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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MTEDCBR002SAJ-1M2IT Micron Technology Inc. MEDCBR002SAJ-1M2IT -
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand(slc) 2GB -
MTFDKCB7T6TFR-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB7T6TFR-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 微米技术公司 7400 托盘 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKCB7T6TFR-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 7.68TB 2.5” 6.6GB/s 5.4GB/s -
MTFDDAV400TDT-1AW16ABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAV400TDT-1AW16ABYY TR -
RFQ
ECAD 4524 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 到达不受影响 557-MTFDDAV400TDT-1AW16ABYTR 过时的 1
MTFDHBA1T0TCK-1AT15ABFA Micron Technology Inc. MTFDHBA1T0TCK-15ABFA -
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME mtfdhba1 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MT18JDF1G72PZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT18JDF1G72PZ-1G9P1 -
RFQ
ECAD 8431 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
MT8KTF25664HZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT8KTF25664Hz-1G6K1 -
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ECAD 4806 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2GB 1600
MTFDGAL350SAH-1N3AB Micron Technology Inc. mtfdgal350SAH-1N3AB -
RFQ
ECAD 7624 0.00000000 微米技术公司 P320H 盒子 过时的 0°C〜70°C - - - 12V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.9000 4 SSD)闪光灯-NAND 350GB 2.5” 1.75GB/s - -
MTFDDAA512MAM-1K1 Micron Technology Inc. MTFDDAA512MAM-1K1 -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 微米技术公司 C400 托盘 过时的 0°C〜70°C 78.50mm x 54.00mm x 5.00mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 50 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 512GB 1.8” 500MB/s 260MB/s -
MTSD256AKC7MS-2WT Micron Technology Inc. MTSD256AKC7MS-2WT 57.7350
RFQ
ECAD 1699年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 上次购买 - 557-MTSD256AKC7MS-2WT 3A991B1A 8523.51.0000 120
MTFDJAL3T2MBS-2AN1ZABYY Micron Technology Inc. mtfdjal3t2mbs-2an1zabyy -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 微米技术公司 S650DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 15.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 4 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 3.2TB 2.5” 1.9GB/s 800MB/s -
MTFDHBM1T0TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. MTFDHBM1T0TDP-1AT12AIYY 451.0900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 积极的 -40°C〜95°C - NVME MTFDHBM1 - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB BGA 2GB/s 1.75GB/s -
MTEDCBE008SAJ-1N2 Micron Technology Inc. MTEDCBE008SAJ-1N2 -
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ECAD 2125 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 100 Flash -nand(slc) 8GB -
MTSD1T0AKC7MS-1WT Micron Technology Inc. MTSD1T0AKC7MS-1WT 261.8500
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C MTSD1 QLC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTSD1T0AKC7MS-1WT 3A991B1A 8523.51.0000 120 班级10,UHS 3级 microSDXC™ 1TB
MTFDJAL3T8MBU-2AN16ABYY Micron Technology Inc. mtfdjal3t8mbu-2an16abyy -
RFQ
ECAD 1582 0.00000000 微米技术公司 S610DC 大部分 过时的 0°C〜50°C 100.24mm x 69.85mm x 15.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 4 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 3.84TB 2.5” 1.6GB/s 770MB/s -
MTSD032AHC6MS-2WTCS Micron Technology Inc. MTSD032AHC6MS-2WTC -
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C TLC - 557-MTSD032AHC6MS-2WTCS 过时的 1 班级10 microSD™ 32GB
MTFDDAK960TDS-1AW1ZHCYY Micron Technology Inc. mtfddak960tds-1 aw1zhcyy -
RFQ
ECAD 6518 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1W1ZHCYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAV256TBN-1AR1ZABCA Micron Technology Inc. mtfddav256tbn-1ar1zabca -
RFQ
ECAD 5754 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.15mm 萨塔三世 MTFDDAV256 3.3V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 530MB/s 500MB/s -
MTFDHBA256TCK-1AS1AABGA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS1AABGA 73.0852
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 积极的 - - NVME MTFDHBA256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MT36KDS2G72PDZ-1G4N2 Micron Technology Inc. MT36KDS2G72PDZ-1G4N2 -
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR3 SDRAM 16 GB 1333
MTFDDAK960TBY-1AR16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak960tby-16aby -
RFQ
ECAD 3214 0.00000000 微米技术公司 5100 盒子 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A002A1 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTA8ATF1G64HZ-2G3H1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64Hz-2G3H1 -
RFQ
ECAD 3888 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MTFDHBE800TDG-1AW12ABYY Micron Technology Inc. mtfdhbe800tdg-1aw12aby -
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDHBE800TDG-1AW12ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB U.2模块 2.4GB/s 850MB/s -
MTSD256ANC8MS-2WT Micron Technology Inc. MTSD256ANC8MS-2WT 62.8400
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - 到达不受影响 557-MTSD256ANC8MS-2WT 1
MTFDDAK3T8TCB-1AR16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak3t8tcb-16abyy -
RFQ
ECAD 1554年 0.00000000 微米技术公司 5100 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) 5V,12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A002A1 8471.70.6000 50 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTSD256AHC6MS-1WTCS Micron Technology Inc. MTSD256AHC6MS-1WTC -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 120 班级10,UHS 1级 microSD™ 256GB
MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tds-1AW15abyy tr -
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ECAD 4152 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDS-1AW15ABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAV256TBN-1AR15ABHA Micron Technology Inc. MTFDDAV256TBN-15ABHA -
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.15mm 萨塔三世 MTFDDAV256 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 530MB/s 500MB/s -
MTFDHBA512TCK-1AS15AFYY Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS15FYY -
RFQ
ECAD 9438 0.00000000 微米技术公司 * 大部分 过时的 MTFDHBA512 - 557-MTFDHBA512TCK-1AS15AFY 3A991B1A 8471.70.6000 10
MTFDDAK240TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. mtfddak240tds-1AW15aby -
RFQ
ECAD 8927 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak240 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 310MB/s -
MTFDDAK1T9TGA-1BC15ABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tga-1bc15aby 439.6500
RFQ
ECAD 2289 0.00000000 微米技术公司 5400 大部分 积极的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TGA-1BC15ABYY 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库