SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT18LSDT12872AG-133C1 Micron Technology Inc. MT18LSDT12872AG-133C1 -
RFQ
ECAD 5365 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 168-udimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 1GB 133
MT18KSF51272AZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272AZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4GB 1333
MT4HTF6464AY-667E1 Micron Technology Inc. MT4HTF6464AY-667E1 -
RFQ
ECAD 1452 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm MT4HTF 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 557-1351 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 667
MT18HTF12872FDY-53EB5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FDY-53EB5E3 -
RFQ
ECAD 6492 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
MT8KTF12864AZ-1G1G1 Micron Technology Inc. MT8KTF12864AZ-1G1G1 -
RFQ
ECAD 5411 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 DDR3L SDRAM 1GB 1066
MT18VDDT6472AY-40BK1 Micron Technology Inc. MT18VDDT6472AY-40BK1 -
RFQ
ECAD 1678年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 184-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 4A994J 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
MT9LSDT1672AG-13EG3 Micron Technology Inc. MT9LSDT1672AG-13EG3 74.0182
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 168-udimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 128MB 133
MT8VDDT6464AG-40BD3 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464AG-40BD3 -
RFQ
ECAD 9324 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-udimm - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
MT5HTF3272KY-53EB1 Micron Technology Inc. MT5HTF3272KY-53EB1 -
RFQ
ECAD 5807 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 244毫米 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 533
MT9HVF6472PKY-80ED4 Micron Technology Inc. MT9HVF6472PKY-80ED4 -
RFQ
ECAD 9773 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 244毫米 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 800
MTA16ATF4G64AZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA16ATF4G64AZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 1081 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 288-udimm MTA16 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTA16ATF4G64AZ-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 3200
MT18LSDT12872G-13EC2 Micron Technology Inc. MT18LSDT12872G-13EC2 832.0304
RFQ
ECAD 4845 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 168-RDIMM 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 1GB 133
MTEDCAR004SAJ-1N2 Micron Technology Inc. MedCar004SAJ-1N2 -
RFQ
ECAD 3333 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 100 Flash -nand(slc) 4GB -
MT18HVS51272PKZ-667C1 Micron Technology Inc. MT18HVS51272PKZ-667C1 -
RFQ
ECAD 2793 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 244毫米 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4GB 667
MTA16ATF2G64AZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64AZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 GB 2133
MTA18ASF2G72PF1Z-2G6V21AB Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PF1Z-2G6V21AB -
RFQ
ECAD 3312 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-NVDIMM MTA18 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
MT18VDVF12872DG-40BF1 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872DG-40BF1 -
RFQ
ECAD 7616 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 184-rdimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 400
MTA9ASF1G72AZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72AZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 8085 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-udimm - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2133
MT16HTS25664HY-667A1 Micron Technology Inc. MT16HTS25664HY-667A1 1.0000
RFQ
ECAD 2352 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 667
MT18KSF25672AZ-1G4G1 Micron Technology Inc. MT18KSF25672AZ-1G4G1 -
RFQ
ECAD 5938 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 2GB 1333
MT9VDDT6472HG-335F2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HG-335F2 -
RFQ
ECAD 8916 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 333
MT36VDDF25672Y-40BF3 Micron Technology Inc. MT36VDDF25672Y-40BF3 -
RFQ
ECAD 4653 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-rdimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR SDRAM 2GB 400
MT16HTF12864HZ-667G1 Micron Technology Inc. MT16HTF12864Hz-667G1 -
RFQ
ECAD 3249 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MTEDCAE004SAJ-1N3IT Micron Technology Inc. medcae004saj-1n3it -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 微米技术公司 E230 托盘 过时的 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 150 Flash -nand(slc) 4GB -
MT18HTF12872FDY-667D5E3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FDY-667D5E3 -
RFQ
ECAD 3734 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
MT72JSZS4G72LZ-1G9N1A7 Micron Technology Inc. MT72JSS4G72LZ-1G9N1A7 -
RFQ
ECAD 7468 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 240-lrdimm MT72JSZS4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 32GB 1866年
MT9HTF12872RHZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT9HTF12872RHZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 2630 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sordimm - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
MTA8ATF2G64HZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA8ATF2G64Hz-3G2E1 -
RFQ
ECAD 5633 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 260-Sodimm MTA8ATF2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 557-MTA8ATF2G64Hz-3G2E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
MT9VDDT6472HG-40BD2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HG-40BD2 -
RFQ
ECAD 3736 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 557-1140 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 512MB 200
MT9VDDT3272PHG-335G2 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272PHG-335G2 -
RFQ
ECAD 8715 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 200-sodimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库