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隔离器-感应驱动器(305)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 霓机构 通道数 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 当前-产出高、低 当前 - 高峰 上升/下降T（典型值） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 脉冲宽度失真（最大） 电压 - 输出电源
TLP5751(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751(LF4,E 2.3800
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 ECAD 9037 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5751 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 1A、1A 1A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP5754(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754(D4,E 2.9100
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 ECAD 4989 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5754 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 3A、3A 4A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP5754(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754(D4-LF4,E 2.8500
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 ECAD 5560 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5754 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 3A、3A 4A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP5751(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751(D4-TP,E 0.9707
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 ECAD 4574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5751 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 1A、1A 1A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP523-4(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4(三一重工,F) -
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 ECAD 8821 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - 1（无限制） 264-TLP523-4（三一） EAR99 8541.49.8000 50
TLP250(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(TP5,F) -
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 ECAD 3920 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP250 - 1（无限制） 264-TLP250(TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP700H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H(TP、F) -
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 ECAD 9003 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 最后一次购买 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 光耦合器 CSA、cUL、UL、VDE 2 6-SDIP 下载 1 2A, 2A 2A 15微秒、8微秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 20kV/μs 500纳秒、500纳秒 250纳秒 15V～30V
TLP152(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP152(TPL,E 1.3000
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP152 光耦合器 - 1 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 2A, 2A 2.5A 18纳秒、22纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 20kV/μs 145纳秒、165纳秒 50纳秒 10V～30V
TLP352F(TP4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F(TP4,S) -
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 ECAD 4330 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP352F - 1（无限制） 264-TLP352F(TP4S)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP151A(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A(E) 1.5900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP151 光耦合器 UL、UL 1 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 400毫安、400毫安 600毫安 50纳秒, 50纳秒 1.55V 25毫安 3750Vrms 20kV/μs 500纳秒、500纳秒 350纳秒 10V～30V
TLP5214A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214A(TP,E 7.6200
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5214 光耦合器 1 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 3A、3A 4A 32纳秒、18纳秒 1.7V（最大） 25毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP523-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-2(F) -
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 ECAD 2397 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - 1（无限制） 264-TLP523-2(F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5771H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H(D4,E 2.4500
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 ECAD 4150 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5771 电容耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 1A、1A 1A 56纳秒、25纳秒 1.65V 8毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 10V～30V
TLP5751H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H(LF4,E 1.8700
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 ECAD 3058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5751 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 1A、1A 1A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP701(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701(GEHC,F) -
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 ECAD 4621 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP701 光耦合器 CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701(GEHCF) EAR99 8541.49.8000 1 600毫安，600毫安 600毫安 50纳秒, 50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 10kV/μs 700纳秒, 700纳秒 - 10V～30V
TLP523-2(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-2(MBS,F) -
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 ECAD 9132 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - 1（无限制） 264-TLP523-2(MBSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP700(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700(TP、F) -
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 ECAD 1601 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP700 光耦合器 CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP700(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 2A, 2A 2A 50纳秒, 50纳秒 1.57V 20毫安 5000Vrms 15kV/微秒 500纳秒、500纳秒 - 15V～30V
TLP5214(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214(D4,E 7.5600
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 ECAD 3196 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5214 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 3A、3A 4A 32纳秒、18纳秒 1.7V（最大） 25毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP250(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(女) -
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 ECAD 9971 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -20℃～85℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP250 光耦合器 尿道 1 8-DIP - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 500毫安，500毫安 1.5A - 1.6V 20毫安 2500Vrms 5kV/μs 500纳秒、500纳秒 - 15V～30V
TLP5752(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752(D4,E 2.5900
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 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5752 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 2.5A、2.5A 2.5A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP5214(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214(E 8.1000
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 ECAD 5491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5214 光耦合器 CQC、cUR、UR、VDE 1 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 3A、3A 4A 32纳秒、18纳秒 1.7V（最大） 25毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP5771H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H(TP4,E 2.6200
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5771 电容耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 1A、1A 1A 56纳秒、25纳秒 1.65V 8毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 10V～30V
TLP5774H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H(E 2.4800
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 ECAD 6998 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5774 电容耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 1（无限制） 264-TLP5774H（E） EAR99 8541.49.8000 125 4A, 4A 4A 56纳秒、25纳秒 1.65V 8毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 10V～30V
TLP352(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(D4,F) 1.9900
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 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP352 光耦合器 CSA、cUL、UL、VDE 1 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2.5A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 3750Vrms 20kV/μs 200纳秒、200纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP151A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A(TPL,E 1.5900
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 ECAD 7185 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP151 光耦合器 CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 400毫安、400毫安 600毫安 50纳秒, 50纳秒 1.55V 25毫安 3750Vrms 20kV/μs 500纳秒、500纳秒 350纳秒 10V～30V
TLP701(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701(D4-TP,F) -
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 ECAD 5238 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP701 光耦合器 CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 400毫安、400毫安 600毫安 50纳秒, 50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 10kV/μs 700纳秒, 700纳秒 - 10V～30V
TLP352(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(TP1,F) 1.9900
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP352 光耦合器 CSA、cUL、UL 1 8贴片 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 2A, 2A 2.5A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 3750Vrms 20kV/μs 200纳秒、200纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP5751(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751(D4-LF4,E 2.4300
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 ECAD 2837 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5751 光耦合器 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 1A、1A 1A 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒 50纳秒 15V～30V
TLP701AF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701AF(女) -
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 ECAD 9442 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP701 光耦合器 CSA、cUL、UL、VDE 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701AF(女) EAR99 8541.49.8000 1 600毫安，600毫安 600毫安 50纳秒, 50纳秒 1.57V 25毫安 5000Vrms 20kV/μs 500纳秒、500纳秒 350纳秒 10V～30V
TLP351F(LF4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351F(LF4,Z,F) -
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 ECAD 1346 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP351 - 1（无限制） 264-TLP351F(LF4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
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