SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 技术 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
SP002GISDT731NW0 Silicon Power SP002GISDT731NW0 62.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C SLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 uhs 1级 SD™ 2GB
SP064GICFX555SV0 Silicon Power SP064GICFX55555SV0 159.5800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C TLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 - CFAST 64GB
SP001GICFI791NW0 Silicon Power SP001GICFI791NW0 35.1600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C SLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 - compactflash® 1GB
SP512GICFX355SV0 Silicon Power SP512GICFX355SV0 209.1200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C TLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 - CFAST 512GB
SP064GISDT551NW0 Silicon Power SP064GISDT551NW0 185.9500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 SDT550 盒子 积极的 -25°C〜85°C PSLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 班级10,UHS 3级 microSD™ 64GB
SP010TIMDC351RW0 Silicon Power SP010TIMDC351RW0 578.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 520MB/s 480MB/s 575MA
SP064GIMDC555SV0 Silicon Power SP064GIMDC55555SV0 123.7200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 64GB M.2模块 560MB/s 520MB/s 575MA
SP064GIMSA305SV0 Silicon Power SP064GIMSA305SV0 75.2700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 51.00mm x 30.00mm x 3.50mm 萨塔三世 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 64GB MSATA 530MB/s 400MB/s 780mA
SP064GIMDA555SV0 Silicon Power SP064GIMDA55555SV0 116.2700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 42.00mm x 22.00mm x 4.70mm 萨塔三世 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 64GB M.2模块 520MB/s 390MB/s 560mA
SP010TISSD351RW0 Silicon Power SP010TISSD351RW0 524.4400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C 100.40mm x 69.90mm x 6.80mm 萨塔三世 5V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB 2.5” 520MB/s 480MB/s 110mA
SP128GIMDC555SV0 Silicon Power SP128GIMDC55555SV0 197.9000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 128GB M.2模块 560MB/s 520MB/s 575MA
SP032GIMSA305SV0 Silicon Power SP032GIMSA305SV0 56.1100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 51.00mm x 30.00mm x 3.50mm 萨塔三世 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪光灯-NAND (​​MLC) 32GB MSATA 530MB/s 400MB/s 780mA
SP128GICFX555SV0 Silicon Power SP128GICFX55555SV0 217.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C TLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 - CFAST 128GB
SP128GICFX355SV0 Silicon Power SP128GICFX355SV0 104.9400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C TLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 - CFAST 128GB
SP008GICFI791NW0 Silicon Power SP008GICFI791NW0 108.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 -40°C〜85°C SLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 - compactflash® 8GB
SP256GICFI325NV0 Silicon Power SP256GICFI325NV0 218.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 0°C〜70°C MLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 - compactflash® 256GB
SP032GISDT351NE0 Silicon Power SP032GISDT351NE0 23.9900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 硅力量 SDT350 盒子 积极的 -25°C〜85°C TLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 班级10,UHS 1级 microSDXC™ 32GB
SP064GIMDB555SV0 Silicon Power SP064GIMDB55555SV0 117.3400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 MDB550 盒子 积极的 0°C〜70°C 60.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪光灯-NAND(pslc) 64GB M.2模块 520MB/s 480MB/s 110mA
SP064GISDT351NE0 Silicon Power SP064GISDT351NE0 39.2400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 SDT350 盒子 积极的 -25°C〜85°C TLC 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.52.0010 1 班级10,UHS 1级 microSDXC™ 64GB
SP008GISLU160NH0 Silicon Power SP008GISLU160NH0 105.7200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR3 SODIMM 8GB 1600
SP004GIVLU160NH0 Silicon Power SP004GIVLU160NH0 58.3400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR3 UDIMM-VLP 4GB 1600
SP016GILFU266BH0 Silicon Power SP016GILFU266BH0 111.9100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR4 UDIMM 16 GB 2666
SP032GILFE266FS0 Silicon Power SP032GILFE266FS0 291.8700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 ddr4 eccudimm 32GB 2666
SP008GIRFE266BH0 Silicon Power SP008GIRFE266BH0 89.5200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR4 RDIMM 8GB 2666
SP004GISFU240NH0 Silicon Power SP004GISFU240NH0 54.9400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR4 SODIMM 4GB 2400
SP002GILLU160WH0 Silicon Power SP002GILLU160WH0 34.2600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR3 UDIMM 2GB 1600
SP032GISFE266FS0 Silicon Power SP032GISFE266FS0 311.7800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR4 ECCSODIMM 32GB 2666
SP002GISLU160VH0 Silicon Power SP002GISLU160VH0 50.1600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR3 SODIMM 2GB 1600
SP128GIMDB355SV0 Silicon Power SP128GIMDB355SV0 68.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 MDB550 盒子 积极的 0°C〜70°C 60.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 128GB M.2模块 520MB/s 370MB/s 110mA
SP064GIMDB355SV0 Silicon Power SP064GIMDB355SV0 55.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 硅力量 MDB550 盒子 积极的 0°C〜70°C 60.00mm x 22.00mm x 3.50mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8523.59.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 64GB M.2模块 340MB/s 165MB/s 110mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库