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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | cms-过滤器标头-mfr | CMS过滤器标头系列 | cms-过滤器标头包 | CMS-过滤器标头-产品状态 | CMS-MSL | cms-eccn-详细信息页面 | cms-htsus-详细信息页面 | cms标准包 | 电压 - 输出电源 | cms-过滤器-标头-bpn |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ACNW3130-300E | 2.5456 | ![]() | 9050 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | ACNW3130 | 光耦合器 | CSA、IEC/EN/DIN、UR | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 2A, 2A | 2.5A | 100纳秒,100纳秒 | 1.6V | 25毫安 | 5000Vrms | 40kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | |||||||||||
![]() | TLP250(发那科-TP,F) | - | ![]() | 2740 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(发那科-TPF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PS9531L2-V-AX | - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | 西尔 | - | 管子 | SIC停产 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL、VDE | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 40纳秒, 40纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 175纳秒, 175纳秒 | 75纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | SI8274GB1-AS1R | 3.3045 | ![]() | 5140 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8274GB1-AS1RTR | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V | |||||||||||||||
![]() | SI8286BD-ASR | 2.6583 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8286 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI8286BD-ASRTR | 1,250人 | 2A、4.1A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 10V~30V | |||||||||||||||
![]() | SI8275DB-AS1 | 4.1815 | ![]() | 4363 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8275DB-AS1 | 48 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | |||||||||||||||
![]() | SI8233AB-AS | 5.6763 | ![]() | 5858 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8233AB-AS | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||||||||||
![]() | TLP5771H(D4LF4,E | 2.6200 | ![]() | 4172 | 0.00000000 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1A、1A | 1A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10V~30V | TLP5771 | |||||||||||||
| TLP5751(D4-TP4,E | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||||
![]() | SI8234BB-C-IS1 | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | |||||||||||||||
![]() | FOD8332 | 9.0800 | ![]() | 7518 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 异物检测833 | 光耦合器 | UL | 1 | 16-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2.5A、2.5A | 3A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.45V | 25毫安 | 4243Vrms | 35kV/μs | 250纳秒, 250纳秒 | 100纳秒 | 3V~15V | |||||||||||
![]() | SI8234BB-D-IMR | 5.7000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-VFLGA | SI8234 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-LGA (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | ||||||||||||||
![]() | SI8275DBD-IM1 | 3.7274 | ![]() | 5152 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 336-5946 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第490章 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | |||||||||||||
![]() | SI8271BBD-ISR | 2.1000 | ![]() | 1109 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8271 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | ||||||||||||||
![]() | TLP700(女) | 1.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 最后一次购买 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | 尿道 | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.5A、1.5A | 2A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 5000Vrms | 15kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | SI82520CB-IM1R | 3.5320 | ![]() | 6500 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅8252x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 863-SI82520CB-IM1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 4A、6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5.6纳秒 | 5.5V~30V | |||||||||||||||
![]() | SI8234BB-AS | 5.2839 | ![]() | 9403 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8234BB-AS | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||||||||||
![]() | PS9307L-AX | 2.3896 | ![]() | 8398 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | 尼普奥克 | 包 | 不适合新设计 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | PS9307 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 6-SDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 559-1613 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 30纳秒、30纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 175纳秒, 175纳秒 | 90纳秒 | 10V~30V | ||||||||||
![]() | SI8235BD-AS | 6.8233 | ![]() | 9887 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8235BD-AS | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||||||||||
![]() | SI8274DB1-IS1R | 5.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 150kV/μs | 75纳秒、60纳秒 | 19纳秒 | 9.6V~30V | ||||||||||||||
![]() | ISO5852SQDWQ1 | 4.4000 | ![]() | 4209 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | ISO5852 | 电容耦合器 | CQC、CSA、TUV、UL、VDE | 1 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | 1.5A、3.4A | 2.7A、5.5A | 18纳秒、20纳秒 | - | 5700Vrms | 100kV/μs | 110纳秒, 110纳秒 | - | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | FOD8383V | 2.8300 | ![]() | 1313 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.362英寸,9.20毫米宽),5引脚 | 光耦合器 | IEC/EN/DIN、UL | 1 | 5-SOP | 下载 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2.5A、2.5A | 3A | 35纳秒、25纳秒 | 1.43V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 210纳秒, 210纳秒 | 65纳秒 | 15V~30V | |||||||||||||||
![]() | FOD8316 | 9.0800 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 异物检测831 | 光耦合器 | UL | 1 | 16-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2.5A、2.5A | 3A | 34纳秒, 34纳秒 | - | 4243Vrms | 35kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | SI8275DB-IS1 | 4.6985 | ![]() | 1881年 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 150kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | |||||||||||||
![]() | SI82390AB-IS1R | 2.6463 | ![]() | 9501 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI82390 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | 40纳秒, 40纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||||||||||
![]() | UCC5320SCD | 2.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC5320 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | 296-47028 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 2.4A、2.2A | 4.3A | 12纳秒、10纳秒 | - | 3000Vrms | 100kV/μs | 72纳秒、75纳秒 | 20纳秒 | 13.2V~33V | |||||||||||
![]() | SI8232BB-AS1R | 2.7600 | ![]() | 5650 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8232BB-AS1RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 250毫安、500毫安 | 500毫安 | 20ns、20ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||||||||||
![]() | SI823H6BB-IM1R | 3.5582 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅823Hx | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | ||||||||||||||
![]() | TLP5774H(TP4,E | 2.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5774 | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 4A, 4A | 4A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP352(D4-TP1,S) | - | ![]() | 7473 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP352 | - | 1(无限制) | 264-TLP352(D4-TP1S)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 |

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