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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电流 - 保持 (Ih) 电流传输率比(最小) 电流传输比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大) 过零电路 静态 dV/dt(简单) 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) 开启T
MCT5211SR2M onsemi MCT5211SR2M 1.7400
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ECAD 4885 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 MCT5211 直流 1 带基极晶体管 6-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 150毫安 - 30V 1.25V 50毫安 4170Vrms 150%@1.6mA - 14微秒、2.5微秒 400毫伏
HMA121R2 onsemi HMA121R2 -
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ECAD 6826 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 HMA121 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 80毫安 3微秒、3微秒 80V 1.3V(最大) 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400毫伏
H11A3300 onsemi H11A3300 -
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ECAD 3936 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11A 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11A3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100毫安 5300Vrms 20%@10mA - 2微秒、2微秒 400毫伏
FODM8801C onsemi FODM8801C 2.0800
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ECAD 7134 0.00000000 onsemi 光击™ 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 4-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) FODM8801 直流 1 晶体管 4 间迷你公寓 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 100 30毫安 5微秒、5.5微秒 75V 1.35V 20毫安 3750Vrms 200%@1mA 400%@1mA 6微秒,6微秒 400毫伏
CNX35UW onsemi CNX35UW -
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ECAD 1586 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) CNX35 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 CNX35UW-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100毫安 - 30V 1.15V 100毫安 5300Vrms 40%@10mA 160%@10mA 20μs、20μs 400毫伏
H11AA3TVM onsemi H11AA3TVM -
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ECAD 第1444章 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11A 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 - 30V 1.17V 60毫安 7500Vpk 50%@10mA - - 400毫伏
H11AA814A onsemi H11AA814A -
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ECAD 5023 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11A 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2.4μs、2.4μs 70V 1.2V 50毫安 5300Vrms 50%@1mA 150%@1mA - 200毫伏
H11A5300W onsemi H11A5300W -
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ECAD 5400 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11A 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11A5300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100毫安 5300Vrms 30%@10mA - 2微秒、2微秒 400毫伏
MOC3062SVM onsemi MOC3062SVM 1.3800
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ECAD 997 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 MOC306 IEC/EN/DIN、UL 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 MOC3062SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60毫安 4170Vrms 600伏 500μA(典型值) 是的 600V/微秒 10毫安 -
HMHA2801AR2 onsemi HMHA2801AR2 0.7200
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~100℃ 表面贴装 4-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) HMHA2801 直流 1 晶体管 4 间迷你公寓 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 3微秒、3微秒 80V 1.3V(最大) 50毫安 3750Vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300毫伏
H11A4FR2M onsemi H11A4FR2M -
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ECAD 8711 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 H11A 直流 1 带基极晶体管 6-SMD - 1(无限制) REACH 不出行 H11A4FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60毫安 7500Vpk 10%@10mA - 2微秒、2微秒 400毫伏
CNY17F4VM onsemi CNY17F4VM 0.3648
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ECAD 4484 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 人民币17F4 直流 1 晶体管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 4μs、3.5μs(顶部) 70V 1.35V 60毫安 4170Vrms 160%@10mA 320%@10mA 2微秒、3微秒 400毫伏
MOC3083SVM onsemi MOC3083SVM 1.3500
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ECAD 86 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 莫克308 IEC/EN/DIN、UL 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 MOC3083SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60毫安 4170Vrms 800V 500μA(典型值) 是的 600V/微秒 5毫安 -
HCPL2530WV onsemi HCPL2530WV -
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ECAD 3636 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.400英寸,10.16毫米) HCPL25 直流 2 晶体管 8-MDIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 8毫安 - 20V 1.45V 25毫安 2500Vrms 7%@16mA 50%@16mA 450纳秒、500纳秒 -
HMA124R1V onsemi HMA124R1V -
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ECAD 6719 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 HMA124 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 80毫安 3微秒、3微秒 80V 1.3V(最大) 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA - 400毫伏
4N39300 onsemi 4N39300 -
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ECAD 3741 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 4N39 乌尔、德国 1 可控硅 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 4N39300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60毫安 5300Vrms 200V 300毫安 1毫安 500V/微秒 30毫安 50μs(顶部)
H11A3VM onsemi H11A3VM -
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ECAD 5148 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11A 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60毫安 7500Vpk 20%@10mA - 2微秒、2微秒 400毫伏
4N30W onsemi 4N30W -
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ECAD 8837 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) 4N30 直流 1 携带底座到达林顿管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 4N30W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150毫安 - 30V 1.2V 80毫安 5300Vrms 100%@10mA - 5μs、40μs(顶部) 1V
FOD420V onsemi FOD420V 4.2400
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ECAD 5239 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 异物检测420 cUL、FIMKO、UL、VDE 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2832-FOD420V-488 EAR99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30毫安 5000Vrms 600伏 500μA 10kV/微秒 2毫安 60微秒
HMA121V onsemi HMA121V -
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ECAD 3469 0.00000000 onsemi - 盒子 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 HMA121 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 3,000 80毫安 3微秒、3微秒 80V 1.3V(最大) 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400毫伏
MOC3082FR2VM onsemi MOC3082FR2VM -
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ECAD 2154 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 莫克308 - 1 所在晶闸管 6-SMD - 1(无限制) REACH 不出行 MOC3082FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60毫安 7500Vpk 800V 500μA(典型值) 是的 - 10毫安 -
FODM3010R4 onsemi FODM3010R4 -
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ECAD 8199 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 FODM30 BSI、CSA、UL 1 所在晶闸管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 1.2V 60毫安 3750Vrms 250伏 70毫安 300μA(典型值) 10V/μs(典型值) 15毫安 -
H24A1 onsemi H24A1 -
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ECAD 2174 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 - 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H24A 直流 1 达林顿 4-DIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 100 - - 30V - 60毫安 5300Vrms - - - 400毫伏
CNW82SD onsemi CNW82SD -
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ECAD 5350 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 - 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 CNW82 直流 1 晶体管 6-SMD 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 100毫安 - 50V - 100毫安 5900Vrms 0.4%@10mA - - 400毫伏
MCT2300 onsemi MCT2300 -
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ECAD 1501 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MCT2 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 MCT2300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 - 30V 1.25V 100毫安 5300Vrms 20%@10mA - 1.1微秒、50微秒 400毫伏
MCT5211TVM onsemi MCT5211TVM 0.6163
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ECAD 2966 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) MCT5211 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 150毫安 - 30V 1.25V 50毫安 4170Vrms 150%@1.6mA - 14微秒、2.5微秒 400毫伏
H11AA4W onsemi H11AA4W -
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ECAD 8406 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11A 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11AA4W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100毫安 5300Vrms 100%@10mA - - 400毫伏
H11AA1VM onsemi H11AA1VM 0.9400
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ECAD 990 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11AA 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 - 30V 1.17V 60毫安 4170Vrms 20%@10mA - - 400毫伏
CNW139300 onsemi CNW139300 -
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ECAD 7140 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 - 通孔 8-DIP(0.400英寸,10.16毫米) CNW13 直流 1 携带底座到达林顿管 8-DIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 40 60毫安 - 18V - 100毫安 1000Vrms 500%@1.6mA - - -
H11AG3S onsemi H11AG3S -
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ECAD 1052 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 H11A 直流 1 带基极晶体管 6-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11AG3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 - 30V 1.5V(最大) 50毫安 5300Vrms 20%@1mA - 5μs、5μs 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

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  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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