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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 尺寸 /尺寸 | 包装 /案例 | 类型 | 技术 | 重量 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 | 形状 | 速度 -阅读 | 速度 -写 | 电流 -最大 | 转移率(MB/S,MT/S,MHz) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AMP56016G18A0TB-CQK48 | 102.0000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3642-AMP56016G18A0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AMPW5DT10-I302AI | 2.0000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPW5DT10-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMPW5T480-IM02AI | 329.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPW5T480-IM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP25T640-NM2VAI | 809.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMP25T640-NM2VAI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMPSD256G3S-00es1YE-3P | 180.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMPSD256G3S-00ES1YE-3P | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | SDXC™ | 256GB | |||||||||||
![]() | AMP58464G24A0TB-CQK49 | 540.0000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3642-AMP58464G24A0TB-CQK49 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AMPV5T256-N43SAC | 87.3800 | ![]() | 112 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPV5T256-N43SAC | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP4L08GD45E2SP-C7J | 397.6700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | 288-lrdimm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMP4L08GD45E2SP-C7J | Ear99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 LRDIMM | 64GB | 2666 | ||||||||||||
![]() | AMPMS01T0S-00ES7YE-8P | 219.0000 | ![]() | 199 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | QLC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMPMS01T0S-00ES7YE-8P | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | 班级10,UHS 3级 | microSDXC™ | 1TB | |||||||||||
![]() | AMPW5TT10-N40DAI | 294.1200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPW5TT10-N40DAI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP25T125-NM02AI | 115.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMP25T125-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMPMS032G3S-00ES4YC-3P | 54.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | PSLC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMPMS032G3S-00ES4YC-3P | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | microSD™ | 32GB | |||||||||||
![]() | AMP4E02GS28G1SP-C3F | 171.6800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | 260-Sodimm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMP4E02GS28G1SP-C3F | Ear99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 SODIMM | 16 GB | 2133 | ||||||||||||
![]() | AMP4N02GD28B1SN-C4H | 108.2300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | 288-udimm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMP4N02GD28B1SN-C4H | Ear99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 UDIMM | 16 GB | 2400 | ||||||||||||
![]() | AMPSD064G3S-00WS1YE-3P | 66.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMPSD064G3S-00WS1YE-3P | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | SDXC™ | 64GB | |||||||||||
![]() | AMPV5T032-NS9FAI | 336.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | - | 萨塔三世 | - | - | - | 3642-AMPV5T032-NS9FAI | 1 | (SSD))闪光灯-NAND(SLC) | 32GB | MSATA | - | - | - | ||||||||||
![]() | AMPW3T250-I302AI | 522.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPW3T250-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMPW5DT40-N60QAC | 560.7100 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPW5DT40-N60QAC | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP58016G18AT0B-CQK48 | 142.0000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3642-AMP58016G18AT0B-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AMP56032G28B0TB-CQ48 | 197.0000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | 3642-AMP56032G28B0TB-CQ48 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP59432G14B0TB-CQK48 | 304.0000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3642-AMP59432G14B0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AMPV5T480-N400AC | 138.8200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPV5T480-N400AC | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP25TT20-HM02AC | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMP25TT20-HM02AC | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP4R01GD28E0SP-C1E | 54.3200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | 288-dimm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMP4R01GD28E0SP-C1E | Ear99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 DIMM | 8GB | 2166 | ||||||||||||
![]() | AMPW5D1T9-N40QAI | 885.9200 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3642-AMPW5D1T9-N40QAI | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AMP25T256-N40SAE | 78.9400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMP25T256-N40SAE | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMPW5T250-IM02AI | 211.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3642-AMPW5T250-IM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AMP4E04GS28G1SP-C7J | 149.3900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | 260-Sodimm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMP4E04GS28G1SP-C7J | Ear99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 SODIMM | 32GB | 2666 | ||||||||||||
![]() | AMPSD512G3S-00ES5YC-5P | 100.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 3D TLC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMPSD512G3S-00ES5YC-5P | Ear99 | 8523.51.0000 | 1 | 班级10 | SDXC™ | 512GB | |||||||||||
![]() | AMP4N01GD28B1SN-C4H | 57.8300 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 加速记忆生产公司 | - | 大部分 | 积极的 | 288-udimm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 3642-AMP4N01GD28B1SN-C4H | Ear99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 UDIMM | 8GB | 2400 |
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