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内存 -535）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
AQ24M72E8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLH9S 77.6584
RFQ
 ECAD 1957年 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AL24P72B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLK0M 103.8750
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C08QX8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4C08QX8BNPBSE 113.0760
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4G16QE8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4G16QE8Bnweme 151.9600
RFQ
 ECAD 2780 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 260-udimm A4G16 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1282-A4G16QE8BNWEME Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
A4F08QD8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4F08QD8BNPBSE 70.3100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 260-Sodimm A4F08 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2133
A4F32QG8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4F32QG8BVWEMW 340.0900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 托盘 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-A4F32QG8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
AL24P72B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLF8M 110.5230
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
A4C16QW8BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4C16QW8BNRCSE 96.9570
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C16 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
AW12M7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 68.2776
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4B08QC4BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QC4BLPBSE 91.7992
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ24P6418BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P6418BLK0M 110.8080
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P6418 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24P64F8BLK0S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0 73.0220
RFQ
 ECAD 9580 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24P72E8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLK0M 118.1200
RFQ
 ECAD 1042 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AQ12P72D8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLF8M 67.1184
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ12P72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ48M72E8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNH9M 258.1215
RFQ
 ECAD 4821 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ48M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
AQ56M72X8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKK0 39.2084
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
A4C08QW8BLRCME ATP Electronics, Inc. A4C08QW8BLRCME 132.0464
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 288-udimm A4C08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW12P6438BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 59.4340
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-udimm AW12P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
AQ24M64B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLK0M 95.3610
RFQ
 ECAD 7031 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
AW24M7228BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLHHH9MW 128.2640
RFQ
 ECAD 5352 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1333
AW56P6438BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKF8 40.0196
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW56P6438 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 68.2776
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
A4B08QF4BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QF4BLPBSE 133.2044
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4B08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW24P64F8BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLHHHH9MW 117.8946
RFQ
 ECAD 9978 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1333
AB28L72L4BHC4M ATP Electronics, Inc. AB28L72L4BHC4M 143.7738
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 184-rdimm AB28L72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 1GB
AT28L7228BHC4M ATP Electronics, Inc. AT28L7228BHC4M 110.1818
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 - AT28L7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 1GB
A4D08QB8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4D08QB8BLPBSE 69.7766
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4D08 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW24P7248BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24P7248BLF8M 120.7880
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-RDIMM AW24P7248 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
AY24M7278MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7278MNK0M 196.6591
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 204-miniudimm AY24M7278 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 8GB
AQ24M72Y8BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ24M72YBLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 102.0000
RFQ
 ECAD 7626 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ24M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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