ECAD 7695 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhba800tdg-1aw1zabyy -
RFQ
ECAD 8907 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm NVME mtfdhba800 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB M.2模块 2.4GB/s 700MB/s -
MT16JSF25664HY-1G4D1 Micron Technology Inc. MT16JSF25664HY-1G4D1 -
RFQ
ECAD 3063 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2GB 1333
MTFDKBA480TDZ-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. mtfdkba480tdz-1az15aby -
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBA480TDZ-1AZ15ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB M.2模块 4.4GB/s 530MB/s -
MT5HTF3272PKY-40EB1 Micron Technology Inc. MT5HTF3272PKY-40EB1 -
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 400
MTFDHBA256TCK-2AS1AABDA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-2AS1AABDA 87.8250
RFQ
ECAD 9579 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 积极的 - - NVME MTFDHBA256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MT9JBF25672AKZ-1G4K2 Micron Technology Inc. MT9JBF25672AKZ-1G4K2 -
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 244-Miniudimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR3 SDRAM 2GB 1333
MT16JTF51264AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT16JTF51264AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 1333 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1600
MTA16ATF2G64HZ-2G6J1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64Hz-2G6J1 -
RFQ
ECAD 2974 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 260-Sodimm MTA16 - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
MTFDDAK3T8TDT-1AW16ABYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tdtdtdt-1AW16abyy tr -
RFQ
ECAD 6709 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW16ABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY -
RFQ
ECAD 4234 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBA960TDF-2AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA960TDF-2AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 7453 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - 557-MTFDHBA960TDF-2AW1ZABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 2.4GB/s 850MB/s -
MTFDDAK120MBB-1AE16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak120mbb-16abyy -
RFQ
ECAD 5997 0.00000000 微米技术公司 M500DC 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.20mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 120GB 2.5” 425MB/s 200MB/s -
MTFDKCC1T6TFC-1AZ1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdkcc1t6tfc-1az1zabyy -
RFQ
ECAD 6915 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKCC1T6TFC-1AZ1ZABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.6TB 2.5” 6.5GB/s 2.2GB/s -
MTFDDAK960TDS-1AW15TAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDS-1AW15TAYY TR -
RFQ
ECAD 7185 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW15TAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库