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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
MCT5210S Fairchild Semiconductor MCT5210S 0.1800
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 100 150mA - 30V 1.25V 50 mA 5300vrms 70% @ 3mA - 10µs,400ns 400mv
MOC3082SM Fairchild Semiconductor MOC3082SM 0.5000
RFQ
ECAD 844 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 MOC308 Ul 1 TRIAC 6-SMD 下载 Ear99 8541.49.8000 601 1.3V 60 ma 4170VRM 800 v 500µA(500µA) 是的 600V/µs 10mA -
MOCD208R2VM Fairchild Semiconductor MOCD208R2VM 0.4800
RFQ
ECAD 7354 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 2 晶体管 8-SOIC - rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,500 150mA 3.2µs,4.7µs 70V 1.25V 60 ma 2500vrms 40% @ 10mA 125 @ @ 10mA 7.5µs,5.7µs 400mv
6N135V Fairchild Semiconductor 6n135v 0.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 381 8mA - 20V 1.45V 25 ma 2500vrms 7% @ 16mA 50% @ 16mA 450NS,500NS -
H11G1300 Fairchild Semiconductor H11G1300 -
RFQ
ECAD 8911 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 269 - - 100V 1.3V 60 ma 5300vrms 1000 @ @ 10mA - 5µs,100µs 1V
MOC213R2VM Fairchild Semiconductor MOC213R2VM 0.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 1 晶体管带有基部 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,500 150mA 3.2µs,4.7µs 30V 1.15V 60 ma 2500vrms 100 @ @ 10mA - 7.5µs,5.7µs 400mv
CNY173 Fairchild Semiconductor CNY173 0.1900
RFQ
ECAD 1639年 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 300 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA 2µs,3µs 300mv
4N26M Fairchild Semiconductor 4n26m 0.1700
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 64 - - 80V 1.2V 60 ma 5000vrm 20% @ 10mA - 3µs,3µs 500mv
4N38SM Fairchild Semiconductor 4N38SM -
RFQ
ECAD 3219 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 Ear99 8541.49.8000 1,008 100mA - 80V 1.15V 80 ma 4170VRM 20% @ 10mA - 5µs,5µs 1V
CNY17F4M Fairchild Semiconductor CNY17F4M 0.1800
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) CNY17F DC 1 晶体管 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1 50mA 4µs,3.5µs((3.5µs)) 70V 1.35V 60 ma 4170VRM 160 @ @ 10mA 320% @ 10mA 2µs,3µs 400mv
FOD4218 Fairchild Semiconductor FOD4218 -
RFQ
ECAD 1869年 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) FOD421 Cul,Fimko,UL 1 TRIAC 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1 1.28V 30 ma 5000vrm 800 v 500µA 10kV/µs 1.3mA 60µs
FOD2711V Fairchild Semiconductor FOD2711V 0.2900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管 8点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA - 30V 1.5v (最大) 5000vrm 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
FOD3150 Fairchild Semiconductor FOD3150 0.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) 光学耦合 - 1 8点 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-FOD3150 Ear99 8541.49.8000 387 1a,1a 1.5a 60n,60n 1.5V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 500NS,500NS 300NS 15V〜30V
H11A817B300W Fairchild Semiconductor H11A817B300W -
RFQ
ECAD 5385 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管 4点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2.4µs,2.4µs 70V 1.2V 50 mA 5300vrms 130 @ @ 5mA 260 @ @ 5mA - 200mv
4N37TM Fairchild Semiconductor 4n37tm -
RFQ
ECAD 1353 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 ma 4170VRM 100 @ @ 10mA - 2µs,2µs 300mv
H11G1TVM Fairchild Semiconductor H11G1TVM -
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1 - - 100V 1.3V 60 ma 4170VRM 1000 @ @ 10mA - 5µs,100µs 1V
H11D2SR2VM Fairchild Semiconductor H11D2SR2VM 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 ma 7500VPK 20% @ 10mA - 5µs,5µs 400mv
MCT2EVM Fairchild Semiconductor mct2evm -
RFQ
ECAD 9563 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 2µs,1.5µs 30V 1.25V 60 ma 7500VPK 20% @ 10mA - 2µs,2µs 400mv
H11AV1VM Fairchild Semiconductor H11AV1VM 0.2900
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1,030 - - 70V 1.18V 60 ma 4170VRM 100 @ @ 10mA 300 @ @ 10mA 15µs,15µs (最大) 400mv
4N37TVM Fairchild Semiconductor 4N37TVM 0.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1,210 - - 30V 1.18V 60 ma 4170VRM 100 @ @ 10mA - 2µs,2µs 300mv
CNX36U Fairchild Semiconductor CNX36U -
RFQ
ECAD 8238 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 ma 5300vrms 80% @ 10mA 200 @ @ 10mA 20µs,20µs 400mv
MOC3021FM Fairchild Semiconductor MOC3021FM 0.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 - 表面安装 6-SMD,鸥翼 MOC302 - 1 TRIAC 6-SMD 下载 不适用 Ear99 8541.49.8000 1,000 - 60 ma 7500VPK 400 v 100µA((100µA) - 15mA -
HMA124R1 Fairchild Semiconductor HMA124R1 0.1000
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 80mA 3µs,3µs 80V 1.3v (最大) 50 mA 3750vrms 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA - 400mv
H11F2 Fairchild Semiconductor H11F2 1.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) H11F DC 1 MOSFET 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 ma 5300vrms - - 25µs,25µs(25µs) -
MOC3042TVM Fairchild Semiconductor MOC3042TVM 0.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) MOC304 IEC/EN/DIN,UL 1 TRIAC 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 496 1.25V 60 ma 4170VRM 400 v 400µA() 是的 1kV/µs 10mA -
MOC223VM Fairchild Semiconductor MOC223VM 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 盒子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 1 达灵顿与基地 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 8µs,110µs 30V 1.08V 60 ma 2500vrms 500 @ @ 1mA - 10µs,125µs 1V
6N137SD Fairchild Semiconductor 6n137sd 0.9500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50 mA 10Mbps 50ns,12ns 1.4V 50mA 2500vrms 1/0 10kV/µs(typ) 75NS,75NS
4N31SD Fairchild Semiconductor 4N31SD -
RFQ
ECAD 5136 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 达灵顿与基地 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,000 150mA - 30V 1.2V 80 ma 5300vrms 50% @ 10mA - 5µs,40µs (最大) 1.2V
H11F1M Fairchild Semiconductor H11F1M -
RFQ
ECAD 7574 0.00000000 Fairchild半导体 - 盒子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) H11F DC 1 MOSFET 6浸 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3845-H11F1M Ear99 1 100mA - 30V 1.3V 60 ma 4170VRM - - 45µs,45µs (最大) -
CNY172SM Fairchild Semiconductor CNY172SM 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 Ear99 8541.49.8000 1,685 50mA 4µs,3.5µs((3.5µs)) 70V 1.35V 60 ma 4170VRM 63 @ @ 10mA 125 @ @ 10mA 2µs,3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库