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隔离器（（3348）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
MCT5211300W onsemi MCT5211300W -
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） MCT5 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 MCT5211300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA - 30V 1.25V 50 mA 5300vrms 150 @ @ 1.6mA - 14µs，2.5µs 400mv
CNX35USD onsemi CNX35USD -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 CNX35 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 CNX35USD-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 ma 5300vrms 40％ @ 10mA 160 @ @ 10mA 20µs，20µs 400mv
H11G23S onsemi H11G23S -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 H11G DC 1 达灵顿与基地 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 H11G23S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 ma 5300vrms 1000 @ @ 10mA - 5µs，100µs 1V
MCT5201300W onsemi MCT5201300W -
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） MCT5 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 MCT5201300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA 2.5µs，16µs 30V 1.25V 50 mA 5300vrms 120％ @ 5mA - 3µs，12µs 400mv
4N36300 onsemi 4N36300 -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N36 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 4N36300-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 ma 5300vrms 100 @ @ 10mA - 2µs，2µs 300mv
FODM452V onsemi FODM452V 0.8406
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 FODM452 DC 1 晶体管 5米尼 -弗拉特 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.6V 25 ma 3750vrms 20％ @ 16mA 50％ @ 16mA 400NS，350NS -
4N36SR2VM onsemi 4N36SR2VM -
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 4N36 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 4N36SR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 ma 4170VRM 100 @ @ 10mA - 2µs，2µs 300mv
HMHAA280R3V onsemi HMHAA280R3V -
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4- 材料（0.173“，4.40mm宽度） HMHAA28 AC，DC 1 晶体管 4米尼 -弗拉特 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 3µs，3µs 80V 1.4v （最大） 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA - 400mv
FOD817BW onsemi FOD817BW -
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Onmi - 盒子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） FOD817 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 4µs，3µs 70V 1.2V 50 mA 5000vrm 130 @ @ 5mA 260 @ @ 5mA - 200mv
H11D1S onsemi H11D1S -
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 H11D DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 ma 5300vrms 20％ @ 10mA - 5µs，5µs 400mv
H11C2S onsemi H11C2S -
RFQ
 ECAD 8160 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 H11C ur 1 scr 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 H11C2S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 ma 5300vrms 200 v 300 MA - 不 500V/µs 20mA -
MCT2202300 onsemi MCT2202300 -
RFQ
 ECAD 9311 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） MCT2 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 MCT2202300-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA - 30V 1.25V 100 ma 5300vrms 63 @ @ 10mA 125 @ @ 10mA 2µs，2µs 400mv
MOC3010FR2M onsemi MOC3010FR2M -
RFQ
 ECAD 7459 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 6-SMD，鸥翼 MOC301 - 1 TRIAC 6-SMD - （1 （无限） 到达不受影响 MOC3010FR2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - 60 ma 7500VPK 250 v 100µA（（100µA） 不 - 15mA -
6N138WV onsemi 6n138wv -
RFQ
 ECAD 2915 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（ 0.400英寸，10.16毫米） 6n138 DC 1 达灵顿与基地 8-mdip 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 60mA - 7V 1.3V 20 ma 2500vrms 300 @ @ 1.6mA - 1.5µs，7µs -
4N33SD onsemi 4N33SD -
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 4N33 DC 1 达灵顿与基地 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 4N33SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA - 30V 1.2V 80 ma 5300vrms 500 @ @ 10mA - 5µs，100µs （最大） 1V
FOD2712R2 onsemi FOD2712R2 -
RFQ
 ECAD 1646年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FOD271 DC 1 晶体管 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA - 30V 1.5v （最大） 2500vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
H11L3 onsemi H11L3 -
RFQ
 ECAD 4917 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 - 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） H11L DC 1 打开收藏首页 - 6浸 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 1MHz - - 5mA 5300vrms 1/0 - -
CNY1743S onsemi CNY1743S -
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 CNY174 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 CNY1743S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs，2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 320％ @ 10mA 2µs，3µs 300mv
MOC3022TM onsemi MOC3022TM -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） MOC302 Ul 1 TRIAC 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 MOC3022TM-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 ma 4170VRM 400 v 100µA（（100µA） 不 - 10mA -
MCT5211TVM onsemi MCT5211TVM 0.6163
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） MCT5211 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA - 30V 1.25V 50 mA 4170VRM 150 @ @ 1.6mA - 14µs，2.5µs 400mv
H11A617CS onsemi H11A617CS -
RFQ
 ECAD 6129 0.00000000 Onmi - 盒子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 H11a DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2.4µs，2.4µs 70V 1.35V 50 mA 5300vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
FOD2742BR2V onsemi FOD2742BR2V 1.8700
RFQ
 ECAD 4960 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FOD2742 DC 1 晶体管 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA - 70V 1.2V 2500vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
MOC3063TVM onsemi MOC3063TVM 1.0400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） MOC306 IEC/EN/DIN，UL 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 1.3V 60 ma 4170VRM 600 v 500µA（500µA） 是的 600V/µs 5mA -
MOC3062M onsemi MOC3062M 1.1500
RFQ
 ECAD 660 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） MOC306 Ul 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 1.3V 60 ma 4170VRM 600 v 500µA（500µA） 是的 600V/µs 10mA -
H11F2W onsemi H11F2W -
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） H11F DC 1 MOSFET 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 H11F2W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 ma 5300vrms - - 25µs，25µs（25µs） -
MOC8030SD onsemi MOC8030SD -
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 MOC803 DC 1 达灵顿 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 MOC8030SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA - 80V 1.15V 60 ma 5300vrms 300 @ @ 10mA - 3.5µs，95µs -
FODM3051R2V onsemi FODM3051R2V -
RFQ
 ECAD 2869 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 FODM30 BSI，CSA，UL，VDE 1 TRIAC 4-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 ma 3750vrms 600 v 70 MA 300µA（） 不 1kV/µs 15mA -
HCPL2531TVM onsemi HCPL2531TVM 1.2998
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 8 点点（ 0.400英寸，10.16毫米） HCPL2531 DC 2 晶体管 8-mdip 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 8mA - 20V 1.45V 25 ma 5000vrm 19％ @ 16mA 50％ @ 16mA 250NS，260NS -
H11F3300 onsemi H11F3300 -
RFQ
 ECAD 7056 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） H11F DC 1 MOSFET 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 H11F3300-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 15V 1.3V 60 ma 5300vrms - - 25µs，25µs（25µs） -
H11D2 onsemi H11D2 -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） H11D DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 ma 5300vrms 20％ @ 10mA - 5µs，5µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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