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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大) 过零电路 静态 dV/dt(简单) 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) 开启T
MOC8050M onsemi MOC8050M 0.7400
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ECAD 5567 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MOC8050 直流 1 达林顿 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 50 150毫安 - 80V 1.18V 60毫安 4170Vrms 500%@10mA - 8.5μs、95μs -
H11A817300 onsemi H11A817300 -
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ECAD 9786 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11A 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11A817300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2.4μs、2.4μs 70V 1.2V 50毫安 5300Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200毫伏
MOC3012FR2VM onsemi MOC3012FR2VM -
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ECAD 2182 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 莫克301 - 1 所在晶闸管 6-SMD - 1(无限制) REACH 不出行 MOC3012FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60毫安 7500Vpk 250伏 100μA(典型值) - 5毫安 -
SL5583300W onsemi SL5583300W -
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ECAD 7129 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) SL5583 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 SL5583300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100毫安 - 50V 1.2V 100毫安 5300Vrms 40%@10mA 320%@10mA 20μs、50μs(顶部) 400毫伏
MCT210 onsemi MCT210 -
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ECAD 5616 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MCT210 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 1微秒、11微秒 30V 1.33V 100毫安 5300Vrms 150%@10mA - 1微秒、50微秒 400毫伏
FOD073LR1 onsemi FOD073LR1 -
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ECAD 1580 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) FOD073 直流 2 达林顿 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 500 60毫安 - 7V 1.35V 20毫安 2500Vrms 400%@500μA 7000%@500μA 5微秒、25微秒 -
FOD4108SDV onsemi FOD4108SDV 4.1800
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 FOD4108 CSA、UL、VDE 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30毫安 5000Vrms 800V 500μA 是的 10kV/微秒 2毫安 60微秒
H11D33S onsemi H11D33S -
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ECAD 2833 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 H11D 直流 1 带基极晶体管 6-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11D33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100毫安 - 200V 1.15V 80毫安 5300Vrms 20%@10mA - 5μs、5μs 400毫伏
MCT62 onsemi MCT62 0.9500
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ECAD 8 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MCT62 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 50 30毫安 - 30V 1.2V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA - 2.4μs、2.4μs 400毫伏
FODM3012R1 onsemi FODM3012R1 -
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ECAD 7582 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 FODM30 BSI、CSA、UL 1 所在晶闸管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60毫安 3750Vrms 250伏 70毫安 300μA(典型值) 10V/μs(典型值) 5毫安 -
74OL6001 onsemi 74OL6001 -
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ECAD 8854 0.00000000 onsemi 光学™ 管子 过时的 0℃~70℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 74OL600 逻辑 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 40毫安 15MBd 45纳秒、5纳秒 - - 5300Vrms 1/0 5kV/微秒 100纳秒,100纳秒
FOD852 onsemi 异物检测852 1.1400
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ECAD 3 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -30℃~100℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 异物检测852 直流 1 达林顿 4-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 100 150毫安 100μs、20μs 300V 1.2V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA 15000%@1mA - 1.2V
H11N2SD onsemi H11N2SD -
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ECAD 3899 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 甲型H11N 直流 1 集电极开路 - 6-SMD 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 5兆赫兹 - 1.4V 5毫安 7500Vrms 1/0 - 330纳秒, 330纳秒
74OL6011300W onsemi 74OL6011300W -
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ECAD 7565 0.00000000 onsemi 光学™ 管子 过时的 0℃~70℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) 74OL601 逻辑 1 集电极开路,肖特基钳位 4.5V~15V 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 40毫安 15MBd 50纳秒、5纳秒 - - 5300Vrms 1/0 5kV/微秒 180纳秒、120纳秒
MOC3163SM onsemi MOC3163SM 1.9300
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ECAD 988 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 莫克316 UL 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 MOC3163SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60毫安 4170Vrms 600伏 500μA(典型值) 是的 1kV/微秒 5毫安 -
4N26W onsemi 4N26W -
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ECAD 8479 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) 4N26 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 4N26W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100毫安 5300Vrms 20%@10mA - 2微秒、2微秒 500毫伏
HMHAA280R3 onsemi HMHAA280R3 -
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ECAD 1814 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 4-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) HMHAA28 交流、 直流 1 晶体管 4 间迷你公寓 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 3微秒、3微秒 80V 1.4V(最大) 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400毫伏
H11B3300 onsemi H11B3300 -
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ECAD 6886 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11B 直流 1 携带底座到达林顿管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11B3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.35V 100毫安 5300Vrms 100%@1mA - 25微秒、18微秒 1V
MOC3011M onsemi MOC3011M 0.7600
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 莫克301 UL 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60毫安 4170Vrms 250伏 100μA(典型值) - 10毫安 -
MOC3010SR2VM onsemi MOC3010SR2VM -
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ECAD 5645 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 莫克301 IEC/EN/DIN、UL 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 MOC3010SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60毫安 4170Vrms 250伏 100μA(典型值) - 15毫安 -
MCT5210300W onsemi MCT5210300W -
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ECAD 7541 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) MCT5 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 MCT5210300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150毫安 - 30V 1.25V 50毫安 5300Vrms 70%@3mA - 10微秒,400纳秒 400毫伏
MOC3032M onsemi MOC3032M 1.0800
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ECAD 第953章 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MOC303 UL 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60毫安 4170Vrms 250伏 400μA(典型值) 是的 1kV/微秒 10毫安 -
H11D3300 onsemi H11D3300 -
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ECAD 2391 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11D 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11D3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100毫安 - 200V 1.15V 80毫安 5300Vrms 20%@10mA - 5μs、5μs 400毫伏
MOC3061FR2M onsemi MOC3061FR2M -
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ECAD 2790 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 MOC306 - 1 所在晶闸管 6-SMD - 1(无限制) REACH 不出行 MOC3061FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60毫安 7500Vpk 600伏 500μA(典型值) 是的 - 15毫安 -
H11G2S onsemi H11G2S -
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ECAD 6629 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 H11G 直流 1 携带底座到达林顿管 6-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11G2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60毫安 5300Vrms 1000%@10mA - 5微秒、100微秒 1V
H11A617CW onsemi H11A617CW -
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ECAD 4464 0.00000000 onsemi - 盒子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11A 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2.4μs、2.4μs 70V 1.35V 50毫安 5300Vrms 100%@10mA 200%@10mA - 400毫伏
FOD617AW onsemi FOD617AW -
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ECAD 6276 0.00000000 onsemi - 盒子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) FOD617 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 4微秒、3微秒 70V 1.35V 50毫安 5000Vrms 40%@10mA 80%@10mA - 400毫伏
FOD617B3S onsemi FOD617B3S -
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ECAD 4113 0.00000000 onsemi - 盒子 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 FOD617 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 4微秒、3微秒 70V 1.35V 50毫安 5000Vrms 63% @ 10mA 125%@10mA - 400毫伏
HCPL0453R1 onsemi HCPL0453R1 -
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ECAD 2570 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) HCPL04 直流 1 晶体管 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 8毫安 - 20V 1.45V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA 50%@16mA 450纳秒、300纳秒 -
MOC8100SR2M onsemi MOC8100SR2M -
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ECAD 9329 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 莫克810 直流 1 带基极晶体管 6-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 MOC8100SR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2微秒、2微秒 30V 1.2V 60毫安 7500Vpk 30%@1mA - 20μs、20μs(顶部) 500毫伏
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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