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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | cms-过滤器标头-mfr | CMS过滤器标头系列 | cms-过滤器标头包 | CMS-过滤器标头-产品状态 | CMS-MSL | cms-eccn-详细信息页面 | cms-htsus-详细信息页面 | cms标准包 | 电压 - 输出电源 | cms-过滤器-标头-bpn |
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![]() | TLP5771H(TP,E | 2.4500 | ![]() | 5134 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5771 | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP700F(D4ABB-TP,F | - | ![]() | 6946 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP700F(D4ABB-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000Vrms | 15kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | |||||||||||||
TLP5754(D4-TP,E | 2.9200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5754 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 3A、3A | 4A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP351(LF1,Z,F) | - | ![]() | 6189 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP351 | - | 1(无限制) | 264-TLP351(LF1ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
TLP5231(D4,E | 5.5100 | ![]() | 2097 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5231 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 16-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1A、1A | 2.5A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.7V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 300纳秒、300纳秒 | 150纳秒 | 21.5V~30V | |||||||||||||
![]() | TLP5754(LF4,E | 2.7900 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5754 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 3A、3A | 4A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP700A(D4-TP,F) | - | ![]() | 4924 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP700A(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP701(TOJS-TP,F) | - | ![]() | 7911 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701(TOJS-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600毫安,600毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | ||||||||||||
TLP5774H(D4TP4,E | 2.6800 | ![]() | 4338 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5774 | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 4A, 4A | 4A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||||||||||||
![]() | TLP250F(INV-TP4,F) | - | ![]() | 5846 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP250F | - | 1(无限制) | 264-TLP250F(INV-TP4F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP358F(D4-TP4,F) | - | ![]() | 2191 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | TLP358 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 8贴片 | 下载 | 264-TLP358F(D4-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5A、5A | 6A | 17纳秒, 17纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 250纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP700AF(TP,S) | - | ![]() | 7697 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP700 | - | 1(无限制) | 264-TLP700AF(TPS)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP350F(D4-TP4,Z,F | - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350F(D4-TP4ZFTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||
TLP5231(E | 5.5600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5231 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 16-SO | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP5231(E) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1A、1A | 2.5A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.7V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 300纳秒、300纳秒 | 150纳秒 | 21.5V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP700F(D4-TP,F) | - | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP700 | 光耦合器 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP700F(D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000Vrms | 15kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | - | 15V~30V | |||||||||||||
TLP5212(D4-TP,E | 5.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5212 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 16-SO | 下载 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 2A, 2A | 2.5A | 57纳秒、56纳秒 | 1.67V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 250纳秒, 250纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||||
![]() | TLP358(LF5,F) | - | ![]() | 9888 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP358 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 8-DIP | 下载 | 264-TLP358(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5A、5A | 6A | 17纳秒, 17纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 250纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP5754(TP4,E | 2.8500 | ![]() | 8639 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5754 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 3A、3A | 4A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP250(D4-发那科,F) | - | ![]() | 5990 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4-发那科) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP705A(女) | - | ![]() | 8970 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705 | 光耦合器 | UL、UL | 1 | 6-SDIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 35纳秒、15纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 170纳秒, 170纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||||||||||
TLP5752(TP,E | 2.5800 | ![]() | 7033 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP350(D4,Z,F) | - | ![]() | 2527 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350(D4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP701(D4-MBS-TP,F | - | ![]() | 5629 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701(D4-MBS-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | ||||||||||||
![]() | TLP701F(D4-MBSTP,F | - | ![]() | 4358 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | 德国莱茵TÜV、乌拉圭 | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701F(D4-MBSTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600毫安 | - | - | 5000Vrms | 10kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | |||||||||||||
![]() | TLP5774H(TP4,E | 2.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5774 | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 4A, 4A | 4A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | |||||||||||
TLP5752H(E | - | ![]() | 1855年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 6-SO | 下载 | 264-TLP5752H(E) | 1 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||||||||||||
![]() | TLP5771H(D4LF4,E | 2.6200 | ![]() | 4172 | 0.00000000 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1A、1A | 1A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10V~30V | TLP5771 | ||||||||||||
![]() | TLP351H(TP1,F) | 1.6400 | ![]() | 1209 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | TLP351 | 光耦合器 | CQC、cUR、UR、VDE | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 3750Vrms | 20kV/μs | 700纳秒, 700纳秒 | 500纳秒 | 10V~30V | |||||||||||
![]() | TLP250(D4MBINVT5,F | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4MBINVT5FTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP350(D4-LF1,Z,F) | - | ![]() | 5424 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP350 | - | 1(无限制) | 264-TLP350(D4-LF1ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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