SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT18HTF25672PDY-40EA1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PDY-40EA1 -
RFQ
ECAD 6303 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 400
MT8KTF51264HZ-1G9E2 Micron Technology Inc. MT8KTF51264Hz-1G9E2 -
RFQ
ECAD 4835 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4GB 1866年
MT4LSDT864HIY-133G2 Micron Technology Inc. MT4LSDT864HIY-133G2 -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 144-Sodimm MT4LSDT 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 100 Sdram 64MB 133
MTEDCAE008SAJ-1N3IT Micron Technology Inc. medcae008saj-1n3it -
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 150 Flash -nand(slc) 8GB -
MT4JSF12864HZ-1G6D1 Micron Technology Inc. MT4JSF12864Hz-1G6D1 -
RFQ
ECAD 1093 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 204-Sodimm mt4jsf - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR3 SDRAM 1GB 1600
MT9HTF6472KY-667D2 Micron Technology Inc. MT9HTF6472KY-667D2 123.8891
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 667
MTFDGAL350SAH-1N2AB Micron Technology Inc. mtfdgal350SAH-1N2AB -
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 微米技术公司 P320H 盒子 过时的 0°C〜70°C - - - 12V - rohs3符合条件 (1 (无限) 3A991B1A 8471.70.9000 4 SSD)闪光灯-NAND 350GB 2.5” 1.75GB/s - -
MTSD256ANC8MS-2WT Micron Technology Inc. MTSD256ANC8MS-2WT 62.8400
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - 到达不受影响 557-MTSD256ANC8MS-2WT 1
MTFDDAK064MBD-1AH12ITYY Micron Technology Inc. MTFDDAK064MBD-1AH12ITYY -
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 微米技术公司 M500IT 大部分 过时的 -40°C〜85°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 MTFDDAK064 2.65(75.51 g) 5V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 64GB 2.5” 500MB/s 130MB/s -
MTFDJAL1T9MBT-2AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdjal1t9mbt-2an1zabyy -
RFQ
ECAD 7385 0.00000000 微米技术公司 S630DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 15.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 4 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 1.92TB 2.5” 1.85GB/s 850MB/s -
MTFDHBL128TDP-AAT12AIYYES Micron Technology Inc. mtfdhbl128TDP-AAT12AIYYES -
RFQ
ECAD 5208 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 过时的 -40°C〜95°C - NVME - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 128GB BGA 1.1GB/s 420MB/s -
MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZHCYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tds-1 aw1zhcyy tr -
RFQ
ECAD 1434 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDS-1W1ZHCYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAV480TDS-1AW16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV480TDS-1AW16ABY -
RFQ
ECAD 2058 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 MTFDDAV480 - 3V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAV480TDS-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB M.2模块 540MB/s 410MB/s -
MTFDDAK3T8TDT-1AW16HCYY Micron Technology Inc. mtfddak3t8tdt-1AW16Hcyy -
RFQ
ECAD 7649 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDTDTDT-1AW16HCYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MT18HTF12872PDY-53ED2 Micron Technology Inc. MT18HTF12872PDY-53ED2 -
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
MT18KDF1G72AZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT18KDF1G72AZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 6770 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1333
MT72KSZS4G72PZ-1G4E2 Micron Technology Inc. MT72KSS4G72PZ-1G4E2 -
RFQ
ECAD 1956年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 32GB 1333
MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 4292 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 MTFDDAV480 - 3V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDDAV480TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB M.2模块 540MB/s 410MB/s -
MTFDDAV256TBN-1AR15ABHA Micron Technology Inc. MTFDDAV256TBN-15ABHA -
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.15mm 萨塔三世 MTFDDAV256 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 530MB/s 500MB/s -
MTFDDAK256TBN-1AR12ABYY Micron Technology Inc. mtfddak256tbn-12aby -
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 MTFDDAK256 1.98(56 g) 5V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB 2.5” 530MB/s 500MB/s -
MTEDCAE008SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. medcae008saj-1n2it -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand(slc) 8GB -
MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 5992 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak240 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 310MB/s -
MT4JSF6464HY-1G4B1 Micron Technology Inc. MT4JSF6464HY-1G4B1 -
RFQ
ECAD 8342 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 204-Sodimm mt4jsf - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 512MB 1333
MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 -
RFQ
ECAD 9329 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 288-lrdimm - 3(168)) 557-MTA36ASF8G72LZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 64GB 3200
MTFDDAK240TDT-1AW1ZTAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDT-1AW1ZTAYY TR -
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDT-1AW1ZTAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 380MB/s -
MT8KTF51264HZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT8KTF51264Hz-1G9P1 70.9000
RFQ
ECAD 9001 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 204-Sodimm MT8KTF51264 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 4GB 1866年
MT9JDF25672AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT9JDF25672AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 6413 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 2GB 1600
MTFDDAK1T0TDL-1AW1ZABFA Micron Technology Inc. mtfddak1t0tdl-1aw1zabfa 225.0720
RFQ
ECAD 1586年 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 mtfddak1 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAK1T0MBF-1AN15ABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t0mbf-15aby 442.4830
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 微米技术公司 M600 大部分 积极的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 mtfddak1 2.29 盎司(65.25 g) 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 1TB 2.5” 560MB/s 510MB/s -
MTFDDAK128SBD-1AK12ITYY Micron Technology Inc. MTFDDAK128SBD-1AK12ITYY -
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 微米技术公司 M500IT 大部分 过时的 -40°C〜85°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.65(75.51 g) 5V - rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD))闪光灯-NAND(SLC) 128GB 2.5” 500MB/s 400MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库