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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大
MTFDDAV1T0TDL-1AW1ZABHA Micron Technology Inc. MTFDDAV1T0TDL-1AW1ZABHA -
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 过时的 - - 萨塔三世 - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAV256TDL-1AW15ABHA Micron Technology Inc. MTFDDAV256TDL-1AW15ABHA 74.2547
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAV256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAV256TDL-1AW1ZABLA Micron Technology Inc. MTFDDAV256TDL-1AW1ZABLA 81.3150
RFQ
ECAD 3336 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAV256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDDAV512TDL-1AW15ABDA Micron Technology Inc. MTFDDAV512TDL-1AW15ABDA 123.2627
RFQ
ECAD 9535 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 积极的 - - 萨塔三世 MTFDDAV512 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABDA Micron Technology Inc. mtfdhba1t0tck-1at1aabda -
RFQ
ECAD 3410 0.00000000 微米技术公司 2200 大部分 过时的 - - NVME - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 180 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 3GB/s 1.6GB/s -
MTFDHBK1T0TDP-AAT12AIYYES Micron Technology Inc. mtfdhbk1t0tdp-aat12Aiyyes -
RFQ
ECAD 1186 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 过时的 -40°C〜95°C - NVME - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 2GB/s 1.75GB/s -
MTFDHBL256TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. MTFDHBL256TDP-1AT12AIYY 157.3200
RFQ
ECAD 64 0.00000000 微米技术公司 M500IT 大部分 积极的 -40°C〜95°C - NVME mtfdhbl256 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB BGA 2GB/s 850MB/s -
MTFDHBL256TDP-AAT12AIYYES Micron Technology Inc. MTFDHBL256TDP-AAT12AIYYES -
RFQ
ECAD 6264 0.00000000 微米技术公司 2100AI 大部分 过时的 -40°C〜95°C - NVME - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB BGA 2GB/s 850MB/s -
MTFDDAK1T9TDS-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. mtfddak1t9tds-1aw1zabyy -
RFQ
ECAD 8845 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 mtfddak1 2.47 盎司((70.38 g) 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK1T9TDS-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBG1T9TDF-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBG1T9TDDDF-1AW4ZABYY -
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - NVME mtfdhbg1 - 3.3V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDHBG1T9TDF-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB M.2模块 3GB/s 1GB/s -
MTFDDAK3T8TDT-1AW16ABYY Micron Technology Inc. mtfddak3t8tdt-1aw16abyy -
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak3 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDT-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDT-1AW15ABYY Micron Technology Inc. mtfddak960tdt-1AW15abyy -
RFQ
ECAD 6220 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 MTFDDAK960 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDT-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK960TDS-1AW15ABYY Micron Technology Inc. mtfddak960tds-1AW15aby -
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - 萨塔三世 MTFDDAK960 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDS-1AW15ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDHBG1T9TDF-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBG1T9TDF-1AW1ZABYY -
RFQ
ECAD 1654年 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C 110.00mm x 22.00mm NVME mtfdhbg1 - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTFDHBG1T9TDF-1AW1ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB M.2模块 3GB/s 1GB/s -
MTFDHBE6T4TDG-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. mtfdhbe6t4tdddg-1aw4zabyy -
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - NVME mtfdhbe6 - 12V - rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTFDHBE6T4TDDDG-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 6.4TB 2.5” 3GB/s 1.8GB/s -
MTFDHBE960TDF-1AW4ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHBE960TDF-1AW4ZABYY -
RFQ
ECAD 3534 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - NVME mtfdhbe960 - 12V - rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTFDHBE960TDF-1AW4ZABYY 3A991B1A 8471.70.6000 5 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 2.4GB/s 700MB/s -
MTFDDAK480TDS-1AW16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDS-1AW16ABYY -
RFQ
ECAD 3262 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - 萨塔三世 mtfddak480 - 5V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK480TDS-1AW16ABYY 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB 2.5” 540MB/s 410MB/s -
MTFDHBA256TDV-1AY1AABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA256TDV-1ay1Aabyy -
RFQ
ECAD 8322 0.00000000 微米技术公司 2300 托盘 过时的 - 80.00mm x 22.00mm NVME - - - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTFDHBA256TDV-1ay1Aabyy 过时的 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 256GB M.2模块 3.3GB/s 1.4GB/s -
MTFDDAK3T8QDE-2AV1ZFPYY Micron Technology Inc. mtfddak3t8qde-2av1zfpyy -
RFQ
ECAD 4892 0.00000000 微米技术公司 5210 盒子 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 2.47 盎司((70.38 g) - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8QDE-2AV1ZFPYY 过时的 5 (SSD)闪光灯-NAND(QLC) 3.84TB 2.5” 540MB/s 350MB/s -
MTFDKCB800TFS-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB800TFS-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 微米技术公司 7400 托盘 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKCB800TFS-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB 2.5” 6.5GB/s 1GB/s -
MTFDKBA960TFR-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKBA960TFR-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 1748年 0.00000000 微米技术公司 7400 大部分 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKBA960TFR-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 4.4GB/s 1GB/s -
MTFDKCB1T6TFS-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKCB1T6TFS-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 8846 0.00000000 微米技术公司 7400 托盘 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKCB1T6TFS-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.6TB 2.5” 6.5GB/s 2.2GB/s -
MTFDKBA800TFS-1BC1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDKBA800TFS-1BC1ZABYY -
RFQ
ECAD 4248 0.00000000 微米技术公司 7400 大部分 积极的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-MTFDKBA800TFS-1BC1ZABYY 3A991B1A 8523.51.0000 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 800GB M.2模块 4.4GB/s 1GB/s -
MTFDHBG1T9TDF-1AW12ABYY Micron Technology Inc. mtfdhbg1t9tdddf-1aw12aby -
RFQ
ECAD 7609 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDHBG1T9TDDDF-1AW12ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB M.2模块 3GB/s 1.55GB/s -
MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYY TR -
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB M.2模块 540MB/s 310MB/s -
MTFDDAK960TDT-1AW16ABYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK960TDT-1AW16ABYY TR -
RFQ
ECAD 7405 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V 下载 到达不受影响 557-MTFDDAK960TDT-1AW16ABYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK480TDS-1AW15TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAK480TDS-1AW15TAYY -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAK480TDS-1AW15TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 480GB 2.5” 540MB/s 410MB/s -
MTFDDAV960TDS-1AW16TAYY Micron Technology Inc. MTFDDAV960TDS-1AW16TAYY -
RFQ
ECAD 9203 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAV960TDS-1AW16TAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAV1T9TDS-1AW1ZTAYY Micron Technology Inc. mtfddav1t9tds-1aw1ztayy -
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 微米技术公司 5300 托盘 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 3.80mm 萨塔三世 - 3.3V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDDAV1T9TDS-1AW1ZTAYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB M.2模块 540MB/s 520MB/s -
MTFDDAK240TDS-1AW15TAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW15TAYY TR -
RFQ
ECAD 5506 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK240TDS-1AW15TAYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 240GB 2.5” 540MB/s 310MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库