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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大) 过零电路 静态 dV/dt(简单) 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) 开启T
HMHAA280R2 onsemi HMHAA280R2 1.0100
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ECAD 2946 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~100℃ 表面贴装 4-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) HMHAA280 交流、 直流 1 晶体管 4 间迷你公寓 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 3微秒、3微秒 80V 1.4V(最大) 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400毫伏
MOC3081M onsemi MOC3081M 1.0700
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ECAD 260 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 莫克308 UL 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60毫安 4170Vrms 800V 500μA(典型值) 是的 600V/微秒 15毫安 -
MOC3072SM onsemi MOC3072SM 1.5100
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ECAD 2229 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 莫克307 UL 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60毫安 4170Vrms 800V 540μA(典型值) 1kV/微秒 10毫安 -
H24A2 onsemi H24A2 -
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ECAD 6776 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~85℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H24A 直流 1 达林顿 4-DIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 100 - - 30V 1.7V(最大) 60毫安 5300Vrms - - 9微秒、4微秒 400毫伏
H11A617ASD onsemi H11A617ASD -
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ECAD 6606 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 H11A 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 2.4μs、2.4μs 70V 1.35V 50毫安 5300Vrms 40%@10mA 80%@10mA - 400毫伏
FOD8012AR2 onsemi FOD8012AR2 7.0500
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ECAD 1893年 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~110℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) FOD8012 逻辑 2 推拉式、图腾柱式 3V~3.6V、4.5V~5.5V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 10毫安 15Mbps 6.5纳秒、6.5纳秒 - - 3750Vrms 1/1 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
MOC3051FM onsemi MOC3051FM -
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ECAD 4944 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 MOC305 尿道 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 MOC3051FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60毫安 7500Vpk 600伏 280μA(典型值) 1kV/微秒 15毫安 -
MOC8112M onsemi MOC8112M -
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ECAD 1832年 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 莫克811 直流 1 晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3微秒、14微秒 70V 1.15V 90毫安 7500Vpk 50%@10mA - 4.2μs、23μs 400毫伏
MOC256R2VM onsemi MOC256R2VM -
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ECAD 2297 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 莫克256 交流、 直流 1 带基极晶体管 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 150毫安 - 30V 1.2V 60毫安 2500Vrms 20%@10mA - - 400毫伏
MOC8050SR2M onsemi MOC8050SR2M 1.1400
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ECAD 921 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 MOC8050 直流 1 达林顿 6-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 150毫安 - 80V 1.18V 60毫安 4170Vrms 500%@10mA - 8.5μs、95μs -
H11N33SD onsemi H11N33SD -
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ECAD 4698 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 甲型H11N 直流 1 集电极开路 - 6-SMD 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 5兆赫兹 - 1.4V 10毫安 7500Vrms 1/0 - 330纳秒, 330纳秒
H11F1300W onsemi H11F1300W -
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ECAD 2834 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11F 直流 1 场效应管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11F1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60毫安 5300Vrms - - 25μs,25μs(顶部) -
HMHA2801AR3 onsemi HMHA2801AR3 -
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ECAD 6410 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 4-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) HMHA28 直流 1 晶体管 4 间迷你公寓 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 3微秒、3微秒 80V 1.3V(最大) 50毫安 3750Vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300毫伏
H11A5TVM onsemi H11A5TVM -
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ECAD 6994 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11A 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60毫安 7500Vpk 30%@10mA - 2微秒、2微秒 400毫伏
H11A617A300W onsemi H11A617A300W -
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ECAD 4574 0.00000000 onsemi - 盒子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11A 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2.4μs、2.4μs 70V 1.35V 50毫安 5300Vrms 40%@10mA 80%@10mA - 400毫伏
FODM1008R2 onsemi FODM1008R2 0.6600
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ECAD 6646 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 FODM1008 直流 1 晶体管 4-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5.7μs、8.5μs 70V 1.4V 50毫安 5000Vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300毫伏
HCPL2611SVM onsemi HCPL2611SVM 0.7874
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ECAD 1325 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 直流 1 集电极开路 5.5V 8贴片 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 488-HCPL2611SVM EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 10Mbps 50纳秒、12纳秒 1.4V 50毫安 2500Vrms 1/0 10kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
H11G1300 onsemi H11G1300 -
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ECAD 6787 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) H11G 直流 1 携带底座到达林顿管 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 H11G1300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60毫安 5300Vrms 1000%@10mA - 5微秒、100微秒 1V
MOC3052VM onsemi MOC3052VM 1.1000
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ECAD 6 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MOC305 乌尔、德国 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 MOC3052VM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.18V 60毫安 4170Vrms 600伏 220μA(典型值) 1kV/微秒 10毫安 -
4N40300 onsemi 4N40300 -
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ECAD 3011 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 4N40 乌尔、德国 1 可控硅 6-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 4N40300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60毫安 5300Vrms 400V 300毫安 1毫安 500V/微秒 14毫安 50μs(顶部)
MOC217M_F132 onsemi MOC217M_F132 -
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ECAD 9072 0.00000000 onsemi - 盒子 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 莫克217 直流 1 带基极晶体管 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 3.2μs、4.7μs 30V 1.07V 60毫安 2500Vrms 100%@10mA - 7.5μs、5.7μs 400毫伏
FOD617B onsemi FOD617B -
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ECAD 2660 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) FOD617 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 4微秒、3微秒 70V 1.35V 50毫安 5000Vrms 63% @ 10mA 125%@10mA - 400毫伏
HCPL0452R1 onsemi HCPL0452R1 -
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ECAD 9345 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) HCPL04 直流 1 晶体管 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 8毫安 - 20V 1.45V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA 50%@16mA 450纳秒、300纳秒 -
HCPL2601VM onsemi HCPL2601VM 2.2700
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ECAD 4427 0.00000000 onsemi - 管子 的积极 -40℃~85℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) HCPL2601 直流 1 集电极开路,肖特基钳位 5.5V 8-PDIP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 488-HCPL2601VM EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 10Mbps 50纳秒、12纳秒 1.4V 30毫安 2500Vrms 1/0 5kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
FODM2701R2 onsemi FODM2701R2 0.7600
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ECAD 9 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 FODM2701 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 80毫安 3微秒、3微秒 40V 1.4V(最大) 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300毫伏
CNY17F1SD onsemi CNY17F1SD -
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ECAD 2510 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式 17元 直流 1 晶体管 6-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 CNY17F1SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50毫安 1微秒、2微秒 70V 1.35V 100毫安 5300Vrms 40%@10mA 80%@10mA 2微秒、3微秒 300毫伏
H11F1TVM onsemi H11F1TVM 5.4100
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11F 直流 1 场效应管 6-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 2832-H11F1TVM-488 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60毫安 4170Vrms - - 45μs,45μs(顶部) -
FODM3021R2V onsemi FODM3021R2V -
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ECAD 4010 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 FODM30 BSI、CSA、UL、VDE 1 所在晶闸管 4-SMD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 2,500人 1.2V 60毫安 3750Vrms 400V 70毫安 300μA(典型值) 10V/μs(典型值) 15毫安 -
FODM453R1V onsemi FODM453R1V -
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ECAD 4317 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 FODM45 直流 1 晶体管 5 间迷你公寓 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 1,000 8毫安 - 20V 1.6V 25毫安 3750Vrms 20%@16mA 50%@16mA 400纳秒、350纳秒 -
FOD617A300 onsemi FOD617A300 -
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ECAD 8640 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) FOD617 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.49.8000 4,000 50毫安 4微秒、3微秒 70V 1.35V 50毫安 5000Vrms 40%@10mA 80%@10mA - 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库