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内存 -模块（ -8）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 包装 /案例 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 内存类型 | 内存大小 | 转移率（MB/S，MT/S，MHz） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7MP4120S15Z | - |  | 3983 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 72-SSIP模块 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | 4MB | - | |
| 7MP4120S20M | 272.0300 | | 3 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 72-simm | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | 4MB | - | |
| 7MPV4145S20M | 40.9300 | | 201 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 72-simm | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | 8MB | - | |
| 7MPV4163S10M | 236.6500 | | 3 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 144-Sodimm | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | 18MB | - | |
| 7MBV4153SA50 | 72.2300 | | 7 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | - | 50 | |
| 7MP4120S25M | 272.0300 | | 13 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 72-simm | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | 4MB | - | |
| 7MPV4145S15M | 40.9300 | | 230 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 72-simm | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | 8MB | - | |
| 7MP4045S45Z | 50.0000 | | 7 | 0.00000000 | IDT，Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 64-sip模块 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | SRAM | 1MB | - |
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