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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 输出类型 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 电流 - 输出/通道 | 数据速率 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 输出(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 保持 (Ih) | 输入 - 侧面 1/侧面 2 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 | 电流传输率比(最小) | 电流传输比(最大) | 打开/关闭T(典型值) | Vce 渗透度(最大) | 过零电路 | 静态 dV/dt(简单) | 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) | 开启T |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 6N135W | - | ![]() | 6970 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | 6N135 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 8-MDIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 6N135W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8毫安 | - | 20V | 1.45V | 25毫安 | 2500Vrms | 7%@16mA | 50%@16mA | 450纳秒、500纳秒 | - | |||||||||||||||||||
| H11L3VM | 1.7100 | ![]() | 234 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~85℃ | 通孔 | 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | H11L3 | 直流 | 1 | 集电极开路 | 3V~15V | 6-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50毫安 | 1兆赫兹 | 100纳秒,100纳秒 | 1.2V | 30毫安 | 4170Vrms | 1/0 | - | 4μs, 4μs | ||||||||||||||||||||
| FOD4108 | 3.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -55℃~100℃ | 通孔 | 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 异物检测410 | 加拿大标准协会、美国UL | 1 | 所在晶闸管 | 6-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.25V | 30毫安 | 5000Vrms | 800V | 500μA | 是的 | 10kV/微秒 | 2毫安 | 60微秒 | |||||||||||||||||||||
![]() | FOD817A | 0.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 异物检测817 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 4微秒、3微秒 | 70V | 1.2V | 50毫安 | 5000Vrms | 80% @ 5mA | 160% @ 5mA | - | 200毫伏 | |||||||||||||||||||
![]() | NCD57256DR2G | 5.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 3.5A、3.5A | 3.5A、6.5A | 12纳秒、10纳秒 | - | 2500Vrms | 100kV/μs | 80纳秒, 80纳秒 | 20纳秒 | 32V | |||||||||||||||||||||
![]() | H11AG3300W | - | ![]() | 2637 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | H11A | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 6-DIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | H11AG3300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50毫安 | - | 30V | 1.5V(最大) | 50毫安 | 5300Vrms | 20%@1mA | - | 5μs、5μs | 400毫伏 | |||||||||||||||||||
![]() | NCV57000DWR2G | 6.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | NCV57000 | 电容耦合器 | UL、德国电气协会 | 1 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 7.8A、7.1A | - | 10纳秒、15纳秒 | - | 1200Vrms | 100kV/μs | 90纳秒, 90纳秒 | - | 0V~24V | ||||||||||||||||||||
![]() | CNW11AV1SD | - | ![]() | 6438 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 表面贴装 | 6-SMD,鸥翼式 | CNW11 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 6-SMD | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100毫安 | - | 70V | - | 100毫安 | 4000Vrms | 100%@10mA | 300%@10mA | - | 400毫伏 | |||||||||||||||||||
![]() | HCPL2531VM | 3.0900 | ![]() | 5995 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | HCPL2531 | 直流 | 2 | 晶体管 | 8-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8毫安 | - | 20V | 1.45V | 25毫安 | 5000Vrms | 19% @ 16mA | 50%@16mA | 250纳秒、260纳秒 | - | |||||||||||||||||||
![]() | MOC216VM | - | ![]() | 6416 | 0.00000000 | onsemi | - | 盒子 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 莫克216 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 150毫安 | 3.2μs、4.7μs | 30V | 1.07V | 60毫安 | 2500Vrms | 50%@1mA | - | 7.5μs、5.7μs | 400毫伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | 异物检测3182 | 3.3200 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 异物检测318 | 光耦合器 | UL | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2.5A、2.5A | 3A | 38纳秒、24纳秒 | 1.43V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 210纳秒, 210纳秒 | 65纳秒 | 10V~30V | |||||||||||||||||||
| NCD57090EDWR2G | 2.9400 | ![]() | 7513 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | NCD57090 | 电容耦合器 | VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6.5A、6.5A | 6.5A | 13纳秒, 13纳秒 | - | 5000Vrms | 100kV/μs(顶部) | 90纳秒, 90纳秒 | 25纳秒 | 0V~32V | |||||||||||||||||||||
![]() | HCPL0452R2V | - | ![]() | 8907 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | HCPL04 | 直流 | 1 | 晶体管 | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,500人 | 8毫安 | - | 20V | 1.45V | 25毫安 | 2500Vrms | 19% @ 16mA | 50%@16mA | 450纳秒、300纳秒 | - | ||||||||||||||||||||
![]() | FOD8320 | 6.4300 | ![]() | 2930 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.362英寸,9.20毫米宽),5引脚 | 异物检测832 | 光耦合器 | UL | 1 | 5-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1990-FOD8320 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 2A, 2A | 3A | 60纳秒, 60纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 400纳秒, 400纳秒 | 100纳秒 | 16V~30V | ||||||||||||||||||
![]() | MOC3071SR2VM | 0.3873 | ![]() | 4683 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 6-SMD,鸥翼式 | 莫克307 | UL、德国电气协会 | 1 | 所在晶闸管 | 6-SMD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 488-MOC3071SR2VMTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.18V | 60毫安 | 4170Vrms | 800V | 540μA(典型值) | 不 | 1kV/微秒 | 15毫安 | - | |||||||||||||||||||
| FOD617BSD | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 4-SMD,鸥翼式 | FOD617 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50毫安 | 4微秒、3微秒 | 70V | 1.35V | 50毫安 | 5000Vrms | 63% @ 10mA | 125%@10mA | - | 400毫伏 | |||||||||||||||||||||
![]() | HMA121BR4 | - | ![]() | 2287 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 4-SMD,鸥翼式 | HMA121 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,500人 | 80毫安 | 3微秒、3微秒 | 80V | 1.3V(最大) | 50毫安 | 3750Vrms | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | - | 400毫伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | FOD053LR1 | - | ![]() | 4121 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | FOD053 | 直流 | 2 | 晶体管 | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8毫安 | - | 7V | 1.45V | 25毫安 | 2500Vrms | 15%@16mA | 50%@16mA | 1μs、1μs(顶部) | - | ||||||||||||||||||||
![]() | HMA2701R2V | - | ![]() | 2038 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 4-SMD,鸥翼式 | HMA270 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,500人 | 80毫安 | 3微秒、3微秒 | 40V | 1.3V(最大) | 50毫安 | 3750Vrms | 50% @ 5mA | 300% @ 5mA | - | 300毫伏 | ||||||||||||||||||||
![]() | FOD816300 | - | ![]() | 1835年 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -30℃~100℃ | 通孔 | 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 异物检测816 | 交流、 直流 | 1 | 达林顿 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 80毫安 | 60μs、53μs | 1.2V | 50毫安 | 5000Vrms | |||||||||||||||||||||||||
| NCD57080BDR2G | 5.1000 | ![]() | 7480 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | NCD57080 | 电容耦合器 | - | 1 | 8-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 6.5A、6.5A | 6.5A | 13纳秒, 13纳秒 | - | 3750Vrms | 100kV/μs | 90纳秒, 90纳秒 | - | 0V~32V | |||||||||||||||||||||
| NCV57081ADR2G | 5.6200 | ![]() | 7934 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | UL、德国电气协会 | 1 | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 6.5A、6.5A | 6.5A | 13纳秒, 13纳秒 | - | 3750Vrms | 100kV/μs | 90纳秒, 90纳秒 | 25纳秒 | 0V~32V | ||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL2611VM | - | ![]() | 1901年 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~85℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 直流 | 1 | 集电极开路 | 5.5V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 488-HCPL2611VM | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50毫安 | 10Mbps | 50纳秒、12纳秒 | 1.4V | 50毫安 | 2500Vrms | 1/0 | 10kV/微秒 | 75纳秒, 75纳秒 | |||||||||||||||||||
![]() | FOD3184SD | 3.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 异物检测3184 | 光耦合器 | UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2.5A、2.5A | 3A | 38纳秒、24纳秒 | 1.43V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 210纳秒, 210纳秒 | 65纳秒 | 15V~30V | |||||||||||||||||||
| MCT210M | - | ![]() | 7311 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | MCT210 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 6-DIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 30毫安 | 1微秒、11微秒 | 30V | 1.33V | 60毫安 | 7500Vpk | 150%@10mA | - | 1微秒、50微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||||||||
![]() | FOD8163R2 | 3.0400 | ![]() | 7511 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | FOD8163 | 直流 | 1 | 集电极开路,肖特基钳位 | 3V~5.5V | 6-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50毫安 | 10Mbps | 20纳秒、10纳秒 | 1.45V | 25毫安 | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/μs | 90纳秒、80纳秒 | |||||||||||||||||||
![]() | NCV57256DR2G | 5.6200 | ![]() | 2591 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 3.5A、3.5A | 3.5A、6.5A | 12纳秒、10纳秒 | - | 2500Vrms | 100kV/μs | 80纳秒, 80纳秒 | 20纳秒 | 32V | |||||||||||||||||||||
| 异物检测4216 | 3.9700 | ![]() | 第354章 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~100℃ | 通孔 | 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 异物检测421 | cUL、FIMKO、UL | 1 | 所在晶闸管 | 6-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.28V | 30毫安 | 5000Vrms | 600伏 | 500μA | 不 | 10kV/微秒 | 1.3毫安 | 60微秒 | |||||||||||||||||||||
![]() | FOD3120SV | 2.1200 | ![]() | 8196 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | FOD3120 | 光耦合器 | 国际电工委员会、美国UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2832-FOD3120SV | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 3A | 60纳秒, 60纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 400纳秒, 400纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||||||||
![]() | FODM452 | 2.8300 | ![]() | 第936章 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 | FODM45 | 直流 | 1 | 晶体管 | 5 间迷你公寓 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 8毫安 | - | 20V | 1.6V | 25毫安 | 3750Vrms | 20%@16mA | 50%@16mA | 400纳秒、350纳秒 | - |

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