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存储卡，模块（，2975）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	尺寸 /尺寸	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	重量	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	内存类型	内存大小	形状	速度 -阅读	速度 -写	电流 -最大	转移率（MB/S，MT/S，MHz）
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MT9JSF51272PZ-1G6E1	-	RFQ	6019	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-RDIMM						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR3 SDRAM	4GB					1600
mtfddak3t8tdt-1aw1ztayy	-	RFQ	5978	微米技术公司	5300	托盘	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFDDAK3T8TDTDTDT-1AW1ZTAYY	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	3.84TB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
MTA9ASF1G72PZ-3G2J4	-	RFQ	7021	微米技术公司	DDR4 SDRAM	托盘	过时的			288-RDIMM						-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTA9ASF1G72PZ-3G2J4	过时的		100		DDR4 SDRAM	8GB					3200
MTFDDAK256TBN-15ABHA	-	RFQ	9571	微米技术公司	1100	大部分	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世	MTFDDAK256		1.98（56 g）	5V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		3A991B1A	8471.70.6000	50		（SSD）闪存-NAND（tlc）	256GB	2.5”	530MB/s	500MB/s	-
MTFDKCC7T6TFR-1BC1ZABYY	-	RFQ	8532	微米技术公司	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFDKCC7T6TFR-1BC1ZABYY	3A991B1A	8523.51.0000	1
MTFDDAK480TDT-1AW16TAYY TR	-	RFQ	6175	微米技术公司	5300	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	-			到达不受影响	557-MTFDDAK480TDT-1AW16TAYYTR	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	480GB	2.5”	540MB/s	460MB/s	-
MTSD128AHC6RG-1WT	-	RFQ	6371	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C				MTSD128	TLC			-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8523.51.0000	480	班级10，UHS 1级	SD™	128GB
MTFDDAK256MBF-1AN1ZABLA	-	RFQ	6409	微米技术公司	M600	大部分	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			2.29 盎司（65.25 g）	5V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	50		（SSD）闪光灯-NAND （MLC）	256GB	2.5”	560MB/s	510MB/s	-
MEDCBR002SAJ-1M2IT	-	RFQ	1370	微米技术公司	-	托盘	过时的			模块						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	150		Flash -nand（slc）	2GB					-
MTSD256AKC7MS-2WT	57.7350	RFQ	1699年	微米技术公司	-	托盘	上次购买									-				557-MTSD256AKC7MS-2WT	3A991B1A	8523.51.0000	120
mtfdjal3t2mbs-2an1zabyy	-	RFQ	6806	微米技术公司	S650DC	大部分	过时的	0°C〜50°C	100.24mm x 69.85mm x 15.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	4		（SSD）闪光灯-NAND （MLC）	3.2TB	2.5”	1.9GB/s	800MB/s	-
MTFDHBM1T0TDP-1AT12AIYY	451.0900	RFQ	34	微米技术公司	2100AI	大部分	积极的	-40°C〜95°C	-		NVME	MTFDHBM1			-	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8471.70.6000	1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	1TB	BGA	2GB/s	1.75GB/s	-
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mtfddak960tds-1 aw1zhcyy	-	RFQ	6518	微米技术公司	5300	托盘	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFDDAK960TDS-1W1ZHCYY	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	960GB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
mtfddav256tbn-1ar1zabca	-	RFQ	5754	微米技术公司	1100	大部分	过时的	0°C〜70°C	80.00mm x 22.00mm x 2.15mm		萨塔三世	MTFDDAV256			3.3V	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8471.70.6000	100		（SSD）闪存-NAND（tlc）	256GB	M.2模块	530MB/s	500MB/s	-
mtfddak960tby-16aby	-	RFQ	3214	微米技术公司	5100	盒子	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			2.47 盎司（（70.38 g）	5V，12V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A002A1	8471.70.6000	50		（SSD）闪存-NAND（tlc）	960GB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
mtfdhbe800tdg-1aw12aby	-	RFQ	7391	微米技术公司	7300	大部分	过时的	0°C〜70°C	-		NVME			-	-	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFDHBE800TDG-1AW12ABYY	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	800GB	U.2模块	2.4GB/s	850MB/s	-
mtfddak3t8tds-1AW15abyy tr	-	RFQ	4152	微米技术公司	5300	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世			-	5V，12V	下载			到达不受影响	557-MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYTR	过时的		1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	3.84TB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
mtfddak240tds-1AW15aby	-	RFQ	8927	微米技术公司	-	托盘	过时的	-	-		萨塔三世	mtfddak240		-	5V	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFDDAK240TDS-1AW15ABYY	3A991B1A	8471.70.6000	10		（SSD）闪存-NAND（tlc）	240GB	2.5”	540MB/s	310MB/s	-
SMC01GBFK6E	-	RFQ	9376	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C					-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-SMC01GBFK6E	Ear99	8523.51.0000	198	-	compactflash®	1GB
MTSD064APC7MS-1WTC	-	RFQ	8722	微米技术公司	*	大部分	过时的									-				557-MTSD064APC7MS-1WTCS	过时的		1
MTFDKCC3T8TFR-1BC15ABYY	748.8000	RFQ	4818	微米技术公司	7450	盒子	积极的	0°C〜70°C	-		NVME			-	-	下载		（1 （无限）		557-MTFDKCC3T8TFR-1BC15ABYY			1		（SSD）闪存-NAND（tlc）	3.84TB	2.5”	6.8GB/s	5.3GB/s	-
MT5HTF6472PKY-667A2	370.8266	RFQ	4344	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产			244-dimm						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	512MB					667
MTA9ASF1G72AZ-3G2E2	100.9200	RFQ	2883	微米技术公司	DDR4 SDRAM	盒子	上次购买			288-udimm						下载				557-MTA9ASF1G72AZ-3G2E2			1		DDR4 SDRAM	8GB					3200
MT8JTF12864Hz-1G4G1	-	RFQ	6788	微米技术公司	-	盒子	过时的			204-Sodimm						-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	100		DDR3 SDRAM	1GB					1333
MTA4ATF25664Hz-2G3B1	-	RFQ	5091	微米技术公司	-	大部分	过时的			260-Sodimm						-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	100		DDR4 SDRAM	2GB					2400
mtfdday128MBF-1AN12ABY	-	RFQ	8265	微米技术公司	M600	大部分	过时的	0°C〜70°C	60.00mm x 22.00mm x 3.50mm		萨塔三世			0.353（10 g）	3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	100		（SSD）闪光灯-NAND （MLC）	128GB	M.2模块	560MB/s	400MB/s	-
MEDFAE032SCA-1Q2	-	RFQ	1158	微米技术公司	-	大部分	过时的			模块						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	150		-	32GB					-
MTSD032AHC6MS-1WTCS	-	RFQ	5260	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C				MTSD032	-			-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8523.51.0000	120	班级10，UHS 1级	microSD™	32GB

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

存储卡，模块（，2975）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²