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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
MT36KSF2G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PZ-1G6E1 -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
MT36HTF25672Y-667D1 Micron Technology Inc. MT36HTF25672Y-667D1 -
RFQ
 ECAD 2891 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 667
76.B183G.C6V0C Adafruit Industries LLC 76.B183G.C6V0C -
RFQ
 ECAD 9928 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-76.b183g.c6v0c 1
75.B83E2.G030C Adafruit Industries LLC 75.b83e2.g030c -
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-75.b83e2.g030c 1
MT4VDDT1664HY-335F3 Micron Technology Inc. MT4VDDT1664HY-335F3 32.4804
RFQ
 ECAD 5788 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 200-sodimm mt4vdt - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 557-1344 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 128MB 200
AY12M7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12M7258BLF8M 63.7469
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204分钟 AY12M7258 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AW12P64B8BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLMAMW 71.7111
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AW12P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
SQR-UD3I-2G1K6SNLB Advantech Corp SQR-ID3I-2G1K6SNLB -
RFQ
 ECAD 3707 0.00000000 Advantech Corp * 大部分 过时的 - Rohs符合条件 过时的 0000.00.0000 1
MTA16ATF2G64AZ-2G3H1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64AZ-2G3H1 -
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3（168）） 过时的 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
MT16VDDT6464AY-335G6 Micron Technology Inc. MT16VDDT6464AY-335G6 -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 333
MTA18ASF1G72PF1Z-2G3T12AB Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PF1Z-2G3T12AB -
RFQ
 ECAD 3183 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-NVRDIMM 下载 rohs3符合条件 3（168）） 过时的 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MT16HTF25664HZ-800H1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664Hz-800H1 -
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2GB 800
SQR-SD3I-8G1600SN Advantech Corp SQR-SD3I-8G1600SN -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 204-Sodimm - （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 DDR3L SDRAM 8GB 1600
AQ48M72E8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNK0M 258.1215
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
MT18JSF51272PZ-1G9K1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PZ-1G9K1 -
RFQ
 ECAD 8115 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
78.C1GNE.4000B Apacer Memory America 78.C1GNE.4000B 76.1400
RFQ
 ECAD 8667 0.00000000 Apacer Memory America DDR4 DIMM 大部分 积极的 288-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 1582-78.C1GNE.4000B 10 DDR4 SDRAM 8GB 2133
MT18HTF12872DY-667D3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872DY-667D3 -
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MT8HTF12864HDZ-800M1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDZ-800M1 -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
WD3UN04GX816-1333K-PE Wintec Industries WD3UN04GX816-1333K-PE -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 240-dimm - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MT18HTF25672PY-667D1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PY-667D1 1.0000
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 667
SFUI016GJ1AE2TO-I-GS-2AP-STD Swissbit SFUI016GJ1AE2TO-I-GS-2AP-STD 80.4500
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 瑞士 U-56 大部分 积极的 模块 SFUI016 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash -nand（pslc） 16 GB -
MTA304ALS32G72MSZ-1S6E1B5 Micron Technology Inc. MTA304ALS32G72MSZ-1S6E1B5 -
RFQ
 ECAD 1910 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 - MTA304 - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 - - -
AQD-D3L2GNV16-SQ Advantech Corp AQD-D3L2GNV16平方 -
RFQ
 ECAD 1839年 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 积极的 240-udimm AQD-D3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR3L SDRAM 2GB 1600
MT9HTF12872KY-40EA1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872KY-40EA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 244毫米 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
MT18HTF25672FDY-53EA4E3 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FDY-53EA4E3 -
RFQ
 ECAD 1446 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 533
MT18HVS25672PKZ-80EH2 Micron Technology Inc. MT18HVS25672PKZ-80EH2 -
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 800
MT16HTF12864AY-667B3 Micron Technology Inc. MT16HTF12864AY-667B3 -
RFQ
 ECAD 5525 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MT8KTF25664HZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT8KTF25664Hz-1G4M1 -
RFQ
 ECAD 6823 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 2GB 1333
MT18VDDT12872DG-265D2 Micron Technology Inc. MT18VDDT12872DG-265D2 -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-dimm - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 266
MTEDCBE002SAJ-1M2IT Micron Technology Inc. medcbe002saj-1m2it -
RFQ
 ECAD 6362 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand（slc） 2GB -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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