SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT4VDDT3264WG-335C1 Micron Technology Inc. MT4VDDT3264WG-335C1 -
RFQ
ECAD 7078 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 172-udimm mt4vdt - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MT36VDDF25672Y-40BF3 Micron Technology Inc. MT36VDDF25672Y-40BF3 -
RFQ
ECAD 4653 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-rdimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR SDRAM 2GB 400
MT16HTF12864HZ-667G1 Micron Technology Inc. MT16HTF12864Hz-667G1 -
RFQ
ECAD 3249 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MTEDCAE004SAJ-1N3IT Micron Technology Inc. medcae004saj-1n3it -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 微米技术公司 E230 托盘 过时的 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 150 Flash -nand(slc) 4GB -
MT18HTF12872FDY-667D5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FDY-667D5E3 -
RFQ
ECAD 3734 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MTFDCAE008SAJ-1N1IT Micron Technology Inc. mtfdcae008saj-1n1it -
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand(slc) 8GB -
MT72JSZS4G72LZ-1G9N1A7 Micron Technology Inc. MT72JSS4G72LZ-1G9N1A7 -
RFQ
ECAD 7468 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 240-lrdimm MT72JSZS4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 32GB 1866年
MT9HTF12872RHZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872RHZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 2630 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sordimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
MTA8ATF2G64HZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA8ATF2G64Hz-3G2E1 -
RFQ
ECAD 5633 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 260-Sodimm MTA8ATF2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTA8ATF2G64Hz-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
MT9VDDT6472HG-40BD2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HG-40BD2 -
RFQ
ECAD 3736 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 557-1140 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 512MB 200
MT9VDDT3272PHG-335G2 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272PHG-335G2 -
RFQ
ECAD 8715 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MT9HVF6472KY-53EB2 Micron Technology Inc. MT9HVF6472KY-53EB2 -
RFQ
ECAD 1537年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
MT8VDDT6464HDG-335F2 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464HDG-335F2 -
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 333
MT18VDDT12872G-265D2 Micron Technology Inc. MT18VDDT12872G-265D2 -
RFQ
ECAD 2549 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-rdimm - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 266
MT5HTF3272KY-667B2 Micron Technology Inc. MT5HTF3272KY-667B2 -
RFQ
ECAD 6331 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 667
MT18HTF25672PY-667A2 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PY-667A2 1.0000
RFQ
ECAD 1060 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 667
MT36HTF1G72PZ-80EC1 Micron Technology Inc. MT36HTF1G72PZ-80EC1 -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 8GB 800
MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 91.9676
RFQ
ECAD 3382 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 上次购买 - MTA18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 16 GB
MT36VDDT51272G-265A2 Micron Technology Inc. MT36VDDT51272G-265A2 4.0000
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 184-rdimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 4GB 266
MT4HTF3264HZ-800G1 Micron Technology Inc. MT4HTF3264Hz-800G1 -
RFQ
ECAD 6194 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm MT4HTF - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 100 DDR2 SDRAM 256MB 800
MTEDCAE004SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. medcae004saj-1n2it -
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand(slc) 4GB -
MT9LSDT1672AG-133G1 Micron Technology Inc. MT9LSDT1672AG-133G1 69.7739
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 168-udimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 128MB 133
MT9HTF12872RHZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872RHZ-667H1 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sordimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MT9VDDT6472G-265D2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472G-265D2 -
RFQ
ECAD 1030 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-rdimm - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 266
MT9HTF6472KY-667B3 Micron Technology Inc. MT9HTF6472KY-667B3 -
RFQ
ECAD 1526年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 667
MTA18ASF1G72HZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72HZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 260-Sodimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 8GB 2666
MT36KDZS2G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT36KDZS2G72PZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 16 GB 1600
MT9HVF6472Y-53EB1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472Y-53EB1 -
RFQ
ECAD 7887 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 244-MDIMM - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
MT9JSF12872AZ-1G4J1 Micron Technology Inc. MT9JSF12872AZ-1G4J1 -
RFQ
ECAD 7340 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 1GB 1333
MT8KTF25664HZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT8KTF25664Hz-1G4M1 -
RFQ
ECAD 6823 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 2GB 1333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库