SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
FOD8143S Fairchild Semiconductor FOD8143S 1.0000
RFQ
ECAD 4894 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜105°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 AC,DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Ear99 8541.49.8000 1 50mA 4µs,3µs 70V 1.2V 50 mA 5000vrm 20% @ 1ma 300 @ @ 1ma - 200mv
FOD420S Fairchild Semiconductor FOD420 1.9400
RFQ
ECAD 169 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 FOD420 Cul,Fimko,UL 1 TRIAC 6-SMD 下载 Ear99 8541.49.8000 169 1.28V 30 ma 5000vrm 600 v 500µA 10kV/µs 2mA 60µs
6N138 Fairchild Semiconductor 6n138 0.6200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 达灵顿与基地 8点 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.49.8000 1,000 60mA - 7V 1.4V 25 ma 5000vrm 300 @ @ 1.6mA - 1.35µs,7.6µs -
H11B3 Fairchild Semiconductor H11B3 0.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,000 - - 55V 1.2V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma - 25µs,18µs 1V
FOD2742CR2 Fairchild Semiconductor FOD2742CR2 0.3600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 1 晶体管 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA - 70V 1.2V 2500vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
FOD2711ASD Fairchild Semiconductor FOD2711ASD 0.6100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 8-SMD 下载 Ear99 8541.49.8000 495 50mA - 30V 1.5v (最大) 5000vrm 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
6N136S Fairchild Semiconductor 6n136s 0.6100
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 364 8mA - 20V 1.45V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA 50% @ 16mA 450NS,500NS -
FOD2711ATV Fairchild Semiconductor FOD2711ATV 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点( 0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管 8点 下载 Ear99 8541.49.8000 675 50mA - 30V 1.5v (最大) 5000vrm 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
6N135V Fairchild Semiconductor 6n135v 0.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 381 8mA - 20V 1.45V 25 ma 2500vrms 7% @ 16mA 50% @ 16mA 450NS,500NS -
H11A1M Fairchild Semiconductor H11A1M 0.1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1,556 - - 80V 1.2V 60 ma 5000vrm 50% @ 10mA - 3µs,3µs 400mv
H11AA4300 Fairchild Semiconductor H11AA4300 0.3700
RFQ
ECAD 116 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) AC,DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 ma 5300vrms 100 @ @ 10mA - - 400mv
4N26300 Fairchild Semiconductor 4N26300 -
RFQ
ECAD 5091 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 648 - - 30V 1.18V 100 ma 5300vrms 20% @ 10mA - 2µs,2µs 500mv
CNY172300 Fairchild Semiconductor CNY172300 -
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 280 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 63 @ @ 10mA 125 @ @ 10mA 2µs,3µs 300mv
4N26M Fairchild Semiconductor 4n26m 0.1700
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 64 - - 80V 1.2V 60 ma 5000vrm 20% @ 10mA - 3µs,3µs 500mv
HMA121R1 Fairchild Semiconductor HMA121R1 0.0900
RFQ
ECAD 7781 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 3,001 80mA 3µs,3µs 80V 1.3v (最大) 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA - 400mv
MCT2201S Fairchild Semiconductor MCT2201S 0.1500
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,480 50mA - 30V 1.25V 100 ma 5300vrms 100 @ @ 10mA - 2µs,2µs 400mv
FODM3021R3V Fairchild Semiconductor FODM3021R3V -
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 BSI,CSA,UL,VDE 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 ma 3750vrms 400 v 70 MA 300µA() 10V/µs ty(typ) 15mA -
H11A1VM Fairchild Semiconductor H11A1VM 1.0000
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1 - - 30V 1.18V 60 ma 4170VRM 50% @ 10mA - 2µs,2µs 400mv
HCPL0530 Fairchild Semiconductor HCPL0530 1.7900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 2 晶体管 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.45V 25 ma 2500vrms 7% @ 16mA 50% @ 16mA 450NS,500NS -
4N37TM Fairchild Semiconductor 4n37tm -
RFQ
ECAD 1353 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 ma 4170VRM 100 @ @ 10mA - 2µs,2µs 300mv
MOC3051TVM Fairchild Semiconductor MOC3051TVM -
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) MOC305 Ur,Vde 1 TRIAC 6浸 下载 Ear99 8541.49.8000 1 1.18V 60 ma 4170VRM 600 v 220µA() 1kV/µs 15mA -
FOD2742CR1 Fairchild Semiconductor FOD2742CR1 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -25°C〜85°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 1 晶体管 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA - 70V 1.2V 2500vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
H11F1M Fairchild Semiconductor H11F1M -
RFQ
ECAD 7574 0.00000000 Fairchild半导体 - 盒子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) H11F DC 1 MOSFET 6浸 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3845-H11F1M Ear99 1 100mA - 30V 1.3V 60 ma 4170VRM - - 45µs,45µs (最大) -
MOC215-M Fairchild Semiconductor MOC215-m 0.2200
RFQ
ECAD 1995 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 1 晶体管带有基部 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,257 150mA 3µs,3µs 30V 1.07V 60 ma 2500vrms 20% @ 1ma - 4µs,4µs 400mv
CNY17F4S Fairchild Semiconductor CNY17F4S 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,480 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 320% @ 10mA 2µs,3µs 300mv
FOD4208SD Fairchild Semiconductor FOD4208SD -
RFQ
ECAD 8872 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 FOD4208 Cul,Fimko,UL 1 TRIAC 6-SMD 下载 Ear99 8541.49.8000 1 1.28V 30 ma 5000vrm 800 v 500µA 10kV/µs 2mA 60µs
FODM3021R2 Fairchild Semiconductor FODM3021R2 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 BSI,CSA,UL 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 ma 3750vrms 400 v 70 MA 300µA() 10V/µs ty(typ) 15mA -
MOCD223VM Fairchild Semiconductor MOCD223VM 0.6900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 2 达灵顿 8-SOIC 下载 Ear99 8541.49.8000 471 150mA 8µs,110µs 30V 1.25V 60 ma 2500vrms 500 @ @ 1mA - 10µs,125µs 1V
4N26VM Fairchild Semiconductor 4N26VM 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 ma 4170VRM 20% @ 10mA - 2µs,2µs 500mv
H11A3M Fairchild Semiconductor H11a3m 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 ma 5000vrm 20% @ 10mA - 3µs,3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库