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| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 基本产品编号 | 技术 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 内存类型 | 内存大小 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ISC3E-008GW | 125.7700 |  | 7832 | 0.00000000 | 阿达塔 | ISC3E | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 4670-ISC3E-008GW | 1 | - | CFAST | 8GB | |||||
 | RP-SMSC08DA1 | - | | 4529 | 0.00000000 | 松下电子组件 | sc | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | RP-SMSC08 | SLC | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | P17014 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 50 | 班级10，UHS 1级 | microSDHC™ | 8GB | ||
 | SFSD4096N3BM1TO-E-GE-2CP-STD | - | | 8926 | 0.00000000 | 瑞士 | S-46U | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C | SFSD4096 | PSLC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 606051 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 班级10，UHS 1级 | microSDHC™ | 4GB | ||
| AP-CF008GJ9FS-NDRM | - | | 2436 | 0.00000000 | Apacer Memory America | CFC 5 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | MLC | - | 1582-AP-CF008GJ9FS-NDRM | 过时的 | 1 | - | compactflash® | 8GB | ||||||
 | AP-MSD16GCA-5RDM | 41.6600 | | 4042 | 0.00000000 | Apacer Memory America | microSD H1-m | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1582-AP-MSD16GCA-5RDM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 班级10，UHS 1级 | microSD™ | 16 GB | ||
| APCFA032GBAN-FTM1 | - | | 1393 | 0.00000000 | Apacer Memory America | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | CFAST | 32GB | ||||
| SF04APGEN-U3000-3 | - | | 8801 | 0.00000000 | Delkin设备，Inc。 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -25°C〜85°C | PSLC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3247-SF04APGEN-U3000-3 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 25 | - | SD™ | 4GB | |||
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| SMS512DFA5E | - | | 8125 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C | - | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -SMS512DFA5E | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 120 | 第2 | microSD™ | 512MB | ||
| SQF-S10S2-2G-S9E | 54.1300 | | 5055 | 0.00000000 | Advantech Corp | SQF-S10 630 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | SQF-S10 | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | compactflash® | 2GB | ||
 | SFSD0512N1TO-I-ME-221-STD | 24.7100 | | 9114 | 0.00000000 | 瑞士 | S-600U | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | SLC | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 24 | 班级10，UHS 1级 | microSD™ | 512MB | |||
| AP-CF032GJ9FS-ETNDNR | - | | 5327 | 0.00000000 | Apacer Memory America | CFC 5 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | MLC | - | 1582-AP-CF032GJ9FS-ETNDNR | 过时的 | 1 | - | compactflash® | 32GB | ||||||
 | RP-SMLF32DA1 | - | | 3533 | 0.00000000 | 松下电子组件 | lf | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C | RP-SMLF32 | TLC | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8523.51.0000 | 100 | 班级10，UHS 1级 | microSDHC™ | 32GB | ||||
| SQF-P10M2-8G-P9E | - | | 9978 | 0.00000000 | Advantech Corp | SQF-P10 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | SQF-P10 | MLC | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | compactflash® | 8GB | |||
 | AF64GSD4-BBBIM | 34.6700 | | 14 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | AF64GSD4 | TLC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1282-AF64GSD4-BBBIM | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 32 | 班级10，UHS 3级 | SDXC™ | 64GB | ||
| SFSD0512L1BN1TO-E-ME-151-EA1 | - | | 5633 | 0.00000000 | 瑞士 | S-200 | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C | SLC | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 1052-SFSD0512L1BN1TO-E-ME-151-EA1 | 过时的 | 1 | 6级 | SD™ | 512MB | ||||
 | SE16ANZJP-1B000-3 | 27.6900 | | 35 | 0.00000000 | Delkin设备，Inc。 | D300 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3247-SE16ANZJP-1B000-3 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 班级10，UHS 1级 | SDHC™ | 16 GB | ||
 | IDU3A-064GT | 96.2800 | | 6185 | 0.00000000 | 阿达塔 | idu3a | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | MLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 4670-IDU3A-064GT | 1 | - | SD™ | 64GB | |||||
 | RP-TMTC25DA1 | - | | 9783 | 0.00000000 | 松下电子组件 | TC | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C | RP-TMTC25 | - | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8523.51.0000 | 50 | 班级10，UHS 1级 | microSDXC™ | 256GB | |||
| SFCF064GH1AF4TO-C-QT-517-STD | 729.0000 | | 9973 | 0.00000000 | 瑞士 | C-500 | 大部分 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C | SFCF064 | SLC | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 606705 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | compactflash® | 64GB | |
 | APCFA016GACAN-AT | - | | 3919 | 0.00000000 | Apacer Memory America | Cfast 2 Std | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | APCFA016G | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 81.3cl40.3t001ba | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | CFAST | 16 GB | ||
| AF4GUD3A-WAAIX | - | | 1272 | 0.00000000 | ATP电子，Inc。 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | AMLC | - | rohs3符合条件 | 1282-AF4GUD3A-WAAIX | 1 | 班级10，UHS 1级 | MicroSD™，MicroSDHC™ | 4GB | ||||||
 | SFCF32GBH2BU4TO-C-QT-527-STD | - | | 4102 | 0.00000000 | 瑞士 | C-440 | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | SFCF32 | SLC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 604131 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | compactflash® | 32GB | ||
| SQF-MMCM2-32G-M5C | 37.1600 | | 7457 | 0.00000000 | Advantech Corp | - | 大部分 | 积极的 | - | 2084-SQF-MMCM2-32G-M5C | 1 | ||||||||||||
 | DESDM-B56S06GW1SL | 136.6200 | | 8 | 0.00000000 | Innodisk USA公司 | 3TE4 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | TLC | 下载 | （1 （无限） | 4265-DESDM-B56S06GW1SL | 3A991A2 | 8523.51.0000 | 1 | 班级10，UHS 1级 | microSD™ | 256GB | ||||
 | DECFX-A28DD1KCADF | 80.7700 | | 7 | 0.00000000 | Innodisk USA公司 | 3TE6 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | TLC | - | （1 （无限） | 4265-DECFX-A28DD1KCADF | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | CFExpress | 128GB | ||||
 | DESDC-A28S06GE1SL | 68.1400 | | 10 | 0.00000000 | Innodisk USA公司 | 3TE4 | 大部分 | 积极的 | -25°C〜85°C | TLC | 下载 | （1 （无限） | 4265-DESDC-A28S06GE1SL | 1 | - | SD™ | 128GB | ||||||
 | DECFC-04GYA2AC2DB | 107.2000 | | 9 | 0.00000000 | Innodisk USA公司 | 1SE3 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | SLC | 下载 | （1 （无限） | 4265-DECFC-04GYA2AC2DB | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | compactflash® | 4GB | ||||
 | DESDM-32GS02SE1SK | 60.1000 | | 10 | 0.00000000 | Innodisk USA公司 | 3me3 | 大部分 | 积极的 | -25°C〜85°C | MLC | 下载 | （1 （无限） | 4265-DESDM-32GS02SE1SK | 1 | 班级10，UHS 1级 | microSD™ | 32GB | ||||||
| DECFC-64GYA2AC2DB | 932.9100 | | 1556年 | 0.00000000 | Innodisk USA公司 | 1SE3 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | SLC | 下载 | （1 （无限） | 4265-DECFC-64GYA2AC2DB | 1 | - | compactflash® | 64GB |
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