SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
MOC3012M onsemi MOC3012M 0.9100
RFQ
ECAD 367 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) MOC301 Ul 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 60 ma 4170VRM 250 v 100µA((100µA) - 5mA -
CNW83S onsemi CNW83S -
RFQ
ECAD 9320 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 - 表面安装 6-SMD,鸥翼 CNW83 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 50V - 100 ma 5900vrms 0.4 @ @ 10mA - - 400mv
H11G1W onsemi H11G1W -
RFQ
ECAD 3524 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) H11G DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 (1 (无限) 到达不受影响 H11G1W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 ma 5300vrms 1000 @ @ 10mA - 5µs,100µs 1V
MOC8102S onsemi MOC8102S -
RFQ
ECAD 4608 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 MOC810 DC 1 晶体管 6-SMD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 MOC8102S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs,2µs 30V 1.15V 100 ma 5300vrms 73 @ @ 10mA 117 @ @ 10mA 2µs,3µs 400mv
MCT2202S onsemi MCT2202S -
RFQ
ECAD 2197 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 MCT2 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 MCT2202S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA - 30V 1.25V 100 ma 5300vrms 63 @ @ 10mA 125 @ @ 10mA 2µs,2µs 400mv
H11F1300 onsemi H11F1300 -
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) H11F DC 1 MOSFET 6浸 下载 (1 (无限) 到达不受影响 H11F1300-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 ma 5300vrms - - 25µs,25µs(25µs) -
H11L2VM onsemi H11L2VM 1.8900
RFQ
ECAD 987 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) H11L2 DC 1 打开收藏首页 3v〜15v 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 50 mA 1MHz 100NS,100NS 1.2V 30mA 4170VRM 1/0 - 4µs,4µs
FOD617B300 onsemi FOD617B300 -
RFQ
ECAD 7191 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) FOD617 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 4µs,3µs 70V 1.35V 50 mA 5000vrm 63 @ @ 10mA 125 @ @ 10mA - 400mv
MOCD207R1VM onsemi MOCD207R1VM -
RFQ
ECAD 7084 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOCD20 DC 2 晶体管 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA 1.6µs,2.2µs 70V 1.25V 60 ma 2500vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA 3µs,2.8µs 400mv
FODM3012 onsemi FODM3012 -
RFQ
ECAD 4161 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 BSI,CSA,UL 1 TRIAC 4-SMD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 ma 3750vrms 250 v 70 MA 300µA() 10V/µs ty(typ) 5mA -
CNX83A300W onsemi CNX83A300W -
RFQ
ECAD 1936年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) CNX83 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 (1 (无限) 到达不受影响 CNX83A300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 50V 1.2V 100 ma 5300vrms 40% @ 10mA 250 @ @ 10mA 3µs,3µs 400mv
HCPL0661 onsemi HCPL0661 -
RFQ
ECAD 9086 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HCPL06 DC 2 开放的收藏首页,肖特基夹 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns,12ns 1.75v (最大) 50mA 3750vrms 2/0 25kV/µs 75NS,75NS
FODM3023-NF098 onsemi FODM3023-NF098 1.5700
RFQ
ECAD 2534 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 Cur,Ur 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 ma 3750vrms 400 v 70 MA 300µA() 10V/µs ty(typ) 5mA -
HCPL0601V onsemi HCPL0601V 3.4600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HCPL0601 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns,12ns 1.75v (最大) 50mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 75NS,75NS
H11AV1AM onsemi H11AV1AM 0.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) H11av DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 - - 70V 1.18V 60 ma 4170VRM 100 @ @ 10mA 300 @ @ 10mA 15µs,15µs (最大) 400mv
MOC8020300W onsemi MOC8020300W -
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) MOC802 DC 1 达灵顿 6浸 下载 (1 (无限) 到达不受影响 MOC8020300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA - 50V 1.15V 60 ma 5300vrms 500 @ @ 10mA - 3.5µs,95µs 2V
4N36M onsemi 4n36m 0.5900
RFQ
ECAD 988 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) 4N36 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 ma 4170VRM 100 @ @ 10mA - 2µs,2µs 300mv
4N33W onsemi 4N33W -
RFQ
ECAD 5995 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) 4N33 DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 (1 (无限) 到达不受影响 4N33W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA - 30V 1.2V 80 ma 5300vrms 500 @ @ 10mA - 5µs,100µs (最大) 1V
CNY1743S onsemi CNY1743S -
RFQ
ECAD 3366 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 CNY174 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 CNY1743S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 320% @ 10mA 2µs,3µs 300mv
H11G45 onsemi H11G45 -
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) H11G DC 1 达灵顿与基地 6浸 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 55V 11V 60 ma 4000vrm 250 @ @ 1ma - 5µs,150µs -
H11AA8143S onsemi H11AA8143S -
RFQ
ECAD 4602 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 H11a AC,DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 H11AA8143S-NDR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2.4µs,2.4µs 70V 1.2V 50 mA 5300vrms 20% @ 1ma 300 @ @ 1ma - 200mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库