SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT9HVF6472PKY-53EB1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472PKY-53EB1 -
RFQ
ECAD 9023 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
AQ12P72D8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLF8M 67.1184
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
MT4VDDT3264HY-40BJ1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3264HY-40BJ1 -
RFQ
ECAD 9875 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm mt4vdt - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 100 DDR SDRAM 256MB 400
MT72JSZS4G72PZ-1G4E2 Micron Technology Inc. MT72JSS4G72PZ-1G4E2 -
RFQ
ECAD 6066 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1 DDR3 SDRAM 32GB 1333
AL24P72L8BLF8S ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLF8S 134.7250
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AQ24P6418BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ24P6418BLF8S 71.8630
RFQ
ECAD 2609 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL24P7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLF8M 135.3500
RFQ
ECAD 6162 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AQD-SD3L4GN16-SQ Advantech Corp AQD-SD3L4GN16-SQ -
RFQ
ECAD 1068 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 在sic中停产 204-Sodimm - Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR3L SDRAM 4GB 1600
SFUI016GJ1AE1TO-I-QC-2A1-STD Swissbit SFUI016GJ1AE1TO-i-QC-2A1-STD 240.0100
RFQ
ECAD 9481 0.00000000 瑞士 U-500 大部分 不适合新设计 模块 SFUI016 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash -nand(slc) 16 GB -
AQ48M72E8BNF8M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNF8M 258.1215
RFQ
ECAD 1609年 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
MTEDCAE008SAJ-1N3IT Micron Technology Inc. medcae008saj-1n3it -
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 150 Flash -nand(slc) 8GB -
MT8VDDT3264AY-335K1 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264AY-335K1 45.9469
RFQ
ECAD 7743 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 184-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 256MB 333
78.B1GDE.AF1 Apacer Memory America 78.b1gde.af1 -
RFQ
ECAD 4034 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 1582-78.B1GDE.AF1 过时的 1 DDR3 SDRAM 4GB 1333
ADDE1600W4G11-BSSE ADATA adde1600w4g11-bsse 51.5000
RFQ
ECAD 8641 0.00000000 阿达塔 DDR3L sodimm 大部分 积极的 240-udimm - rohs3符合条件 (1 (无限) 4670-ADDE1600W4G11-BSSE Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 4GB 1600
96SD3-4G1066E-AP Advantech Corp 96SD3-4G1066E-AP -
RFQ
ECAD 5237 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 204-Sodimm 下载 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR3 SDRAM 4GB 1066
MT5VDDT1672HG-26AC3 Micron Technology Inc. MT5VDDT1672HG-26AC3 41.0820
RFQ
ECAD 7849 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 128MB 266
MT8JSF25664HZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT8JSF25664Hz-1G4D1 -
RFQ
ECAD 8407 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2GB 1333
AQ56P64A8BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKK0M 46.3125
RFQ
ECAD 9382 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AL56P72A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AL56P72A8BKK0 43.1984
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4G16QE8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4G16QE8BNPBSE 113.8400
RFQ
ECAD 47 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4G16 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
MTA9ASF51272PZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF51272PZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 3240 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 4GB 2666
96D2-2G800NN-AP Advantech Corp 96D2-2G800NN-AP -
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 过时的 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR2 SDRAM 2GB 800
AH56K72L8BJE7M ATP Electronics, Inc. AH56K72L8BJE7M 54.1216
RFQ
ECAD 9313 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 800
MTA18ASF2G72HZ-3G2R1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72Hz-3G2R1 107.2500
RFQ
ECAD 9448 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 盒子 积极的 260-Sodimm 下载 557-MTA18ASF2G72Hz-3G2R1 1 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
AQ56M72X8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKK0 39.2084
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 ATP电子,Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
MT4VDDT1664AG-335F3 Micron Technology Inc. MT4VDDT1664AG-335F3 -
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-udimm mt4vdt 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 128MB 333
SFUI016GK1AB1TO-C-GS-2A1-STD Swissbit SFUI016GK1B1TO-C-GS-2A1-STD -
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 瑞士 U-45 托盘 过时的 模块 - rohs3符合条件 不适用 1052-SFUI016GK1B1TO-C-GS-2A1-STD 过时的 1 Flash -nand (MLC) 16 GB -
MT4HTF3264AY-80ED3 Micron Technology Inc. MT4HTF3264AY-80ED3 -
RFQ
ECAD 7509 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm MT4HTF 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 800
MT9JSF12872AY-1G4D1 Micron Technology Inc. MT9JSF12872AY-1G4D1 -
RFQ
ECAD 4409 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 1GB 1333
MT9HTF3272Y-40EB3 Micron Technology Inc. MT9HTF3272Y-40EB3 99.1739
RFQ
ECAD 2135 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 400
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库