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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT36JDZS1G72PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT36JDZS1G72PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 4435 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1333
MTA18ASF2G72PZ-2G6D1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-2G6D1 -
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM MTA18 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. mtfddav1t9tds-1AW15aby -
RFQ
ECAD 3234 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 mtfddav1 - 3V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAV1T9TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MTSD032AQC6MS-2WTCS Micron Technology Inc. MTSD032AQC6MS-2WTCS -
RFQ
ECAD 8868 0.00000000 微米技术公司 * 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTSD032AQC6MS-2WTCS 过时的 1
MT18HVS51272PKY-667A1 Micron Technology Inc. MT18HVS51272PKY-667A1 -
RFQ
ECAD 1937年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4GB 667
MTFDDAV960TBY-1AR16ABYY Micron Technology Inc. mtfddav960tby-16aby -
RFQ
ECAD 2992 0.00000000 微米技术公司 5100 盒子 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A002A1 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MT36KSF2G72PZ-1G6E2 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G6E2 -
RFQ
ECAD 1635年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
MT8HTF6464AY-40EB9 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-40EB9 -
RFQ
ECAD 3989 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 400
MT9HTF12872AZ-80EM1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872AZ-80EM1 -
RFQ
ECAD 3008 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
MTFDDAK1T9TGA-1BC16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tga-1bc16abyy 439.6500
RFQ
ECAD 4730 0.00000000 微米技术公司 5400 大部分 积极的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TGA-1BC16ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MT18LSDT6472AG-13ED2 Micron Technology Inc. MT18LSDT6472AG-13ED2 -
RFQ
ECAD 3418 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 168-udimm - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 512MB 133
MTFDKCB3T2TFS-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB3T2TFS-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 4690 0.00000000 微米技术公司 7400 托盘 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKCB3T2TFS-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.2TB 2.5” 6.6GB/s 3.5GB/s -
MTFDDAK960TDS-1AW15TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDS-1AW15TAYY -
RFQ
ECAD 6026 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW15TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYY TR -
RFQ
ECAD 6601 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDT-1AW1ZABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZTAYY Micron Technology Inc. mtfddak3t8tds-1aw1ztayy -
RFQ
ECAD 4843 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZTAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MT36KDS2G72PDZ-1G6N2 Micron Technology Inc. MT36KDS2G72PDZ-1G6N2 -
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 240-RDIMM MT36KDS2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 GB -
MTFDKCC1T6TFS-1BC15ABYY Micron Technology Inc. MTFDKCC1T6TFS-1BC15ABY 487.1700
RFQ
ECAD 9609 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 557-MTFDKCC1T6TFS-1BC15ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.6TB 2.5” 6.8GB/s 2.7GB/s -
MTA36ASF4G72PZ-2G6J1 Micron Technology Inc. MTA36ASF4G72PZ-2G6J1 -
RFQ
ECAD 7793 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-RDIMM MTA36 - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 2666
MTFDDAK960TDT-1AW16TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW16TAYY -
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDT-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDKBA512QFM-1BD1AABYY Micron Technology Inc. MTFDKBA512QFM-1BD1AABYY 83.6400
RFQ
ECAD 6747 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 - - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBA512QFM-1BD1AABYY 1 (SSD)闪光灯-NAND(QLC) 512GB M.2模块 4.2GB/s 1.8GB/s -
MTFDDAK3T8TDS-1AW15TAYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tds-1AW15Tayy tr -
RFQ
ECAD 7467 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW15TAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTA8ATF1G64AZ-2G6J1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64AZ-2G6J1 -
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-udimm mta8atf1 - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 2666
MTFDKCC3T8TFR-1BC4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCC3T8TFR-1BC4ZABYY 739.8000
RFQ
ECAD 3662 0.00000000 微米技术公司 7450 盒子 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 (1 (无限) 557-MTFDKCC3T8TFR-1BC4ZABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 6.8GB/s 5.3GB/s -
MT36JSF2G72PZ-1G9E3 Micron Technology Inc. MT36JSF2G72PZ-1G9E3 -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 16 GB 1866年
MTFDDAK128MBF-1AN15ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK128MBF-15aby 95.6048
RFQ
ECAD 6826 0.00000000 微米技术公司 M600 大部分 积极的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 MTFDDAK128 2.29 盎司(65.25 g) 5V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 128GB 2.5” 560MB/s 400MB/s -
MTFDDAT064MAM-1J1 Micron Technology Inc. MTFDDAT064MAM-1J1 -
RFQ
ECAD 3471 0.00000000 微米技术公司 C400V 托盘 过时的 0°C〜70°C 50.80mm x 29.85mm x 3.75mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) MTFDDAT064MAM1J1 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 64GB MSATA 500MB/s 95MB/s -
MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhba800tdg-1aw1zabyy -
RFQ
ECAD 8907 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm NVME mtfdhba800 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTFDHBA800TDG-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB M.2模块 2.4GB/s 700MB/s -
MTFDHBL128TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. mtfdhbl128tdp-1at12aiyy 66.1654
RFQ
ECAD 2364 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 积极的 -40°C〜95°C - NVME mtfdhbl128 - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 72 (SSD)闪存-NAND(tlc) 128GB BGA 1.1GB/s 420MB/s -
MT18HTF51272AZ-80EC1 Micron Technology Inc. MT18HTF51272AZ-80EC1 177.4691
RFQ
ECAD 7277 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4GB 800
MTSD256AHC6RG-1WT Micron Technology Inc. MTSD256AHC6RG-1WT -
RFQ
ECAD 3772 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C MTSD256 TLC - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 480 班级10,UHS 1级 SD™ 256GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    智能仓库